一种5G通信用特殊结构的射频SMD片式负载的制作方法

本实用新型涉及一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，属于电子元器件技术领域。

背景技术：

射频smd片式负载主要用于射频电路中吸收功率，特点是体积小、功率大、高频特性优良。与常规片式电阻不同，由于功率较大，所以底电极(焊盘)面积较大。目前市场上的射频smd片式负载大部分是采用基片整个端面作为端电极，同时端电极作为信号输入端的一部分，影响产品高频特性。

端电极制作工艺通常是整面印刷基片后分割成条状，然后端面涂覆导体浆料后进行电镀或通过磁控溅射的方式在端面形成薄膜层后分割成颗粒进行电镀。但仅适用于端电极宽度等于基片宽度的产品，但是对于端电极宽度有要求的产品不适用。针对这类端电极宽度有要求产品，市场又开发了端面印刷及部分磁控的产品，使得基片端面部分作为电极，但该项技术不仅提升了工艺难度，同时在小尺寸基片实现难度极大。

技术实现要素：

本实用新型主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，本实用新型通过使用激光切割形成的带缺槽的基片，结合过孔印刷的技术，使得缺槽中的电极作为端电极，这样缺槽的宽度即等于端电极的宽度。由于过孔印刷技术时在整面印刷时形成，降低了基片分割后再制成端电极的工作量。同时激光切割精度极高，针对小尺寸基片也可以实现高精度尺寸的切槽。

本实用新型解决上述技术问题所提供的技术方案是：一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，包括两端均带有缺槽的陶瓷基片，所述陶瓷基片的上表面依次设有电阻层、内保护层，两个缺槽内均设有电极层，所述电极层一部分覆盖住陶瓷基片的上表面，另一部分覆盖住陶瓷基片的下表面，所述内保护层上还设有外保护层，所述外保护层两端均延伸至电极层的上表面。

进一步的技术方案是，所述陶瓷基片下表面左半部分电极层的面积小于右半部分电极层的面积。

进一步的技术方案是，所述内保护层为绿色玻璃保护层。

进一步的技术方案是，所述外保护层为黑色玻璃保护层。

进一步的技术方案是，所述电阻层和内保护层的厚度之和等于覆盖在基片上表面的电极层的厚度。

本实用新型具有以下有益效果：本实用新型通过使用激光切割形成的带缺槽的基片，结合过孔印刷的技术，使得缺槽中的电极作为端电极，这样缺槽的宽度即等于端电极的宽度，由于过孔印刷技术时在整面印刷时形成，降低了基片分割后再制成端电极的工作量，同时激光切割精度极高，针对小尺寸基片也可以实现高精度尺寸的切槽；另外底部电极采用非对称设计，将底部基片空白部分(无底电极部分)朝一段转移，使得正面电阻膜层发热中心对应底部电极，提高产品功率负荷能力。

附图说明

图1是本实用新型的外表面示意图；

图2是本实用新型的结构示意图。

图中标记：1-陶瓷基片；2-电极层；3-电阻层；4-内保护层；5-外保护层。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型做更进一步的说明。

如图1和2所示，本实用新型的一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，包括两端均带有缺槽的陶瓷基片1，所述陶瓷基片1的上表面依次设有电阻层3、内保护层4，两个缺槽内均设有电极层2，所述电极层2一部分覆盖住陶瓷基片1的上表面，另一部分覆盖住陶瓷基片1的下表面，所述内保护层4上还设有外保护层5，所述外保护层5两端均延伸至电极层2的上表面。

本实施例中如图2所示，所述陶瓷基片1下表面左半部分电极层2的面积小于右半部分电极层2的面积；即底部电极采用非对称设计，将底部基片空白部分(无底电极部分)朝一段转移，使得正面电阻膜层发热中心对应底部电极，提高产品功率负荷能力。

本实用新型中的优选方式是，所述内保护层4为绿色玻璃保护层，所述外保护层5为黑色玻璃保护层。所述电阻层3和内保护层4的厚度之和等于覆盖在基片1上表面的电极层2的厚度。

以上所述，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已通过上述实施例揭示，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些变动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

技术特征：

1.一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，其特征在于，包括两端均带有缺槽的陶瓷基片(1)，所述陶瓷基片(1)的上表面依次设有电阻层(3)、内保护层(4)，两个缺槽内均设有电极层(2)，所述电极层(2)一部分覆盖住陶瓷基片(1)的上表面，另一部分覆盖住陶瓷基片(1)的下表面，所述内保护层(4)上还设有外保护层(5)，所述外保护层(5)两端均延伸至电极层(2)的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，其特征在于，所述陶瓷基片(1)下表面左半部分电极层(2)的面积小于右半部分电极层(2)的面积。

3.根据权利要求2所述的一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，其特征在于，所述内保护层(4)为绿色玻璃保护层。

4.根据权利要求2所述的一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，其特征在于，所述外保护层(5)为黑色玻璃保护层。

5.根据权利要求1所述的一种5g通信用特殊结构的射频smd片式负载，其特征在于，所述电阻层(3)和内保护层(4)的厚度之和等于覆盖在基片(1)上表面的电极层(2)的厚度。

技术总结
本实用新型涉及一种5G通信用特殊结构的射频SMD片式负载，包括两端均带有缺槽的陶瓷基片，所述陶瓷基片的上表面依次设有电阻层、内保护层，两个缺槽内均设有电极层，所述电极层一部分覆盖住陶瓷基片的上表面，另一部分覆盖住陶瓷基片的下表面，所述内保护层上还设有外保护层，所述外保护层两端均延伸至电极层的上表面。本实用新型通过使用激光切割形成的带缺槽的基片，结合过孔印刷的技术，使得缺槽中的电极作为端电极，这样缺槽的宽度即等于端电极的宽度，由于过孔印刷技术时在整面印刷时形成，降低了基片分割后再制成端电极的工作量，同时激光切割精度极高，针对小尺寸基片也可以实现高精度尺寸的切槽。

技术研发人员：于江;陈雷;王元宇;杜攀;田科
受保护的技术使用者：四川永星电子有限公司
技术研发日：2019.12.09
技术公布日：2020.05.22