结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光探测器及其制备方法与应用

本发明属于可见光探测器领域，具体涉及结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器及其制备方法与应用。

背景技术：

iii族氮化物半导体材料拥有优良的光学、电学、热学、化学、机械性能，因此，ⅲ族氮化物光电器件和功率器件得到了国内外科研人员的广泛关注和重点研究。

作为第三代半导体材料研究热点之一的ingan材料拥有良好的物理化学性质。它的电子迁移率高、热稳定性好、化学稳定性好。可以通过调整合金中in的组分，实现禁带宽度从3.4ev到0.7ev的连续调节，从而使得ingan光电探测器能够实现覆盖整个可见光波段的连续探测，相比光电倍增管，ingan探测器具有体积小、易携带、易集成、击穿电场高(>1mv/cm)、工作电压低、节能环保、无需滤光系统等优势。

虽然ingan基探测器研究已广泛开展，但是到目前为止还没有实现商品转化。高in组分ingan材料生长易出现相分离问题，同时与衬底存在较大晶格失配易产生缺陷与裂纹，制备的器件会由于ingan材料表面态等问题，存在较大的暗电流，同时缺陷影响器件响应度等性能。因此制约ingan探测器发展和应用的根本问题是材料质量问题，关键问题是器件优化问题。

有研究人员采用ingan/gan多量子阱材料制备的蓝光探测器，响应时间为300ms，暗电流为10^-7a，缺陷密度为10⁶cm^-3,在5v电压下，峰值响应度达到0.35a/w。但由于材料表面存在悬挂键，器件暗电流仍较高。同时缺陷密度和响应度仍不能满足需求。

为了解决以上不足，本发明通过多层缓冲层技术降低材料缺陷，设计量子阱结构抑制ingan材料相分离，实现薄膜高质量生长，同时结合嵌入电极与钝化层结构，从降低暗电流，增强光照强度等角度优化了器件性能，实现高性能器件。

技术实现要素：

为了克服现有技术的缺点与不足，本发明的目的在于提供结合嵌入电极与钝化层结构ingan/gan多量子阱(mqw)可见光探测器的制备方法，所述方法具有生长ingan/gan多量子阱薄膜质量好，器件的外量子效率高，响应速度快和带宽高等优点。

由于ingan材料与衬底晶格失配较大，易产生缺陷，同时生长过程中易发生相分离，采用多层缓冲层结构可降低晶格失配带来的材料缺陷与裂纹，而采用ingan/gan多量子阱结构可以释放应力，抑制相分离可以提高功能层质量。结合嵌入电极与钝化层结构实现器件优化，采用si3n4钝化层降低ingan表面漏电流，同时结合嵌入阳极电极结构，改善垂直电场分布，提升电极对光生载流子的收集能力。将两结构相结合，一方面，制备嵌入阳极电极需要刻蚀，会产生表面损伤，通过钝化层能有效降低表面损伤带来的表面漏电流，另一方面，在凹槽中制备钝化层，可以实现光的多次反射，直接增强ingan材料的光照强度，增加光生载流子数目，获得高性能蓝光探测器。

本发明的目的通过以下技术方案实现。

一种结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器，由下至上依次包括：si衬底、aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层、ingan/gan超晶格层、ingan/gan多量子阱层；所述ingan/gan多量子阱层具有凹槽结构，所述ingan/gan多量子阱层的台面及凹槽有si3n4钝化层，所述si3n4钝化层的凹槽内有第一金属层电极，其截面为半圆形，所述si3n4钝化层的台面有第二金属层电极。

优选的，所述si衬底的厚度为520～530μm；

优选的，所述aln/algan/gan缓冲层包括aln层、algan层、gan层，所述aln层的厚度为300～400nm、algan层的厚度为600～700nm、gan层的厚度为300～400nm；

优选的，所述u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层包括u-gan层、aln层、u-gan层、sinx层、u-gan层，所述u-gan层的厚度为300～400nm、aln层的厚度为200～300nm、u-gan层的厚度为300～400nm、sinx层的厚度为400～600nm、u-gan层的厚度为300～400nm；

