一种晶圆清洗装置的制作方法

文档序号:24384009发布日期:2021-03-23 11:18阅读:83来源:国知局
一种晶圆清洗装置的制作方法

本发明涉及半导体清洗技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。



背景技术:

集成电路制造工艺过程通常是指将导体、半导体以一定的工艺顺序沉积在晶圆上;在沉积之后,需要对晶圆进行化学机械研磨,实现对微观粗糙表面全局平坦化处理,以便进行后续的工艺过程;使用化学机械研磨完成晶圆表面平整后,还需要对晶圆表面进行清洗,以去除研磨过程中的各种微小颗粒,现有技术中,清洗装置在对晶圆进行清洗时不能对各个角度进行清洗,清洗效果差,且降低了清洗效率。



技术实现要素:

本发明解决的技术问题是提供一种可以解决上述问题的晶圆清洗装置。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种晶圆清洗装置,包括清洗腔体、晶圆固定设备和等离子发生装置,所述清洗腔体包括内部相对设置的上电极板和下电极板,所述等离子发生装置与上电极板和下电极板电连接,所述晶圆固定设备包括第一旋转马达、第二旋转马达、与第一旋转马达连接并通过第一旋转马达驱动旋转的吸盘、与第二旋转马达连接并通过第二旋转马达驱动旋转的连接臂。

进一步的是:还包括与清洗腔体连接并驱动清洗腔体升降的升降马达。

进一步的是:所述吸盘采用负压真空吸盘。

进一步的是:还包括缓冲缓冲装置,所述缓冲装置设置在连接臂一侧。

进一步的是:所述缓冲装置采用金属制成。

本发明的有益效果是:吸盘对晶圆进行固定,第二马达驱动连接臂进行旋转使得吸盘带动晶圆进入清洗腔体内进行清洗,第一旋转马达驱动吸盘以及吸盘上的晶圆进行旋转,使得晶圆的各个角度都可以得到清洗,提高了清洗效果,采用等离子清洗方式提高了晶圆的清洗效率。

附图说明

图1为晶圆清洗装置结构示意图。

图中标记为:清洗腔体1、上电极板11、下电极板12、晶圆固定设备2、第一旋转马达21、第二旋转马达22、吸盘23、连接臂24、缓冲装置25等离子发生装置3。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

如图1所示,一种晶圆清洗装置,其特征在于:包括清洗腔体1、晶圆固定设备2和等离子发生装置3,所述清洗腔体1包括内部相对设置的上电极板11和下电极板12,所述等离子发生装置3与上电极板11和下电极板12电连接,所述晶圆固定设备2包括第一旋转马达21、第二旋转马达22、与第一旋转马达21连接并通过第一旋转马达21驱动旋转的吸盘23、与第二旋转马达22连接并通过第二旋转马达22驱动旋转的连接臂24;吸盘23对晶圆进行吸取固定,第二马达22驱动连接臂24进行旋转使得吸盘23带动晶圆进入清洗腔体1内进行清洗,第一马达21驱动吸盘23以及吸盘23上的晶圆进行旋转,使得晶圆的各个角度都可以得到清洗,提高了清洗效果,采用等离子清洗方式提高了晶圆的清洗效率。

在此基础上,如图1所示,还包括与清洗腔体1连接并驱动清洗腔体1升降的升降马达4;提高了晶圆的清洗效果。

在此基础上,如图1所示,所述吸盘23采用负压真空吸盘;是的对晶圆进行固定时更稳定。

在此基础上,如图1所示,还包括缓冲缓冲装置25,所述缓冲装置25设置在连接臂24一;缓冲装置25可以用于对连接臂24提供支撑以及缓冲,以防止所述第二旋转马达22长期承受过多压力。

在此基础上,所述缓冲装置25采用金属制成;也可为橡胶以及塑料等固体材料。

以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。



技术特征:

1.一种晶圆清洗装置,其特征在于:包括清洗腔体(1)、晶圆固定设备(2)和等离子发生装置(3),所述清洗腔体(1)包括内部相对设置的上电极板(11)和下电极板(12),所述等离子发生装置(3)与上电极板(11)和下电极板(12)电连接,所述晶圆固定设备(2)包括第一旋转马达(21)、第二旋转马达(22)、与第一旋转马达(21)连接并通过第一旋转马达(21)驱动旋转的吸盘(23)、与第二旋转马达(22)连接并通过第二旋转马达(22)驱动旋转的连接臂(24)。

2.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置,其特征在于:还包括与清洗腔体(1)连接并驱动清洗腔体(1)升降的升降马达(4)。

3.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置,其特征在于:所述吸盘(23)采用负压真空吸盘。

4.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置,其特征在于:还包括缓冲装置(25),所述缓冲装置(25)设置在连接臂(24)一侧。

5.如权利要求4所述的一种晶圆清洗装置,其特征在于:所述缓冲装置(25)采用金属制成。


技术总结
本发明公开了一种晶圆清洗装置,包括清洗腔体、晶圆固定设备和等离子发生装置,所述清洗腔体包括内部相对设置的上电极板和下电极板,所述等离子发生装置与上电极板和下电极板电连接,所述晶圆固定设备包括第一旋转马达、第二旋转马达、与第一旋转马达连接并通过第一旋转马达驱动旋转的吸盘、与第二旋转马达连接并通过第二旋转马达驱动旋转的连接臂,吸盘对晶圆进行固定,第二马达驱动连接臂进行旋转使得吸盘带动晶圆进入清洗腔体内进行清洗,第一旋转马达驱动吸盘以及吸盘上的晶圆进行旋转,使得晶圆的各个角度都可以得到清洗,提高了清洗效果,采用等离子清洗方式提高了晶圆的清洗效率。

技术研发人员:田一;李小龙;田英干
受保护的技术使用者:天霖(张家港)电子科技有限公司
技术研发日:2020.11.16
技术公布日:2021.03.23
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