本实用新型涉及led封装技术领域,具体的,是涉及一种扩晶环结构。
背景技术:
众所周知,led芯片来料时,一般都是阵列排布在蓝膜上,在进行固晶操作前都需要先进行扩晶处理,即将承载晶元的蓝膜通过圆形扩晶环结构的子环和母环压合起来;扩晶也称为绷片,是利用白膜或蓝膜在扩晶时产生的张力带动间隙较小的芯片运动,将原本紧密排列在一起的芯片分开,使得芯片和芯片之间的距离变大,更加适用于刺晶操作。
扩晶环结构(也叫扩张环)作为晶元载体,普遍用于承接晶元并使其在载片台上进行电学性能的测试。现有技术中的扩晶环结构一般由内径不同的两个正圆形塑料环组成,在两个环之间需要进行贴一层蓝膜或者白膜,然而在贴完之后两个环之间会出现贴膜的飞边,需要进行二次处理,且处理时并能不有效地完整去除飞边,处理时比较麻烦。
技术实现要素:
本实用新型的主要目的在于提供了一种扩晶环结构,其可克服上述问题,能够避免在刀具切割蓝膜时需要进行二次处理。
为实现上述目的,本实用新型所采取的技术方案是:一种扩晶环结构,其包括有母环、子环和蓝膜;所述的母环套设在所述的子环外;所述的蓝膜覆盖于所述的子环,且所述的蓝膜固定于所述的母环与所述的子环中的间隙;所述的母环下表面设有便于裁剪所述的蓝膜的切割槽。
在上述技术方案中,所述的切割槽为直槽。
在上述技术方案中,所述的母环内壁设有凸起,所述的子环外壁设有凹槽,所述的凸起与所述的凹槽配合扣紧。
在上述技术方案中,所述的凸起的横截面为圆弧状。
在上述技术方案中,所述的凹槽的横截面为圆弧状。
在上述技术方案中,所述的母环与所述的凸起一体成型。
在上述技术方案中,所述的子环与所述的凹槽一体成型。
在上述技术方案中,所述的母环上设有辨别方向的第一注胶口,所述的子环上设有辨别方向的第二注胶口。
在上述技术方案中,所述的切割槽的深度为d为1-3mm。
采用上述技术方案后,母环设有便于裁剪蓝膜的切割槽,这样的结构可以避空刀具,提供足够的空间让刀具切割蓝膜,一来可以保护母环不受损害,二来可以保护刀具不受损害,切割槽还可以让刀具一刀切除多余的蓝膜而不留飞边,这样就可以一次操作就把蓝膜处理好,不需要对扩晶环结构上的蓝膜进行二次加工,大幅度提高了扩晶环结构的生产效率。
附图说明
图1是本实用新型的平面示意图一;
图2是本实用新型的平面示意图二;
图3是本实用新型的立体结构示意图二;
图4是本实用新型的部分零件平面示意图一;
图5是本实用新型的部分零件平面示意图二;
图6是本实用新型的部分零件平面示意图三;
图7是本实用新型的部分零件平面示意图四;
图8是本实用新型的立体分解结构示意图一;
图9是本实用新型的立体分解结构示意图二;
图10是本实用新型的部分零件剖解示意图一;
图11是本实用新型的部分零件剖解示意图二;
图12是本实用新型的部分零件剖解示意图三;
图13是本实用新型的a处放大示意图;
图14是本实用新型的b处放大示意图;
图15是本实用新型的c处放大示意图;
图16是本实用新型的部分零件剖解示意图四。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
参考图1、2所示,本实用新型公开了一种扩晶环结构,其包括有母环1、子环2和蓝膜3,其中:
参考图1-16所示,母环1设有便于裁剪蓝膜3的切割槽11,母环1内壁设有凸起12,凸起12的横截面为圆弧状,母环1和切割槽11与凸起12一体成型。切割槽11为直槽,切割槽11的深度d为1-3mm,深度d优选为1.4mm,采用这样的结构可以避空刀具,提供足够的空间让刀具切割蓝膜3,防止刀具切割时撞击母环1造成刀具崩坏。母环1上设有辨别方向的第一注胶口13,可以防止操作人员放错造成不必要的损失。
参考图1-16所示,所示,子环2外壁设有凹槽21,子环2与凹槽21一体成型,凹槽21的横截面为圆弧状,子环2的凹槽21为圆弧状,和母环1的凸起12的圆弧状一凸一凹相匹配,以便与子环2更容易更顺畅地套设在母环1内,凸起12与凹槽21配合扣紧,采用这样的结构,在子环2套设在母环1之后不易松脱。子环2上设有辨别方向的第二注胶口22,可以防止操作人员放错造成不必要的损失。
参考图1-16所示,蓝膜3覆盖于子环2,且蓝膜3固定于母环1与子环2中的间隙。蓝膜3用于承载led晶元。
参考图1-16所示,装配使用时,蓝膜3先覆盖在子环2上,再包裹子环2的侧边上,母环1接着套设盖在子环2外边,此时蓝膜3固定在母环1和子环2之间,刀具可以切割槽11上进行活动,刀具接触蓝膜3并把需切割去掉部分的蓝膜3带到切割槽11中,形成一个撕扯切割的力,并通过子环2和母环1之间夹持蓝膜3的夹持力,使得多余的蓝膜3在母环1和子环2之间的间隙中切除掉。切割槽11可以使得刀具切割时不碰撞到母环1,一来可以保护母环1不受损害,二来可以保护刀具不受损害,切割槽11还可以让刀具一刀切除多余的蓝膜3而不留飞边。这样就可以一次操作就把蓝膜3处理好,不需要对扩晶环结构上的蓝膜3进行二次加工,大幅度提高了扩晶环结构的生产效率。
以上的实施例只是在于说明而不是限制本实用新型,故凡依本实用新型专利申请范围所述的方法所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。
1.一种扩晶环结构,其包括有母环(1)、子环(2)和蓝膜(3);所述的母环(1)套设在所述的子环(2)外;所述的蓝膜(3)覆盖于所述的子环(2),且所述的蓝膜(3)固定于所述的母环(1)与所述的子环(2)中的间隙;其特征在于,所述的母环(1)下表面设有便于裁剪所述的蓝膜(3)的切割槽(11)。
2.根据权利要求1所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的切割槽(11)为直槽。
3.根据权利要求1或2所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的母环(1)内壁设有凸起(12),所述的子环(2)外壁设有凹槽(21),所述的凸起(12)与所述的凹槽(21)配合扣紧。
4.根据权利要求3所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的凸起(12)的横截面为圆弧状。
5.根据权利要求4所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的凹槽(21)的横截面为圆弧状。
6.根据权利要求3所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的母环(1)与所述的凸起(12)一体成型。
7.根据权利要求3所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的子环(2)与所述的凹槽(21)一体成型。
8.根据权利要求7所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的母环(1)上设有辨别方向的第一注胶口(13),所述的子环(2)上设有辨别方向的第二注胶口(22)。
9.根据权利要求8所述的一种扩晶环结构,其特征在于,所述的切割槽(11)的深度d为1-3mm。