一种热诱导改变带隙的半导体器件的制作方法

本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种电源适配器。

背景技术：

半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域发挥重要应用价值；目前，各种新型的光电子器件层出不穷，激光器、发光二极管、光探测器、光双稳器件、光放大器等每天都在增长，半导体在我们生活中所占有的重要作用越来越不可替代，半导体发光器件具有发光强度高的优点，但通常一旦该发光器件形成就无法进行改变，使得其应用广泛性大大缩减，因此，获得多功能的半导体器件仍然有着巨大的研发潜能。

技术实现要素：

本发明针对上述技术问题和不足需求而提供一种热诱导改变带隙的半导体器件。

本发明的技术方案是这样的：

一种热诱导改变带隙的半导体器件，包括由半导体材料制成的呈长方体的半导体元件，该元件的上表面贴合固定有上金薄板、下表面贴合固定有下金薄板；所述上金薄板通过导线与一电阻连接、该电阻通过导线与一开关的一端连接、开关的另一端与一电源的正极连接；所述下金薄板通过导线与一电热丝连接、电热丝通过导线与电源的负极连接；所述电源、开关、电阻、上金薄板、半导体元件、下金薄板、电热丝形成串联回路。

作为优选，所述半导体元件所使用的半导体材料为四苯基卟啉分子。

作为优选，所述加热装置在通电后可以使半导体元件的带隙改变，从而使半导体元件产生光电效应，从而实现可见光向红外光的转变。

作为优选，所述电源为交流电源或直流电源中的一种。

本发明的有益效果是：

a.通过带隙改变实现可见光向红外光的转变；

b.结构简单，实用性强。

附图说明

图1为一种热诱导改变带隙的半导体器件的结构示意图。

具体实施方式

以下结合图1详细说明本发明的具体实施方式。

实施例1：

如图1所示，一种热诱导改变带隙的半导体器件，包括由半导体材料制成的呈长方体的半导体元件6，该元件6的上表面贴合固定有上金薄板4、下表面贴合固定有下金薄板5；所述上金薄板4通过导线与一电阻3连接、该电阻3通过导线与一开关2的一端连接、开关2的另一端与一电源1的正极连接；所述下金薄板5通过导线与一电热丝7连接、电热丝7通过导线与电源1的负极连接；所述电源1、开关2、电阻3、上金薄板4、半导体元件6、下金薄板5、电热丝7形成串联回路。

半导体元件6所使用的半导体材料为四苯基卟啉分子；是四苯基卟啉分子在300℃下退火20min发生环化脱氢后再经过加工制得的半导体材料。

电热丝7在通电后可以使半导体元件6的带隙改变，从而使半导体元件6产生光电效应，从而实现可见光向红外光的转变。

电源1为交流电源或直流电源中的一种。

开关2可以方便实现电流的通路和断路；电阻3为了防止电源1打开瞬时产生危害从而起到保护作用的。

该器件的使用方法为：正确测得半导体元件6的正负极，上金薄板4和下金薄板5位于四苯基卟啉分子半导体元件6的上下两侧，用导线将上金薄板4和电源1的正极连接，用导线连接下金薄板5和电源1的负极，通过调节开关2可以实现半导体元件6的通/断；打开电源1的开关2，即可观察到看见的蓝绿光；而通过电热丝加热的这面，使得四苯基卟啉分子发生环化脱氢形成带隙改变，这面即可产生红外光。

以上仅为本发明的优选实施例，依据上述实施例所做的等同置换或推演，均应属于本发明的涵盖范围。

技术特征：

1.一种热诱导改变带隙的半导体器件，其特征在于：包括由半导体材料制成的呈长方体的半导体元件，该元件的上表面贴合固定有上金薄板、下表面贴合固定有下金薄板；所述上金薄板通过导线与一电阻连接、该电阻通过导线与一开关的一端连接、开关的另一端与一电源的正极连接；所述下金薄板通过导线与一电热丝连接、电热丝通过导线与电源的负极连接；所述电源、开关、电阻、上金薄板、半导体元件、下金薄板、电热丝形成串联回路。

2.根据权利要求1所述的一种热诱导改变带隙的半导体器件，其特征在于：所述半导体元件所使用的半导体材料为四苯基卟啉分子。

3.根据权利要求1所述的一种热诱导改变带隙的半导体器件，其特征在于：所述加热装置在通电后可以使半导体元件的带隙改变，从而使半导体元件产生光电效应，从而实现可见光向红外光的转变。

4.根据权利要求1所述的一种热诱导改变带隙的半导体器件，其特征在于：所述电源为交流电源或直流电源中的一种。

技术总结
本发明涉及半导体电子技术领域，一种热诱导改变带隙的半导体器件，包括由半导体材料制成的呈长方体的半导体元件，该元件的上表面贴合固定有上金薄板、下表面贴合固定有下金薄板；所述上金薄板通过导线与一电阻连接、该电阻通过导线与一开关的一端连接、开关的另一端与一电源的正极连接；所述下金薄板通过导线与一电热丝连接、电热丝通过导线与电源的负极连接；所述电源、开关、电阻、上金薄板、半导体元件、下金薄板、电热丝形成串联回路。本发明通过带隙改变实现可见光向红外光的转变，结构简单，实用性强。

技术研发人员：蔡金明;达彬彬;郝振亮;卢建臣
受保护的技术使用者：昆明理工大学
技术研发日：2020.03.12
技术公布日：2020.06.19