一种经颅磁刺激线圈及其制作方法与流程

文档序号:24880895发布日期:2021-04-30 12:59阅读:105来源:国知局
一种经颅磁刺激线圈及其制作方法与流程

本发明涉及医疗器械技术领域,具体涉及一种经颅磁刺激线圈及其制作方法。



背景技术:

现在所熟知的磁刺激线圈一般都是采用上壳体加下壳体包裹刺激线圈制作而成,其中线圈材质已知种类有3种,分别是扁平漆包线、李兹线、铜管等。

采用扁平漆包线制作而成的刺激线圈与空气或冷却液接触面过少。在强度较高的场合当中因为热交换太少导致散热效果不佳。

采用李兹线制作而成的刺激线圈,绝缘性较差、发热较多、寿命较差。在长期使用中因为发热较多容易损坏绝缘层,从而导致内部产生电弧,可能会对使用者产生安全风险。

采用铜管制作而成的刺激线圈,制作难度较大、线圈绕线之间缝隙较大。绕制的线圈直径较大且产生的磁场容易发散,刺激能量聚焦能力差。



技术实现要素:

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种经颅磁刺激线圈及其制作方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种经颅磁刺激线圈,包括内部为中空结构的线圈、包覆在所述线圈外壁的绝缘层以及可拆卸连接在线圈端部且与所述线圈内部连通的冷却介质通入组件;

线圈由可变形扁平管体绕制成多匝结构,可变形扁平管体内部均为中空结构,且每匝可变形扁平管体的外壁之间紧密贴合。

进一步,线圈包括第一线圈以及与第一线圈连接为一体式结构的第二线圈,第一线圈与第二线圈呈对称设置。

进一步,第一线圈与第二线圈均呈圆环形结构、碟形结构、椭圆形结构、圆锥形结构、双锥形结构或多边形结构。

进一步,可变形扁平管体采用铜管材质。

进一步,第一线圈与第二线圈的折弯处通过圆弧过渡。

本发明还提供了一种经颅磁刺激线圈的制作方法,包括以下步骤:

s1:选择可变形的铜管作为线圈的制作基材,并对该铜管的环面进行去杂处理;

s2:对选择好的铜管进行施压处理,使得铜管压扁形成内部为中空结构的可变形扁平管体;

s3:对可变形扁平管体进行绝缘处理;

s4:将加工好的可变形扁平管体进行绕制,形成具有多匝结构的刺激线圈。

进一步,s1中铜管的内径为0.5mm-20mm,外径为1mm-30mm。

进一步,s3中对可变形扁平管体进行绝缘处理时,通过覆膜机对可变形扁平管体的外壁进行覆膜处理,使得可变形扁平管体的外壁包裹绝缘层。

进一步,可变形扁平管体的外壁包裹的绝缘层为一层或多层。

进一步,s4中将可变形扁平管体绕制成圆形、蝶形、8字形、锥型、双锥型或磁休克线圈,且绕制过程中弯折处进行圆弧过渡处理。

本发明具有以下有益效果:本发明所提供的一种经颅磁刺激线圈及其制作方法,其结构可靠,使用性能好,通过可变形扁平管体的扁平状结构设计,是哦绕制后每匝线圈外壁之间贴合紧密,有效的提高了线圈的匝数,同时增大了刺激线圈的感量,用单层线圈绕制,就可以达到双层线圈的电感量;有效的改善了现有技术刺激线圈磁场发散的问题,增加了线圈的聚集性,提升了磁场发射的精度;此外,通过中空的可变形扁平铜管可通途散热液体或气体,把线圈工作时的热量及时带走,防止线圈过热,提高热交换效率的同时增强刺激线圈的使用寿命。

附图说明

图1为本发明中线圈剖面图;

图2为本发明中使用可变形扁平铜管圆形线圈结构示意图;

图3是本发明使用可变形扁平铜管绕制的8字形线圈示意图;

图4是本发明使用可变形扁平铜管绕制的蝶形线圈示意图;

图5是本发明使用可变形扁平铜管绕制的多边形线圈示意图;

图6是本发明使用可变形扁平铜管绕制的多边形线圈示意图;

图7是本发明使用可变形扁平铜管绕制的椭圆形线圈示意图;

图8是本发明使用可变形扁平铜管绕制的圆锥形线圈示意图;

图9是本发明使用可变形扁平铜管绕制的双锥形线圈示意图;

图1至图9中所示附图标记分别表示为:1-线圈,2-绝缘层,10-可变形扁平管体,11-第一线圈,12-第二线圈。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。

如图1所示,一种经颅磁刺激线圈,包括内部为中空结构的线圈1、包覆在线圈1外壁的绝缘层2以及可拆卸连接在线圈1端部且与线圈1内部连通的冷却介质通入组件。线圈1内部为中空结构,使得冷却介质能沿线圈1内部流通,把线圈1工作时的热量及时带走,防止线圈1过热。该冷却介质通入组件包括软管以及用于冷却介质输入的发生器,该软管的端部与线圈1的端部螺纹连接,从而实现可拆卸性能。该冷却介质包括散热液体或散热气体,该散热液体可以采用硅油、矿物油、水、惰性液体、变压器油、植物油等,散热气体可以采用空气、氮气、氦气、氩气等。

