一种高光效深紫外LED封装结构的制作方法

一种高光效深紫外led封装结构
技术领域
1.本发明属于半导体制造技术相关领域，更具体地，涉及一种深紫外led封装。


背景技术：

2.相对于传统汞灯、荧光灯等紫外光源，紫外led具有节能环保、寿命长、体积小、波长可控等优势，其中深紫外led(波长小于300nm)可用于杀菌消毒、水净化、生化检测等领域。目前，传统白光led大都采用有机材料(环氧树脂、硅胶等)作为出光材料，以保护led芯片和光提取。但是，有机出光材料长期在紫外光和热辐射环境下会出现老化和黄化等严重问题，降低了有机材料透过率，并不适合高可靠的深紫外led封装。
3.针对上述可靠性问题，研究者开始采用玻璃材料作为深紫外led出光材料，利用平面玻璃盖板与三维散热基板来封装深紫外led，尽可能的避免有机材料使用。但是，这种封装结构仍需要考虑深紫外led芯片侧壁出光的提取以及封装基板对光的吸收问题。相应地，有必要改进现有深紫外led封装结构。


技术实现要素：

4.针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本实用新型提供了一种高光效深紫外led封装结构，通过三维封装基板腔体内壁和底部的高反射铝层，有效避免了封装体对深紫外光的吸收，提高了深紫外led出光效率。
5.相应地，为达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
6.一种高光效深紫外led封装结构，包括石英玻璃盖板、三维封装基板、粘接层、深紫外led芯片；所述三维封装基板腔体内壁和底部镀有高反射铝层，用于深紫外光的反射和提取；所述粘接层设置于所述三维封装基板腔体上端，用于与所述石英玻璃盖板间的可靠粘接；所述深紫外led芯片贴装于所述三维封装基板腔体内的线路层上，通过导电通孔实现与外部电连接。
7.进一步的，所述高反射铝层为镜面反射或漫反射，厚度为20
‑
500nm，采用溅射或蒸镀方式制作于所述三维封装基板腔体内壁以及除芯片位置的底部区域。
8.进一步的，所述三维封装基板为高导热氮化铝陶瓷基板，腔体倾角为90度、120度或150度。
9.进一步的，所述粘接层为有机材料、金属焊料或低温玻璃胶，且厚底为20
‑
100μm。
10.进一步的，所述深紫外led芯片为倒装芯片，通过共晶工艺完成芯片贴装。
11.总体而言，通过本实用新型所构思的以上技术方案与现有技术相比，通过三维封装基板腔体内壁和底部的高反射铝层，可有效避免封装体对深紫外光的吸收，使得更多的深紫外光得以出射出去，从而提高深紫外led出光效率。
附图说明
12.图1是本实用新型提供的一种高光效深紫外led封装结构的示意图。
具体实施方式
13.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
14.实施例1
15.请参阅图1，该实施例1提供了一种高光效深紫外led封装结构，包括石英玻璃盖板11、三维封装基板13、粘接层12、深紫外led芯片16；所述三维封装基板13腔体内壁以及除芯片位置的底部区域通过溅射镀有高反射铝层14，厚度为50nm，利用所述高反射铝层14的镜面反射作用提高深紫外光的出射；所述三维封装基板13为高导热氮化铝陶瓷基板，腔体倾角为120度；所述粘接层12设置于所述三维封装基板13腔体上端，材质为金属焊料，厚度为30μm，用于与所述石英玻璃盖板11间的金属焊接，其中所述三维封装基板13腔体上端和所述石英玻璃盖板11上相应位置均有金属层；所述深紫外led芯片16贴装于所述三维封装基板13腔体内的线路层17上，并通过导电通孔15实现与外部电连接。该封装结构利用大面积高反射铝层有效提高了光提取，从而获得了高光效深紫外led。
16.本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种高光效深紫外led封装结构，其特征在于，包括石英玻璃盖板、三维封装基板、粘接层、深紫外led芯片；所述三维封装基板腔体内壁和底部镀有高反射铝层，用于深紫外光的反射和提取；所述粘接层设置于所述三维封装基板腔体上端，用于与所述石英玻璃盖板间的可靠粘接；所述深紫外led芯片贴装于所述三维封装基板腔体内的线路层上，通过导电通孔实现与外部电连接。2.根据权利要求1所述的一种高光效深紫外led封装结构，其特征在于，所述高反射铝层为镜面反射或漫反射，厚度为20
‑
500nm，采用溅射或蒸镀方式制作于所述三维封装基板腔体内壁以及除芯片位置的底部区域。3.根据权利要求1所述的一种高光效深紫外led封装结构，其特征在于，所述三维封装基板为高导热氮化铝陶瓷基板，腔体倾角为90度、120度或150度。4.根据权利要求1所述的一种高光效深紫外led封装结构，其特征在于，所述粘接层为有机材料、金属焊料或低温玻璃胶，且厚度为20
‑
100μm。5.根据权利要求1所述的一种高光效深紫外led封装结构，其特征在于，所述深紫外led芯片为倒装芯片，通过共晶工艺完成芯片贴装。

技术总结
本实用新型公开了一种高光效深紫外LED封装结构。封装结构包括石英玻璃盖板、三维封装基板、粘接层、深紫外LED芯片；所述三维封装基板腔体内壁和底部镀有高反射铝层，用于深紫外光的反射和提取；所述粘接层设置于所述三维封装基板腔体上端，用于与所述石英玻璃盖板间的可靠粘接；所述深紫外LED芯片贴装于所述三维封装基板腔体内的线路层上，通过导电通孔实现与外部电连接。通过本实用新型中的大面积高反射铝层，有效避免深紫外光被封装体吸收，使得更多的光从封装体中出射出去，从而提高深紫外LED出光效率。LED出光效率。LED出光效率。


技术研发人员：彭洋 柳星星 王志涛
受保护的技术使用者：武汉高星紫外光电科技有限公司
技术研发日：2020.11.12
技术公布日：2021/10/15