晶体硅太阳能电池片背电场结构的制作方法

本实用新型涉及太阳能光伏领域技术，尤其是指一种晶体硅太阳能电池片背电场结构。

背景技术：

晶体硅太阳能电池片背电场结构制作工艺主要分为制绒、扩散、选择性发射极、钝化、丝网印刷等步骤。丝网印刷工艺主要目的是在硅片正反表面印刷上金属电极。电池片制作完成后，在电池片的正反表面电极处焊接互联条，将各个电池片串并联，然后经层压、装框后完成组件制备。

目前，现有传统的晶硅太阳能电池背面印刷主要采用两种浆料，即背面银浆和铝浆。银浆用于印刷背面银电极(简称背电极)，起到收集电流和方便焊接的作用；铝浆则用于覆盖其他区域(简称“铝背场”或“背铝”)，能够有效降低电池背表面复合速率，形成背表面钝化结构，如附图1、2所示。

但是，现有传统的晶体硅太阳能电池片的背电场（正极）套印有设计缺陷，背电极银线跟背场铝浆有接触不良的现像，造成太阳能电池片分切小片后产生大面积的电流偏低，分切的小片电流不一致，严重的会造成50%以上的电流损失。造成这一现象的主要原因是：电池片的背电极（银线）与铝背场（铝浆）需要套印，套印精度容易出现偏差，背电极（银线）与铝背场（铝浆）达不到良好的接触，造成电流往背电极汇集不通。（2）因为电池片印刷之后要经过烧结工艺，烧结过程中会造成铝背场（铝浆）收缩与背电极（银线）结合不完全，造成电流汇集不通畅。因此，应对现有太阳能电池片进行改进，以解决上述问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，其通过将背电极采用分段露出及埋藏式设计，使背电极局部被铝背场100%覆盖，提高了电池片的电流导通性能；同时减少了银浆的使用量，降低了电池片生产成本，并更加环保。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，其包括有铝浆覆盖形成的铝背场和银浆铺设形成的背电极，该背电极包括有复数个彼此竖向间隔设置的主线段和连接于相邻主线段之间的连接段，该连接段宽度小于主线段宽度，且各连接段分别由铝背场覆盖隐藏，主线段端部及两侧分别与铝背场相连。

作为一种优选方案：所述主线段两侧分别向其外侧延伸设置有引脚，引脚与上述铝背场相连。

作为一种优选方案：所述连接段连接于相邻两主线段中间位置，于连接段两侧分别形成凹位。

作为一种优选方案：所述引脚由铝背场覆盖隐藏。

作为一种优选方案：所述引脚与主线段垂直相连。

作为一种优选方案：所述主线段两侧分别间隔设置有两个引脚。

作为一种优选方案：所述引脚宽度为0.2mm，引脚长度为0.9mm。

作为一种优选方案：所述两个引脚之间距离为0.9mm。

作为一种优选方案：所述连接段长度为1mm，宽度为0.7mm。

作为一种优选方案：所述主线段宽度为2.4mm，长度为1.1mm。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，通过将背电极采用分段露出及埋藏式设计，使背电极局部被铝背场100%覆盖，实现完全导通，解决了传统电池片因印刷偏移或铝背场烧结后收缩引起电池片分切后的电性能问题。同时该背电极相对于传统背电极面积更小，减少了银浆的使用量，降低了电池片的生产成本，同时更加环保。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。

附图说明

图1为传统电池片之背电极结构示意图；

图2为传统电池片背电场结构示意图；

图3为本实用新型之背电极结构示意图；

图4为图3之m处放大示意图；

图5为本实用新型之背电场结构示意图。

附图标识说明：

10、铝背场20、背电极

21、主线段22、连接段

23、凹位24、引脚。

具体实施方式

本实用新型如图3至图5所示，一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，包括有铝背场10和背电极20，其中：

