一种半导体晶圆镀膜技术的制作方法

本实用新型涉及半导体晶圆技术领域，具体为一种半导体晶圆镀膜技术。

背景技术：

晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片)，由于是晶体材料，其形状为圆形，所以称为晶圆，衬底材料有硅、锗、gaas、inp、gan等，由于硅最为常用，如果没有特别指明晶体材料，通常指硅晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品，晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。

传统的半导体晶圆大多是在其表面镀一层二氧化硅膜，为晶圆提供绝缘性能和导电性能，但晶圆在进行二氧化硅镀膜后其外表面硬度低，并且耐脏污性能差，不能满足需求，为此，我们提供一种半导体晶圆镀膜技术解决上述问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种半导体晶圆镀膜技术，解决了背景技术中提出的问题。

技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种半导体晶圆镀膜技术，包括晶圆本体，所述晶圆本体的顶面由下到上依次设有二氧化硅膜、电阻膜、碳膜、ito镀膜、透光膜、防水膜和抗污膜。

进一步改进为，所述晶圆本体的外表面固定连接有固定框，固定框的材质为陶瓷，通过设置固定框，对晶圆本体进行固定，便于晶圆本体进行封装处理。

进一步改进为，所述透光膜的材质为氧化铟锡，透光膜的厚度为0.007～0.015μm，通过设置氧化铟锡，提升电阻率和透光率。

进一步改进为，所述抗污膜的材质为氟化物，抗污膜的厚度为0.005～0.01μm，通过设置氟化物，提升晶圆本体的抗氧化和抗老化性能。

进一步改进为，所述防水膜的材质为ptfe，防水膜的厚度为0.005～0.009μm，通过设置ptfe，耐久性、防火性与防污性高。

1、该半导体晶圆镀膜技术，通过设置透光膜、防水膜和抗污膜，将透光膜提升晶圆本体的透光率，将防水膜提升晶圆本体的防水性能，将抗污膜提升晶圆本体的抗油污腐蚀污染性能，解决了传统的晶圆在进行二氧化硅镀膜后其外表面硬度低，并且耐脏污性能差，不能满足需求的问题。

2、该半导体晶圆镀膜技术，通过设置固定框，对晶圆本体进行固定，便于晶圆本体进行封装处理，通过设置氧化铟锡，提升电阻率和透光率，通过设置氟化物，提升晶圆本体的抗氧化和抗老化性能，通过设置ptfe，耐久性、防火性与防污性高。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的主视图。

图中标号表示为，1、晶圆本体；2、固定框；3、二氧化硅膜；4、电阻膜；5、碳膜；6、ito镀膜；7、透光膜；8、防水膜；9、抗污膜。

具体实施方式

如图1-2所示，本实用新型实施例提供一种半导体晶圆镀膜技术，包括晶圆本体1，晶圆本体1的外表面固定连接有固定框2，固定框2的材质为陶瓷，通过设置固定框2，对晶圆本体1进行固定，便于晶圆本体1进行封装处理，晶圆本体1的顶面由下到上依次设有二氧化硅膜3、电阻膜4、碳膜5、ito镀膜6、透光膜7、防水膜8和抗污膜9，透光膜7的材质为氧化铟锡，透光膜7的厚度为0.007～0.015μm，通过设置氧化铟锡，提升电阻率和透光率，抗污膜9的材质为氟化物，抗污膜9的厚度为0.005～0.01μm，通过设置氟化物，提升晶圆本体1的抗氧化和抗老化性能，防水膜8的材质为ptfe，防水膜8的厚度为0.005～0.009μm，通过设置ptfe，耐久性、防火性与防污性高。

本实用新型工作原理如下：

通过设置氧化铟锡，提升电阻率和透光率，从而经透光膜7提升晶圆本体1的透光率，通过设置氟化物，提升晶圆本体1的抗氧化和抗老化性能，从而经防水膜8提升晶圆本体1的防水性能，通过设置ptfe，耐久性、防火性与防污性高，从而将抗污膜9提升晶圆本体1的抗油污腐蚀污染性能，解决了传统的晶圆在进行二氧化硅镀膜后其外表面硬度低，并且耐脏污性能差，不能满足需求的问题。

技术特征：

1.一种半导体晶圆镀膜技术，包括晶圆本体(1)，其特征在于：所述晶圆本体(1)的顶面由下到上依次设有二氧化硅膜(3)、电阻膜(4)、碳膜(5)、ito镀膜(6)、透光膜(7)、防水膜(8)和抗污膜(9)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆镀膜技术，其特征在于：所述晶圆本体(1)的外表面固定连接有固定框(2)，固定框(2)的材质为陶瓷。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆镀膜技术，其特征在于：所述透光膜(7)的材质为氧化铟锡，透光膜(7)的厚度为0.007～0.015μm。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆镀膜技术，其特征在于：所述抗污膜(9)的材质为氟化物，抗污膜(9)的厚度为0.005～0.01μm。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆镀膜技术，其特征在于：所述防水膜(8)的材质为ptfe，防水膜(8)的厚度为0.005～0.009μm。

技术总结
本实用新型提供一种半导体晶圆镀膜技术，涉及半导体晶圆技术领域。该半导体晶圆镀膜技术，包括晶圆本体，所述晶圆本体的顶面由下到上依次设有二氧化硅膜、电阻膜、碳膜、ITO镀膜、透光膜、防水膜和抗污膜。该半导体晶圆镀膜技术，通过设置透光膜、防水膜和抗污膜，将透光膜提升晶圆本体的透光率，将防水膜提升晶圆本体的防水性能，将抗污膜提升晶圆本体的抗油污腐蚀污染性能，解决了传统的晶圆在进行二氧化硅镀膜后其外表面硬度低，并且耐脏污性能差，不能满足需求的问题，通过设置固定框，对晶圆本体进行固定，便于晶圆本体进行封装处理，通过设置氧化铟锡，提升电阻率和透光率，通过设置氟化物，提升晶圆本体的抗氧化和抗老化性能。

技术研发人员：张磊;张松;郭锐
受保护的技术使用者：河南省三石精密光学有限公司
技术研发日：2020.05.14
技术公布日：2020.10.16