线圈1由可变形扁平管体10绕制成多匝结构,可变形扁平管体10内部均为中空结构,且每匝可变形扁平管体10的外壁之间紧密贴合。可变形扁平管体10采用铜管材质。通过该扁平管体结构,在同等线圈1直径的情况下,每匝扁平铜管之间紧密贴近,提高了线圈1的匝数,同时增大了刺激线圈1的感量,用单层线圈1绕制,就可以达到现有技术双层线圈1的电感量;改善了现有技术刺激线圈1磁场发散的问题,增加了线圈1的聚集性,提升了磁场发射的精度。

线圈1包括第一线圈11以及与第一线圈11连接为一体式结构的第二线圈12,第一线圈11与第二线圈12呈对称设置。第一线圈11与第二线圈12均呈圆环形结构、碟形结构、椭圆形结构、圆锥形结构、双锥形结构或多边形结构。

为了避免扁平管体堵塞,本发明中,第一线圈11与第二线圈12的折弯处通过圆弧过渡。

如图2至图9,本发明还提供了一种经颅磁刺激线圈的制作方法,包括以下步骤:

s1:选择可变形的铜管作为线圈1的制作基材,并对该铜管的环面进行去杂处理;通过去杂处理保证铜管的外壁无杂质尖刺而影响铜管的绕制后的每匝之间的贴合紧密程度,该铜管的内径为0.5mm-20mm,外径为1mm-30mm。

s2:对选择好的铜管进行施压处理,使得铜管压扁形成内部为中空结构的可变形扁平管体10;

s3:对可变形扁平管体10进行绝缘处理;对可变形扁平管体10进行绝缘处理时,通过覆膜机对可变形扁平管体10的外壁进行覆膜处理,使得可变形扁平管体10的外壁包裹绝缘层2,绝缘层2为一层或多层。

s4:将加工好的可变形扁平管体10进行绕制,形成具有多匝结构的刺激线圈1。可变形扁平管体10绕制成圆形、蝶形、8字形、锥型、双锥型或磁休克线圈1,且绕制过程中弯折处进行圆弧过渡处理。

以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。



技术特征:

1.一种经颅磁刺激线圈,其特征在于,包括内部为中空结构的线圈(1)、包覆在所述线圈(1)外壁的绝缘层(2)以及可拆卸连接在所述线圈(1)端部且与所述线圈(1)内部连通的冷却介质通入组件;

所述线圈(1)由可变形扁平管体(10)绕制成多匝结构,所述可变形扁平管体(10)内部均为中空结构,且每匝可变形扁平管体(10)的外壁之间紧密贴合。

2.根据权利要求1所述的经颅磁刺激线圈,其特征在于,所述线圈(1)包括第一线圈(11)以及与所述第一线圈(11)连接为一体式结构的第二线圈(12),所述第一线圈(11)与所述第二线圈(12)呈对称设置。

3.根据权利要求2所述的经颅磁刺激线圈,其特征在于,所述第一线圈(11)与所述第二线圈(12)均呈圆环形结构、碟形结构、椭圆形结构、圆锥形结构、双锥形结构或多边形结构。

4.根据权利要求1至3任一项所述的经颅磁刺激线圈,其特征在于,所述可变形扁平管体(10)采用铜管材质。

5.根据权利要求2所述的经颅磁刺激线圈,其特征在于,所述第一线圈(11)与所述第二线圈(12)的折弯处通过圆弧过渡。

6.一种经颅磁刺激线圈的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

s1:选择可变形的铜管作为线圈(1)的制作基材,并对该铜管的环面进行去杂处理;

s2:对选择好的铜管进行施压处理,使得铜管压扁形成内部为中空结构的可变形扁平管体(10);

s3:对可变形扁平管体(10)进行绝缘处理;

s4:将加工好的可变形扁平管体(10)进行绕制,形成具有多匝结构的刺激线圈(1)。

7.根据权利要求6所述的一种经颅磁刺激线圈的制作方法,其特征在于,s1中铜管的内径为0.5mm-20mm,外径为1mm-30mm。

8.根据权利要求6所述的一种经颅磁刺激线圈的制作方法,其特征在于,s3中对可变形扁平管体(10)进行绝缘处理时,通过覆膜机对可变形扁平管体(10)的外壁进行覆膜处理,使得可变形扁平管体(10)的外壁包裹绝缘层(2)。

9.根据权利要求6所述的一种经颅磁刺激线圈的制作方法,其特征在于,所述可变形扁平管体(10)的外壁包裹的绝缘层(2)为一层或多层。

10.根据权利要求6所述的一种经颅磁刺激线圈的制作方法,其特征在于,s4中将可变形扁平管体(10)绕制成圆形、蝶形、8字形、锥型、双锥型或磁休克线圈(1),且绕制过程中弯折处进行圆弧过渡处理。


技术总结
本发明公开了一种经颅磁刺激线圈及制作方法,包括内部为中空结构的线圈、包覆在所述线圈外壁的绝缘层以及可拆卸连接在线圈端部且与所述线圈内部连通的冷却介质通入组件;线圈由可变形扁平管体绕制成多匝结构,可变形扁平管体内部均为中空结构,且每匝可变形扁平管体的外壁之间紧密贴合;其结构可靠,使用性能好,通过可变形扁平管体的扁平状结构设计,是哦绕制后每匝线圈外壁之间贴合紧密,有效的提高了线圈的匝数,同时增大了刺激线圈的感量,用单层线圈绕制,就可以达到双层线圈的电感量;有效的改善了现有技术刺激线圈磁场发散的问题,增加了线圈的聚集性,提升了磁场发射的精度。

技术研发人员:关灯景
受保护的技术使用者:四川君健万峰医疗器械有限责任公司
技术研发日:2020.12.22
技术公布日:2021.04.30
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