通信用集总参数环行器中心导带模块的制作方法

文档序号:23606465发布日期:2021-01-12 07:43阅读:106来源:国知局
通信用集总参数环行器中心导带模块的制作方法

本实用新型涉及微波元器件技术领域,尤其涉及一种通信用集总参数环行器中心导带模块。



背景技术:

环形器,作为一种微波铁氧体元器件,因为其单向导通高频信号的特性,可以大幅屏蔽无用、有害信号,保护电路免受杂波干扰,是维持系统稳定性必不可少的组成部分。集总参数环形器/隔离器是实现器件小型化的重要器件,其中,中心导带模块为环形器及隔离器的核心部件,其结构如图1和图2所示,主要由中心导体1、铁氧体2及单面胶层绝缘膜3组成,其中使用中心导体1的中心结5包裹铁氧体2编制,三条电感线4由三张单面胶层绝缘膜3隔离完成,编制的过程是环形器制作中重要的一环,其中的重要技术是三条电感线4间的紧密贴合及相互绝缘,现有技术一直采用单面胶层绝缘膜3的形式粘接,但传统的粘接结构存在以下缺陷:

1、单面胶层绝缘膜3的贴合力不够,电感线4间的紧密贴合度不足,导致中心导体引脚容易起翘;

2、中心导体起翘,其引脚不在一个平面,这便加大了下一个工序的装配难度,拖慢了产线的进度;

3、整体的电性能变差,降低了产品的合格率;

4、不合格物料无法重复使用,报废物料增加,造成了严重的物料浪费,从而提高了制作成本;

5、高温中,胶带容易出现脱落和移位现象,使得器件性能不稳定。



技术实现要素:

本实用新型的目的就在于提供一种通信用集总参数环行器中心导带模块,以解决上述问题。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是这样的:一种通信用集总参数环行器中心导带模块,包括带有中心结的中心导体、铁氧体和三条电感线,其中,所述中心导体的中心结包裹铁氧体,三条所述电感线从下至上通过绝缘膜隔离,其中,最下层和第二层的电感线采用双面胶层绝缘膜,最上层的电感线采用单面胶层绝缘膜。

本实用新型由传统的三张单面胶层绝缘膜粘接,改进为编制的第一、二层使用双面胶层绝缘膜粘接,最上面一层使用单面胶层绝缘膜粘接,这就将传统模式的胶面与光滑薄膜面粘接形式,改进为胶面(胶层)与胶面(胶层)的粘接,实现了胶层与胶层间的融合,便使胶层间的间隙更小,贴合得更密切。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:

1、电感线之间的粘接力显著提升,中心导体引脚不易起翘,整体的紧密度显著提高;

2、中心导体引脚在同一个平面,降低了下一个工序的装配难度,产线进度得到提高;

3、电性能变好,合格率得到了大幅度提升,传统粘接形式合格率为60%,使用新型粘接形式,合格率提升为90%;

4、提高了物料的使用率,降低了制作成本;

5、胶层间的融合度更好,降低了高温下出现胶带脱落、移位的现象,器件性能更稳定。

附图说明

图1为本实用新型现有技术的中心导带模块示意图;

图2为本实用新型现有技术的电感线示意图;

图3为本实用新型实施例的结构示意图。

图中:1、中心导体;2、铁氧体;3、单面胶层绝缘膜;4、电感线;5、中心结;6、双面胶层绝缘膜。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。

实施例:一种通信用集总参数环行器中心导带模块,如图3所示,包括带有中心结5的中心导体1、铁氧体2和三条电感线4,其中,所述中心导体1的中心结5包裹铁氧体2,三条所述电感线4从下至上通过绝缘膜隔离,其中,最下层和第二层的电感线4采用双面胶层绝缘膜6,最上层的电感线4采用单面胶层绝缘膜3。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。



技术特征:

1.一种通信用集总参数环行器中心导带模块,其特征在于:包括带有中心结(5)的中心导体(1)、铁氧体(2)和三条电感线(4),其中,所述中心导体(1)的中心结(5)包裹铁氧体(2),三条所述电感线(4)从下至上通过绝缘膜隔离,其中,最下层和第二层的电感线(4)采用双面胶层绝缘膜,最上层的电感线(4)采用单面胶层绝缘膜。


技术总结
本实用新型公开了一种通信用集总参数环行器中心导带模块,属于微波元器件技术领域,包括中心导体(1)、铁氧体(2)和三条电感线(4),三条所述电感线(4)从下至上通过绝缘膜隔离,其中,最下层和第二层的电感线(4)采用双面胶层绝缘膜,最上层的电感线(4)采用单面胶层绝缘膜;采用本实用新型的结构,电感线之间的粘接力显著提升,中心导体引脚不易起翘,整体的紧密度显著提高;由于中心导体引脚在同一个平面,降低了下一个工序的装配难度,产线进度得到提高;电性能得到改善,合格率得到了大幅度提升;提高了物料的使用率,降低了制作成本;降低了高温下出现胶带脱落、移位的现象,使得器件性能更稳定。

技术研发人员:赵春美;周永川;丁敬垒;闫欢;胡艺缤;尹久红;杨勤
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第九研究所
技术研发日:2020.07.29
技术公布日:2021.01.12
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