二维材料垂直生长的硅片反应转移装置的制作方法

本实用新型属于二维材料生长装置技术领域，具体地说是一种二维材料垂直生长的硅片反应转移装置。

背景技术：

常规的二维材料设备硅片是放在石英舟内：不便于更换转移，在抽真空和喷淋时会出现硅片掉落的现象。

技术实现要素：

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种便于更换硅片并能防止硅片掉落的二维材料垂直生长的硅片反应转移装置。

按照本实用新型提供的技术方案，所述二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，包括硅片座与压盖；在所述硅片座的侧面开设有夹持凹槽，在硅片座的上端面设有呈多边形形状的硅片放置凹腔；所述压盖套在硅片座的上端，在对应硅片放置凹腔位置的压盖上开设有压盖孔，所述硅片放置凹腔的边角位于压盖孔之外。

作为优选，所述硅片放置凹腔呈长方形形状或者正方形形状。

作为优选，所述硅片放置凹腔的深度为0.8~2mm。

本实用新型结构简单、操作方便，偏于更换转移硅片，在抽真空和喷淋时，由于压盖压住硅片，硅片不会脱落。

附图说明

图1是本实用新型的主视图。

图2是本实用新型的俯视图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。

一种用于二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，包括硅片座1与压盖2；在所述硅片座1的侧面开设有夹持凹槽11，在硅片座1的上端面设有呈多边形形状的硅片放置凹腔12；所述压盖2套在硅片座1的上端，在对应硅片放置凹腔12位置的压盖2上开设有压盖孔21，所述硅片放置凹腔12的边角位于压盖孔21之外。

所述硅片放置凹腔12呈长方形形状或者正方形形状。

所述硅片放置凹腔12的深度为0.8~2mm。

本实用新型在使用时，用镊子将硅片3放入硅片座1的硅片放置凹腔12中心，压上压盖2，用夹子夹持在夹持凹槽11位置，将其放入真空腔体内的送样推杆4中，由送样推杆4送入加热炉中。由于硅片放置凹腔12的边角位于压盖孔21之外，在硅片放置凹腔12放入硅片3再压上压盖2后，压盖2就能压住芯片3的边角，防止硅片3在转移时移动。通过压盖孔21能观察在转移时硅片3的情况。本实用新型结构简单、操作方便，偏于更换转移硅片3，在抽真空和喷淋时，由于压盖2压住硅片3，硅片3不会脱落。

技术特征：

1.一种二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，包括硅片座（1）与压盖（2）；其特征是：在所述硅片座（1）的侧面开设有夹持凹槽（11），在硅片座（1）的上端面设有呈多边形形状的硅片放置凹腔（12）；所述压盖（2）套在硅片座（1）的上端，在对应硅片放置凹腔（12）位置的压盖（2）上开设有压盖孔（21），所述硅片放置凹腔（12）的边角位于压盖孔（21）之外。

2.根据权利要求1所述的二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，其特征是：所述硅片放置凹腔（12）呈长方形形状或者正方形形状。

3.根据权利要求1或2所述的二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，其特征是：所述硅片放置凹腔（12）的深度为0.8~2mm。

技术总结
本实用新型涉及一种二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，包括硅片座与压盖；在所述硅片座的侧面开设有夹持凹槽，在硅片座的上端面设有呈多边形形状的硅片放置凹腔；所述压盖套在硅片座的上端，在对应硅片放置凹腔位置的压盖上开设有压盖孔，所述硅片放置凹腔的边角位于压盖孔之外。本实用新型结构简单、操作方便，偏于更换转移硅片，在抽真空和喷淋时，由于压盖压住硅片，硅片不会脱落。

技术研发人员：于葛亮;康斯坦丁·诺沃舍洛夫;杨金东;孙正乾;唐阳;王杨华
受保护的技术使用者：无锡费曼科技有限公司;无锡墨诺半导体科技有限公司
技术研发日：2020.11.27
技术公布日：2021.07.20