小信号晶体管的制作方法

1.本实用新型涉及半导体功率器件，特别涉及一种小信号晶体管。


背景技术：

2.晶体管按功率分类大体可分为功率晶体管和小信号晶体管，随着封测技术的不断进步，小信号功率管产品逐代更迭，对产品的要求也越来越高，整机产品对元器件体积苛刻的限制、对芯片供电ma级别的电流需求均对小信号功率管提出了更高的要求。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种小信号晶体管。
4.为实现上述技术目的，本实用新型采用如下技术方案：
5.一种小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管有源区一角为圆角矩形的发射区主结构，发射区主结构靠近晶体管有源区中心一角对应的两边分别水平或竖直的向外延伸形成发射区延伸结构，发射区延伸结构有多个圆角方形通孔，通孔内和基区连通处沉积接触电阻。
6.作为本实用新型的进一步改进，所述集电区上边缘设有保护环结构，所述保护环结构和发射区掺杂浓度相同。
7.作为本实用新型的进一步改进，所述保护环、集电区的外环、发射区的外环、基区的外环上沉积钝化层。
8.作为本实用新型的进一步改进，所述钝化层、集电区上沉积碳纳米层。
9.作为本实用新型的进一步改进，基区金属条在圆角方形通孔连线上排布，发射区金属条在圆角方形通孔之间的通路上排布，基区金属条、发射区金属条与基区、发射区接触处分别沉积接触电阻。
10.作为本实用新型的进一步改进，基区金属条、发射区金属条间通过绝缘槽分隔。
11.作为本实用新型的进一步改进，所述发射区的总面积不超过基区面积的3/4。
12.作为本实用新型的进一步改进，所述发射区主结构外设有保护膜。
13.本实用新型的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，进一步缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型的小信号晶体管可用于开关模式电源、射频功率放大器、充电器等。
附图说明
14.图1为晶体管平面结构示意图。
15.图2为图1a处断面图。
16.图3为基区掩膜结构图。
17.图4为同沉积浓度的保护环和发射区掩膜结构图。
具体实施方式
18.如图1
‑
4所示的小功率晶体管，晶体管尺寸为365μm*365μm，有源区尺寸265μm*265μm。
19.集电区1上依次设有反型半导体的基区2和同型半导体的发射区3，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管有源区一角为圆角矩形的发射区主结构31，发射区主结构31靠近晶体管有源区中心一角对应的两边分别水平或竖直的向外延伸形成发射区延伸结构32，发射区延伸结构32有多个圆角方形通孔33，通孔内33和基区2连通处沉积接触电阻。集电区1上边缘设有保护环4结构，保护环4结构和发射区3掺杂浓度相同。保护环4、集电区1的外环、发射区3的外环、基区2的外环上沉积钝化层5。钝化层5、集电区1上沉积碳纳米层6。发射区主结构31外设有保护膜7。
20.基区金属条21在圆角方形通孔33连线上排布，发射区金属条34在圆角方形通孔33之间的通路上排布，基区金属条21、发射区金属条33与基区2、发射区3接触处分别沉积接触电阻8。基区金属条21、发射区金属条33间通过绝缘槽分隔。
21.本实施例的晶体管，npn型bv
cbo
＝75v，bv
ceo
＝40v，bv
ebo
＝6v，ic
max
＝0.6a；pnp 型bv
cbo
＝60v，bv
ceo
＝60v，bv
ebo
＝5v，ic
max
＝0.6a。


技术特征：
1.一种小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，其特征在于，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管有源区一角为圆角矩形的发射区主结构，发射区主结构靠近晶体管有源区中心一角对应的两边分别水平或竖直的向外延伸形成发射区延伸结构，发射区延伸结构有多个圆角方形通孔，通孔内和基区连通处沉积接触电阻。2.根据权利要求1所述的小信号晶体管，其特征在于，所述集电区上边缘设有保护环结构，所述保护环结构和发射区掺杂浓度相同。3.根据权利要求2所述的小信号晶体管，其特征在于，所述保护环结构、集电区的外环、发射区的外环、基区的外环上沉积钝化层。4.根据权利要求3所述的小信号晶体管，其特征在于，所述钝化层、集电区上沉积碳纳米层。5.根据权利要求1所述的小信号晶体管，其特征在于，基区金属条在圆角方形通孔连线上排布，发射区金属条在圆角方形通孔之间的通路上排布，基区金属条、发射区金属条与基区、发射区接触处分别沉积接触电阻。6.根据权利要求4所述的小信号晶体管，其特征在于，基区金属条、发射区金属条间通过绝缘槽分隔。7.根据权利要求1所述的小信号晶体管，其特征在于，所述发射区的总面积不超过基区面积的3/4。8.根据权利要求1所述的小信号晶体管，其特征在于，所述发射区主结构外设有保护膜。

技术总结
本实用新型涉及小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管有源区一角为圆角矩形的发射区主结构，发射区主结构靠近晶体管有源区中心一角对应的两边分别水平或竖直的向外延伸形成发射区延伸结构，发射区延伸结构有多个圆角方形通孔，通孔内和基区连通处沉积接触电阻。本实用新型的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，进一步缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型的小信号晶体管可用于开关模式电源、射频功率放大器、充电器等。充电器等。充电器等。


技术研发人员：崔峰敏
受保护的技术使用者：傲迪特半导体（南京）有限公司
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2021/11/9