一种用于激光脱毛器的VCSEL激光阵列模组的制作方法

一种用于激光脱毛器的vcsel激光阵列模组
技术领域
1.本实用新型涉及医疗美容设备技术领域，尤指一种用于激光脱毛器的vcsel激光阵列模组。


背景技术：

2.在医疗美容行业有一种叫激光脱毛器，其采用的是大功率边射型红外激光发生器，俗称激光bar条(laser diode/ld),常用来作激光泵浦源或快速脱毛等作用，其是利用ld激光芯片从侧面出激光，形成边射形激光，形成有间隔的条形面光源，光源辐射范围小，光线不够集中，导致脱毛效率低。


技术实现要素：

3.为解决上述问题，本实用新型提供一种大面积发光、无间隔、光线集中的用于激光脱毛器的vcsel激光阵列模组。
4.为实现上述目的，本实用新型采用如下的技术方案是：一种用于激光脱毛器的vcsel激光阵列模组，包括基板，所述基板的中部设有封装槽，该封装槽内设有红外模组，所述红外模组由若干个vcsel芯片集成vcsel陈列，所述基板的两端分别设有连接端子。
5.优选地，所述vcsel芯片包括n面电极层，在所述n面电极层上依次堆叠的n型dbr层、第一氧化层、谐振腔、第二氧化层、p型dbr 层、p面电极；谐振腔用于延长腔面光源vcsel，使得激光能够形成大面积，无间隔，光线集中，谐振腔降低光束发散角，减小带宽，所述n型dbr层和p型dbr层均包括重叠生长的若干个复合层，所述n 型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的低折射率物质层和高折射率物质层；所述p型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的高折射率物质层和低折射率物质层。
6.优选地，所述vcsel芯片发出的波长为808nm,vcsel芯片的功率为1
‑
3w。
7.优选地，所述基板为铜板或陶瓷片。
8.优选地，所述封装槽的侧壁设有台阶面。
9.本实用新型的有益效果在于：本实用新型采用vcsel芯片阵列分布在基板上，vcsel陈列垂直出光，使得激光器能够正面发光，通过 vcsel芯片结构改进形成大面积，无间隔，光线集中的发光面。
附图说明
10.图1是本实用新型的结构示意图。
11.图2是本实用新型的平面结构图。
12.图3是本实用新型vcsel芯片的结构图。
13.图4是vcsel激光脱毛器与现有激光脱毛器的发光的示意图。
14.图5是现有激光脱毛器的。
15.附图标记说明：1.基板；11.封装槽；2.vcsel芯片；21.n面电极层；22.n型dbr层；
23.第一氧化层；24.谐振腔；25.第二氧化层；26.p型dbr层；26.p面电极；3.连接端子；4.bar条激光器； 41.ld芯片。
具体实施方式
16.请参阅图1
‑
4所示，本实用新型关于一种用于激光脱毛器的 vcsel激光阵列模组，包括基板1，所述基板1的中部设有封装槽11，所述封装槽11的侧壁设有台阶面，该封装槽内设有红外模组，所述红外模组由若干个vcsel芯片2集成vcsel陈列，所述vcsel芯片包括n面电极层，在所述n面电极层上依次堆叠的n型dbr层、第一氧化层、谐振腔、第二氧化层、p型dbr层、p面电极；谐振腔用于延长腔面光源vcsel，使得激光能够形成大面积，无间隔，光线集中，谐振腔降低光束发散角，减小带宽，所述n型dbr层和p型dbr层均包括重叠生长的若干个复合层，所述n型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的低折射率物质层和高折射率物质层；所述p 型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的高折射率物质层和低折射率物质层。
17.优选地，所述基板1的两端分别设有连接端子3。
18.优选地，所述基板1为铜板或陶瓷片。
19.优选地，所述vcsel芯片2的波长为808nm，功率为1
‑
3w。
20.优选地，所述vcsel芯片包括n面电极层，在所述n面电极层上依次堆叠的n型dbr层、第一氧化层、谐振腔、第二氧化层、p型dbr 层、p面电极；谐振腔用于延长腔面光源vcsel，使得激光能够形成大面积，无间隔，光线集中，谐振腔降低光束发散角，减小带宽，所述n型dbr层和p型dbr层均包括重叠生长的若干个复合层，所述n 型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的低折射率物质层和高折射率物质层；所述p型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的高折射率物质层和低折射率物质层。
21.优选地，所述vcsel芯片包括n面电极层，在所述n面电极层上依次堆叠的n型dbr层、第一氧化层、谐振腔、第二氧化层、p型dbr 层、p面电极；通过第一氧化层和第二氧化层，延长了谐振腔，使得激光能够形成大面积，无间隔，光线集中，谐振腔降低光束发散角，减小带宽，所述n型dbr层和p型dbr层均包括重叠生长的若干个复合层，所述n型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的低折射率物质层和高折射率物质层；所述p型dbr层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的高折射率物质层和低折射率物质层。
22.现有激光脱毛器采用为bar条激光模组4，如图5，由于bar条激光模组4采用多片4ld芯片41利用共晶的方式贴在基板1上形成， 4ld芯片41的震荡腔体在水平线上，只能从侧面出光形成边射形激光，边射形激光为有间隔的条形面光源，光辐射范围小，对反射光的利用率低，激光模组体积大且导致脱毛效率低。
23.本实用新型采用vcsel激光阵列模组组成激光脱毛器，vcsel 激光阵列模组由若干个vcsel芯片2在基板上形成vcsel陈列，vcsel 陈列能够从正面出光，可形成大面积，无间隔，光线集中的发光面，散热结构既能够设在底面，亦能够设在侧面，受到的制约小，散热效果好，激光阵列模组相对于现有的bar条激光模组体积小，应用于激光脱毛器中，在实际脱毛使用中，其效率为现有采用bar条激光模组的激光脱毛器的2倍。
24.以上实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本
实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。


技术特征：
1.一种用于激光脱毛器的vcsel激光阵列模组，其特征在于：包括基板，所述基板的中部设有封装槽，所述封装槽内设有红外模组，所述红外模组由若干个vcsel芯片集成vcsel阵列，所述基板的两端分别设有连接端子，所述vcsel芯片包括n面电极层，在所述n面电极层上依次堆叠的n型dbr层、第一氧化层、谐振腔、第二氧化层、p型dbr层、p面电极，所述基板为铜板。2.根据权利要求1所述的用于激光脱毛器的vcsel激光阵列模组，其特征在于：所述vcsel芯片发出的光波长为808nm,所述vcsel芯片的功率为1
‑
3w。3.根据权利要求1所述的用于激光脱毛器的vcsel激光阵列模组，其特征在于：所述封装槽的侧壁设有台阶面。

技术总结
本实用新型涉及一种用于激光脱毛器的VCSEL激光阵列模组，包括基板，所述基板的中部设有封装槽，所述封装槽内设有红外模组，所述红外模组由若干个VCSEL芯片集成VCSEL陈列，所述基板的两端分别设有连接端子，本实用新型采用VCSEL芯片阵列分布在基板上集成VCSEL陈列，利用VCSEL芯片垂直出光的特性，使得激光器能够正面发光，通过VCSEL芯片结构改进形成大面积，无间隔，光线集中的发光面，且散热结构的设计受到的制约小，可产生较好的散热效果。可产生较好的散热效果。可产生较好的散热效果。


技术研发人员：王巍 罗磊 潘松
受保护的技术使用者：东莞市鸿日电子有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/9/10