该铝背场10由电池片背面印刷覆盖银浆形成。

该背电极20由电池片背面印刷铺设银浆形成，该背电极20包括有复数个彼此竖向间隔设置的主线段21和连接于相邻主线段21之间的连接段22；并该连接段22宽度小于主线段21宽度，连接段22连接于相邻两主线段21中间位置，于连接段22和相邻的两主线段21之间形成两凹位23，该两凹位23处于连接段22两侧。各连接段22分别由铝背场10100%覆盖隐藏，铝浆覆盖住连接段22的同时使连接段22和铝背场10相连，而两凹位23的设置可以使连接段22与铝背场10的接触面积更大，提高两者的结合稳固性，解决传统电池片背电场因印刷偏移和铝浆收缩引起的电流不导通问题，实现完全导通。同时，主线段21露出于铝背场10外侧，可以方便电池片分切小片后的焊接操作。在连接段22被铝浆覆盖的基础上，主线段21端部及两侧也分别与铝背场10相连，使背电极20与铝背场10全面电性连接。

另外，于主线段21两侧分别向其外侧垂直延伸设置有两引脚24（引脚24数量可以根据需要设定），两引脚24彼此间隔，且两引脚24与上述铝背场10相连。具体是在铝背场10与主线段21两侧相连的基础上设置引脚24，并将引脚24延伸入铝背场10中，且被铝背场10覆盖（铝浆覆盖住引脚24），从而增大背电极20与铝背场10的接触面积，进一步提高两者的结合稳固性。

本实用新型的设计重点在于，

第一、通过由复数个主线段和连接段相连构成背电极，并使连接段宽度小于主线段宽度，铝背场深入接触于连接段两侧凹位，增加了铝背场和背电极的接触面积，提高了两者的导通性。

第二、通过将连接段采用埋藏式设计（连接段埋藏于铝背场下方），使背电极局部被铝背场100%覆盖，提高了背电极和铝背场之间的连接稳固性，使铝背场电流能够大幅度向背电极汇集，由此避免了电池片印刷偏移以及铝背场烧结后收缩对电池片电性能的影响，实现电池片的完全导通。

第三、将背电极采用分段式埋藏设计，相对于传统连续式背电极（一整条），背电极面积更小（背电极具有多个凹位，减少了整条面积），大幅降低了银浆的使用量，节约成本的同时，更加环保。

第四、于主线段两侧分别设置引脚，可加强铝背场与背电极的接触，进一步提高两者的导通性。

第五、将引脚也采用埋藏式设计，使铝背场和背电极的接触稳定性进一步提高。

第六、采用上述方式实现背电极和铝背场的银铝充分接触，使电池片在裁切成小片后，仍然能够保证各小片电流传输的稳定性，有效降低电流的流失，提高电池片分切小片后的良品率，同时减少分切后小片之间的电流误差。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

技术特征：

1.一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：包括有铝浆覆盖形成的铝背场和银浆铺设形成的背电极，该背电极包括有复数个彼此竖向间隔设置的主线段和连接于相邻主线段之间的连接段，该连接段宽度小于主线段宽度，且各连接段分别由铝背场覆盖隐藏，主线段端部及两侧分别与铝背场相连。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述主线段两侧分别向其外侧延伸设置有引脚，引脚与上述铝背场相连。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述连接段连接于相邻两主线段中间位置，于连接段两侧分别形成凹位。

4.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述引脚由铝背场覆盖隐藏。

5.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述引脚与主线段垂直相连。

6.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述主线段两侧分别间隔设置有两个引脚。

7.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述引脚宽度为0.2mm，引脚长度为0.9mm。

8.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述两个引脚之间距离为0.9mm。

9.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述连接段长度为1mm，宽度为0.7mm。

10.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述主线段宽度为2.4mm，长度为1.1mm。

技术总结
本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，其包括有铝浆覆盖形成的铝背场和银浆铺设形成的背电极，该背电极包括有复数个彼此竖向间隔设置的主线段和连接于相邻主线段之间的连接段，该连接段宽度小于主线段宽度，且各连接段分别由铝背场覆盖隐藏，主线段端部及两侧分别与铝背场相连。因此，通过将背电极采用分段露出及埋藏式设计，使背电极局部被铝背场100%覆盖，实现完全导通，解决了传统电池片因印刷偏移或铝背场烧结后收缩引起电池片分切后的电性能问题。同时该背电极相对于传统背电极面积更小，减少了银浆的使用量，降低了电池片的生产成本，同时更加环保。

技术研发人员：王亚平
受保护的技术使用者：深圳市至上光伏科技有限公司
技术研发日：2020.01.09
技术公布日：2020.07.28