一种电光Q开关的制作方法

本实用新型涉及脉冲激光调q器件，具体涉及一种电光q开关。

背景技术：

电光调q技术是利用在晶体上施加电压改变晶体的折射率，从而达到改变光的偏振态，与偏振片一起使用可实现光开关的作用。利用电光调q技术的脉冲激光，脉宽窄，峰值功率高。现有技术中，电光q开关内晶体与导电体之间采用硬接触，导致电光q开关达不到高功率，且在高重复频率下使用时，晶体易于发热，温度上升，造成峰值功率降低，光束质量变差，半波电压变化，过大的温度上升甚至会对晶体造成破坏。

技术实现要素：

本实用新型为克服现有技术的不足，而提供的一种导电更好的电光q开关。

为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种电光q开关，包括中空的圆柱体及设在所述圆柱体两端的固定帽，在所述圆柱体内设有一块半圆柱，在所述半圆柱上设有一个贯穿的第一方形槽，在所述第一方形槽的边缘设有第二方形槽，两块金属导电块分别固定在所述第一方形槽的两侧并置于所述第二方形槽的正上方，在所述圆柱体上设有两个孔，电极通过所述孔连接在所述金属导电块上，在所述第一方形槽内安装有方形lgs晶体块，导电橡胶块镶嵌在所述第二方形槽内并与所述金属导电块和方形lgs晶体块接触。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型一种电光q开关，采用绝缘体的半圆柱并在所述半圆柱内开槽，将方形lgs晶体块镶嵌到第一方形槽，采用金属导电块压合在导电橡胶上，而导电橡胶又和方形lgs晶体块面接触，采用软接触能有效提高导电率，设计贯穿的第一方形槽易于对导电体的散热，能延长电光q开关的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型立体结构示意图；

图2为本实用新型隐藏圆柱体后的立体结构示意图；

图3为本实用新型半圆柱立体结构示意图；

图4为本实用新型主视结构示意图；

图5为本实用新型侧视结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步详细的说明：参见图1-5，为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种电光q开关，包括中空的圆柱体1及设在所述圆柱体两端的固定帽2，在所述圆柱体1内设有一块半圆柱3，在所述半圆柱3上设有一个贯穿的第一方形槽4，在所述第一方形槽4的边缘设有第二方形槽5，两块金属导电块6分别固定在所述第一方形槽4的两侧并置于所述第二方形槽5的正上方，在所述圆柱体4上设有两个孔7，电极通过所述孔7连接在所述金属导电块6上，在所述第一方形槽4内安装有方形lgs晶体块，导电橡胶块镶嵌在所述第二方形槽5内并与所述金属导电块和方形lgs晶体块面接触。

本实用新型一种电光q开关，采用绝缘材质制成的半圆柱2并在所述半圆柱2上设置第一方形槽4和第二方形槽5，所述第一方形槽4用于放置方形lgs晶体块，所述第二方形槽5内用于放置导电橡胶块，本实用新型采用软质的导电橡胶块能有效的实现与设在上方的金属导电块和设在侧面的方形lgs晶体块的精密接触，这种接触是面接触，能有效提高导电率，而将方形lgs晶体块安装在贯穿的第一方形槽内能够易于对导电体的散热，能延长电光q开关的使用寿命。

以上所述，仅是对本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型做其他形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是，凡是未脱离本实用新型方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型的保护范围。

技术特征：

1.一种电光q开关，包括中空的圆柱体及设在所述圆柱体两端的固定帽，其特征在于：在所述圆柱体内设有一块半圆柱，在所述半圆柱上设有一个贯穿的第一方形槽，在所述第一方形槽的边缘设有第二方形槽，两块金属导电块分别固定在所述第一方形槽的两侧并置于所述第二方形槽的正上方，在所述圆柱体上设有两个孔，电极通过所述孔连接在所述金属导电块上，在所述第一方形槽内安装有方形lgs晶体块，导电橡胶块镶嵌在所述第二方形槽内并与所述金属导电块和方形lgs晶体块面接触。

技术总结
本实用新型涉及脉冲激光调Q器件，具体涉及一种电光Q开关，包括中空的圆柱体及固定帽，在圆柱体内设有一块半圆柱，在半圆柱上设有第一方形槽，在第一方形槽的边缘设有第二方形槽，两块金属导电块分别固定在第一方形槽的两侧，在圆柱体上设有两个孔，电极通过孔连接在金属导电块上，在第一方形槽内安装有方形LGS晶体块，导电橡胶块镶嵌在第二方形槽内并与金属导电块和方形LGS晶体块接触。本实用新型采用绝缘体的半圆柱并在半圆柱内开槽，将方形LGS晶体块镶嵌到第一方形槽，采用金属导电块压合在导电橡胶上，而导电橡胶又和方形LGS晶体块面接触，采用软接触能有效提高导电率，设计贯穿的第一方形槽易于对导电体的散热，能延长电光Q开关的使用寿命。

技术研发人员：罗毅;龚瑞
受保护的技术使用者：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
技术研发日：2020.11.24
技术公布日：2021.07.27