优选的，所述n-gan缓冲层的厚度为2～3μm；

优选的，所述ingan/gan超晶格层的厚度为500～600nm，且为交替排列结构；

优选的，所述ingan/gan多量子阱层的厚度为170～340nm；进一步优选的，所述ingan/gan多量子阱层的厚度为180～260nm。

优选的，所述si3n4钝化层的厚度为5～20nm。

优选的，所述第一金属层电极和第二金属电极为ni/au金属层电极，所述ni/au金属层电极包括ni金属层和au金属层，所述ni金属层的厚度分别为70～90nm，所述au金属层的厚度分别为70～90nm。

优选的，所述ingan/gan多量子阱层为以一层gan上叠加一层ingan的形式，周期为9～12，所述gan厚度为13～18nm，ingan厚度为6～10nm。

优选的，所述ingan/gan超晶格层以一层gan上叠加一层ingan，周期为9-11，gan的厚度为40-48nm，ingan的厚度为10-12nm。

优选的，所述第一电极和第二电极为叉指结构电极；所述第一电极和第二电极交替排列。

优选的，所述凹槽结构为等间距条型状结构，所述凹槽的宽度100～150nm，深度为160～200nm，两凹槽中心线间距为400～650nm；

优选的，所述第一金属层电极的截面为半径100～140nm半圆形电极；

优选的，所述探测器整体长宽尺寸为5.2×5.2～8.45×8.45μm²。

上述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：

(1)用mocvd在si衬底上生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层、ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层；

(2)将步骤(1)得到的ingan/gan多量子阱层进行icp刻蚀，获得凹槽结构；

(3)将步骤(2)得到的具有凹槽结构的ingan/gan多量子阱层，进行pecvd沉积si3n4钝化层；

(4)将步骤(3)得到的si3n4钝化层光刻，首先匀胶，并烘干，然后进行曝光,并显影，最后经过氧离子处理；

(5)将步骤(4)得到的si3n4钝化层的凹槽和台面进行蒸镀，先蒸镀ni后蒸镀au，取出后清洗得到ingan/gan多量子阱蓝光探测器。

优选的，步骤(2)所述aln/algan/gan缓冲层包括aln层、algan层、gan层，生长的温度分别为1000～1100℃、1000～1100℃、900～1050℃；

优选的，所述u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层包括u-gan层、aln层、u-gan层、sinx层、u-gan层，生长温度分别为900～1050℃、1000～1100℃、900～1050℃、1000～1100℃、900～1050℃；

优选的，所述n-gan缓冲层的生长温度为900～1050℃；

优选的，所述生长ingan/gan超晶格层、ingan/gan多量子阱层的温度为550～760℃。

优选的，步骤(4)所述烘干时间为35～48s，曝光时间为4～12s，显影时间为35～48s，氧离子处理时间为1.5～3.5min；

优选的，步骤(5)所述蒸镀的速率为0.16～0.22nm/min。

优选的，步骤(5)所述加热的温度为1455～1555℃。

上述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器在蓝光探测中的应用。

本发明的2dws2/inganii型异质结自驱动蓝光探测器设计思路如下：

(1)ingan/gan多量子阱(mqw)阵列生长结构设计与优化：由于si衬底与ingan材料之间晶格失配(>17％)和热失配(>54％)较大，材料易出现高密度缺陷与裂纹的问题，通过设计aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层及n-gan缓冲层，降低晶格失配，对外延层的应力和缺陷密度进行控制；同时，设计ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层结构，能够抑制相分离，提高ingan材料的质量。

(2)采用mocvd技术在si衬底上生长高质量ingan材料：使用mocvd法先在si衬底上高温生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层及n-gan缓冲层，再在缓冲层上生长ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层，实现高质量ingan材料的生长。

