一种ESOP8芯片双基岛结构的制作方法

本实用新型涉及芯片技术领域，具体为一种esop8芯片双基岛结构。

背景技术：

将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路。另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路就是芯片。

目前，现有的esop8芯片在工作时两个基岛之间会相互传递电流，从而导致芯片的温度上升过快，现发明一种esop8芯片双基岛结构，能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流，从而加快芯片的散热速度。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型提供一种esop8芯片双基岛结构，具备能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流，从而加快芯片的散热速度等优点，解决了现有的esop8芯片在工作时两个基岛之间会相互传递电流，从而导致芯片的温度上升过快的问题。

本实用新型的一种esop8芯片双基岛结构，包括塑封体，塑封体正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛，塑封体正面的右侧开设有定位孔，塑封体正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚。

本实用新型的一种esop8芯片双基岛结构，其中塑封体背部中央的左右两侧均固定连接有散热块，散热块的背部沿水平纵向等距离开设有散热口。该设计有益于能加快散热块的散热速度。

本实用新型的一种esop8芯片双基岛结构，其中基岛的底部且与塑封体连接处的顶部固定连接套接有绝缘层，塑封体正面顶部的中央且位于两个基岛之间的位置处固定连接有绝缘板，该设计有益于能有效防止两个基岛之间会相互传递电流。

本实用新型的一种esop8芯片双基岛结构，其中引脚侧面的形状为侧面的形状为向下弯曲的曲线，引脚的内腔中设有接引线，该设计有益于方便工作人员将塑封体固定在机器内。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

本实用新型通过定位孔的结构设计，能够使该塑封体具有快速进行定位安装的能力，再通过基岛与绝缘层以及塑封体中央设计的绝缘板的结构设计，能够隔绝两个基岛之间会相互传递电流的情况，再通过散热片与塑封体之间的结构设计，能够使散热片可以之间对塑封体进行散热，从而使该esop8芯片双基岛结构达到了能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流，从而加快芯片的散热速度的目的。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对

本技术：
的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型正面整体结构示意图；

图2为本实用新型侧面整体结构示意图；

图3为本实用新型侧面俯视面结构示意图；

图4为本实用新型塑封体背部结构示意图。

图中：1、塑封体；2、引脚；3、基岛；4、定位孔；5、绝缘层；6、散热块。

具体实施方式

以下将以图式揭露本实用新型的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示之。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本实用新型，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

请参阅图1-4，本实用新型的一种esop8芯片双基岛结构，包括塑封体1，塑封体1正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛3，塑封体1正面的右侧开设有定位孔4，塑封体1正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚2。

塑封体1背部中央的左右两侧均固定连接有散热块6，散热块6的背部沿水平纵向等距离开设有散热口，该设计有益于能加快散热块6的散热速度。

基岛3的底部且与塑封体1连接处的顶部固定连接套接有绝缘层5，塑封体1正面顶部的中央且位于两个基岛3之间的位置处固定连接有绝缘板，该设计有益于能有效防止两个基岛3之间会相互传递电流。

引脚2侧面的形状为侧面的形状为向下弯曲的曲线，引脚2的内腔中设有接引线，该设计有益于方便工作人员将塑封体1固定在机器内。

在使用本实用新型时：当塑封体1上开始通电时，两个基岛3底部的绝缘层5和塑封体1内腔中央的绝缘板的结构设计，能够阻止两个基岛3之间相互传递热量，再通过散热块6和塑封体1的结构设计，能够对塑封体1进行快速散热，从而使该esop8芯片双基岛结构达到了能隔绝两个双基岛3之间相互传递的电流，从而加快芯片的散热速度的目的。

以上所述仅为本实用新型的实施方式而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理的内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本实用新型的权利要求范围之内。

技术特征：

1.一种esop8芯片双基岛结构，包括塑封体(1)，其特征在于：所述塑封体(1)正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛(3)，所述塑封体(1)正面的右侧开设有定位孔(4)，所述塑封体(1)正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚(2)。

2.根据权利要求1所述的一种esop8芯片双基岛结构，其特征在于：所述塑封体(1)背部中央的左右两侧均固定连接有散热块(6)，所述散热块(6)的背部沿水平纵向等距离开设有散热口。

3.根据权利要求1所述的一种esop8芯片双基岛结构，其特征在于：所述基岛(3)的底部且与塑封体(1)连接处的顶部固定连接套接有绝缘层(5)，所述塑封体(1)正面顶部的中央且位于两个基岛(3)之间的位置处固定连接有绝缘板。

4.根据权利要求1所述的一种esop8芯片双基岛结构，其特征在于：所述引脚(2)侧面的形状为侧面的形状为向下弯曲的曲线，所述引脚(2)的内腔中设有接引线。

技术总结
本实用新型涉及芯片技术领域，具体揭示了一种ESOP8芯片双基岛结构，包括塑封体，塑封体正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛，塑封体正面的右侧开设有定位孔，塑封体正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚。本实用新型通过定位孔的结构设计，能够使该塑封体具有快速散热的能力，再通过基岛与绝缘层以及塑封体中央设计的绝缘板的结构设计，能够隔绝两个基岛之间会相互传递电流的情况，再通过散热片与塑封体之间的结构设计，能够使散热片可以之间对塑封体进行散热，从而使该ESOP8芯片双基岛结构达到了能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流，从而加快芯片的散热速度的目的。

技术研发人员：韩开宇
受保护的技术使用者：中山市东翔微电子有限公司
技术研发日：2020.11.17
技术公布日：2021.05.04