在基板上沉积材料的方法与流程

本公开内容的实施方式涉及在基板上沉积材料。本公开内容的实施方式特别地涉及通过对向靶溅射来在基板上沉积材料。

背景技术：

1、在基板上沉积材料在各种技术领域中具有许多应用。溅射是一种用于在基板上沉积材料的方法。溅射能够与用高能粒子轰击基板，特别是轰击位于该基板上的膜相关联。轰击可能对位于基板上的材料(特别是膜)的性质有不利影响。为了避免轰击，例如设想了利用平面靶的对向靶溅射(facing target sputtering,fts)系统。在fts系统中，作为靶直接地面向基板的替代，靶面向彼此。然而，常规的fts系统中的溅射等离子体的稳定性是有限的。常规的fts系统在大规模生产中的适用性被削弱。另外，常规的fts系统与低沉积速率相关联，从而引起低生产率和基板表面污染的风险。

2、鉴于上文，提供在基板上沉积材料的改善的方法是有益的。

技术实现思路

1、根据一个实施方式，提供了一种在基板上沉积材料的方法。所述方法包括从具有第一磁体组件和第二磁体组件的第一旋转靶溅射所述材料的至少一种成分。所述第一磁体组件在面向第二旋转靶的第一方向上提供第一等离子体约束区(plasma confinement)，所述第一磁体组件的至少三个磁极面向所述第一等离子体约束区。所述第二磁体组件在面向第三旋转靶的第二方向上提供第二等离子体约束区，所述第二磁体组件的至少三个磁极面向所述第二等离子体约束区。

2、根据一个实施方式，提供了一种用于沉积材料的系统。所述系统包括第一旋转靶、第二旋转靶和第三旋转靶，所述第一旋转靶包括第一磁体组件和第二磁体组件。所述系统被配置为使得在沉积所述材料期间，所述第一磁体组件在面向所述第二旋转靶的第一方向上提供第一等离子体约束区，所述第一磁体组件的至少三个磁极面向所述第一等离子体约束区，并且所述第二磁体组件在面向所述第三旋转靶的第二方向上提供第二等离子体约束区，所述第二磁体组件的至少三个磁极面向所述第二等离子体约束区。

3、本公开内容将被理解为涵盖用于实施所公开的方法的设备和系统，包括用于执行每个描述的方法方面的设备部件。方法方面可例如由硬件部件、由通过适当软件编程的计算机或由这两者的任何组合来执行。本公开内容还被理解为涵盖用于操作所描述的设备和系统的方法。用于操作所描述的设备和系统的方法包括用于实施相应的设备或系统的每一功能的方法方面。

技术特征：

1.一种在基板上沉积材料的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中存在以下项中的任一者：

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于所述基板的基板平面的情况的偏离小于40°的角度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于所述基板平面的情况朝向所述基板偏离小于40°的角度且远离所述基板偏离小于10°的角度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中沉积在所述基板上的所述材料形成透明导电氧化物膜。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述材料包括以下项中的任一种：izo、ito、igzo或ag。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述基板从第一侧面向所述第一旋转靶，所述方法进一步包括：在从与所述第一侧相对的第二侧面向所述第一旋转靶的另外的基板上沉积所述材料。

8.一种控制器，所述控制器被配置为能够连接到用于沉积材料的系统，并且被进一步配置为控制所述系统，使得执行根据权利要求1至7中任一项所述的方法。

9.一种用于沉积材料的系统，所述系统包括第一旋转靶、第二旋转靶和第三旋转靶，所述第一旋转靶包括第一磁体组件和第二磁体组件，所述系统被配置为使得在沉积所述材料期间：

10.根据权利要求9所述的系统，所述系统被配置为在基板上沉积所述材料，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于所述基板的基板平面的情况偏离小于40°的角度。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于所述基板平面的情况朝向所述基板偏离小于40°的角度且远离所述基板偏离小于10°的角度。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的系统，其中所述沉积材料形成透明导电氧化物膜。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的系统，其中所述材料包括ito或izo。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的系统，所述系统进一步包括：

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述第一屏蔽件磁体组件的面向所述第二屏蔽件磁体组件的磁极中的每一个具有与所述第二屏蔽件磁体组件的相应最近磁极相反的极性。

技术总结
描述了一种在基板上沉积材料的方法。所述方法包括从具有第一磁体组件和第二磁体组件的第一旋转靶溅射所述材料的至少一种成分。所述第一磁体组件在面向第二旋转靶的第一方向上提供第一等离子体约束区，所述第一磁体组件的至少三个磁极面向所述第一等离子体约束区。所述第二磁体组件在面向第三旋转靶的第二方向上提供第二等离子体约束区，所述第二磁体组件的至少三个磁极面向所述第二等离子体约束区。

技术研发人员：托马斯·沃纳·兹巴于尔
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12