(3)结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器及其阵列周期结构优化设计：设计ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器的器件结构，调整芯片单元结构尺寸及参数、阵列周期结构等。通过采用si3n4钝化层降低ingan表面漏电流，同时结合嵌入阳极电极结构,用电阻加热法对凹槽处电极进行局部加热，使其融化，形成半圆形形状，可以导致入射光找到电极上发生的反射可以反射到功能层上，从而改善垂直电场分布，提升电极对光生载流子的收集能力，将两结构相结合，一方面，制备嵌入阳极电极需要刻蚀，产生损伤，通过钝化层能有效降低表面损伤带来的表面漏电流，另一方面，在凹槽中制备钝化层，也具有增透的作用，这个整体结构能够导致光线的多次反射、增透以及利用，直接增强ingan材料的吸收光强，增加光生载流子数目，从而实现高性能器件。

(4)结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器制备：优化探测器制备工艺，通过icp刻蚀的方法在功能层上刻蚀形成凹槽，采用pecvd在平面、侧壁以及凹槽沉积一层薄si3n4钝化层，最后通过光刻蒸镀工艺，在ingan/gan多量子阱层凹槽及台面制作ni/au阳极嵌入电极及ni/au阴极台面电极。通过改变光刻流程中曝光、烘胶、显影、氧离子处理等步骤的时间、电极种类、厚度以及蒸镀速率等工艺参数，探究其对结合嵌入电极与钝化层结构ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器性能的影响，提升探测器灵敏度与响应度，实现高性能蓝光探测器制备。

与现有技术相比，本发明具有以下优点和优异效果：

(1)本发明的一种结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器提供了一种采用mocvd高温外延方法在si衬底上生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层及n-gan缓冲层，再在缓冲层上生长ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层，再通过icp刻蚀工艺在功能层上刻蚀形成凹槽，接着通过pecvd在平面、侧壁以及凹槽沉积一层薄si3n4钝化层，最后通过光刻蒸镀工艺，在ingan/gan功能层凹槽制作ni/au阳极嵌入电极，在台面制作ni/au阴极台面电极，实现结合嵌入电极与钝化层结构ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器。制备方法具有工艺简单、省时高效以及功耗低的特点，有利于规模化生产。

(2)本发明的一种结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器通过多层缓冲层技术实现ingan材料组分的和缺陷密度控制，保证高质量组分可控ingan材料生长；通过设计ingan/gan多量子阱层结构，抑制ingan材料相分离问题，实现在蓝光波段的高速响应；在此基础上优化设计蓝光探测器与阵列结构，有效提高响应速度并大幅缩小接收端光学系统体积。

(3)本发明的一种结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器通过结合嵌入电极与钝化层结构实现器件优化，采用si3n4钝化层降低ingan表面漏电流，同时结合嵌入阳极电极结构，改善垂直电场分布，提升电极对光生载流子的收集能力。将两结构相结合，一方面，制备嵌入阳极电极需要刻蚀，会产生表面损伤，通过钝化层能有效降低表面损伤带来的表面漏电流，另一方面，在凹槽中制备钝化层，可以实现光的多次反射，直接增强ingan材料的光照强度，增加光生载流子数目，提升了蓝光波段的量子效率，增强蓝光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。

附图说明

图1为本发明的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器的部分叉指结构电极结构剖面示意图；

图2为本发明的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器的电极结构的俯视面示意图；

图3为实施例1制备的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器的pl曲线图；

图4为实施例1制备的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器光谱响应图。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。

具体实施例中，本发明的自ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器的结构剖面示意图如图1所示，由图1可知，由下至上，依次包括si衬底1、aln/algan/gan缓冲层2、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层3、n-gan缓冲层4、ingan/gan超晶格层5、具有凹槽结构的ingan/gan多量子阱层6、si3n4钝化层7、以及第一ni/au金属层电极8-1、第二ni/au金属层电极8-2，第一ni/au金属层电极位于凹槽内，第二ni/au金属层电极位于平面凹槽两侧；其中，si衬底1的厚度为520～530μm；aln/algan/gan缓冲层2包括aln层、algan层、gan层，厚度分别为300～400nm、600～700nm、300～400nm；u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层3包括u-gan层、aln层、u-gan层、sinx层、u-gan层，厚度分别为300～400nm、200～300nm、300～400nm、400～600nm、300～400nm；n-gan缓冲层4的厚度为2～3μm；ingan/gan超晶格层5的厚度为500～600nm；ingan/ganmqw层6的厚度为180～260nm，以一层gan上叠加一层ingan，周期为9～12，gan的厚度为13-18nm，ingan的厚度为6～10nm；si3n4钝化层7的厚度为5～20nm；ni/au金属层电极包括ni金属层和au金属层，ni金属层的厚度分别为70～90nm，au金属层的厚度为70～90nm。

本发明的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器的电极结构的俯视面示意图如图2所示，第一电极和第二电极为叉指结构电极；凹槽结构为条型状结构，所述凹槽的宽度100～150nm，深度为160～200nm，凹槽中心线间距为400～650nm，半圆形电极半径约为100～140nm；。器件整体尺寸为5.2×5.2～8.45×8.45μm²。

实施例1

本实施例的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器及其制备方法，包括以下步骤：

(1)首先按照结构设计，用mocvd在si衬底上高温生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层，温度分别为1000℃、1000℃、900℃、900℃、1000℃、900℃、1000℃、900℃、900℃，所述aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层薄膜厚度分别为300nm、600nm、300nm、400nm、300nm、400nm、400nm、400nm、2μm；其次采用mocvd生长ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层，温度为600℃，ingan/gan超晶格层由10个周期的ingan和gan交替排列组成，其中一个周期的gan厚48nm,ingan厚12nm，总厚度为600nm，ingan/gan多量子阱层共11个周期，mqw厚度为220nm，其中gan厚度为13nm，ingan厚度为7nm。

(2)按照电极设计，将步骤(1)得到的ingan/gan多量子阱层，进行icp刻蚀，获得深度为180nm、宽度为100nm的方波型凹槽结构，两凹槽中心线间距为400nm，半圆形电极半径约为107nm。

(3)按照电极设计，将步骤(2)得到的具有凹槽结构的ingan/gan多量子阱层，进行pecvd沉积一层厚度为10nm的si3n4钝化层。

(4)按照电极设计，将步骤(3)得到的si3n4钝化层光刻，首先将样品匀胶，并烘干38s，然后进行曝光6s,并显影38s，最后经过氧离子处理2.5min。

(5)按照电极设计，将步骤(4)得到的si3n4钝化层进行蒸镀，控制蒸镀速率为0.17nm/min，先蒸镀ni后蒸镀au分别蒸镀70nm，在凹槽蒸镀电极为阳极，台面蒸镀电极为阴极。取出后清洗得到ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器。

(6)将步骤(5)得到的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器进行测试。

如图1所示，本实施例制备的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器，包括si衬底1，生长在si衬底1上的aln/algan/gan缓冲层2、生长在aln/algan/gan缓冲层2上的u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层3、生长在u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层3上的n-gan缓冲层4，生长在n-gan缓冲层4上的ingan/gan超晶格层5，生长在ingan/gan超晶格层5上的ingan/gan多量子阱层6，生长在ingan/gan多量子阱层6上的si3n4钝化层7，生长在si3n4钝化层7上的ni/au金属层第一电极8-1和第二电极8-2。

图2为ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器结构的俯视面示意图。

图3，图4为本实施例所得ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器所测得的pl曲线以及光电流曲线。由曲线可看出，该探测器在蓝光波段拥有极高的带宽与0.74a/w高的响应度。

实施例2

本实施例的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器及其制备方法，包括以下步骤：

(1)首先按照结构设计，用mocvd在si衬底上高温生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层，温度分别为1050℃、1050℃、950℃、950℃、1050℃、950℃、1050℃、950℃、950℃，所述aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层薄膜厚度分别为350nm、650nm、350nm、300nm、200nm、300nm、600nm、300nm、2.5μm；其次采用mocvd生长ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层，温度为750℃，ingan/gan超晶格层由10个周期的ingan和gan交替排列组成，其中一个周期的gan厚40nm,ingan厚10nm，总厚度为500nm，ingan/gan多量子阱层共12个周期，mqw厚度为240nm，其中gan厚度为14nm，ingan厚度为6nm。

(2)按照电极设计，将步骤(1)得到的ingan/gan多量子阱层，进行icp刻蚀，获得深度为190nm、宽度为150nm的方波型凹槽结构，两凹槽中心线间距为450nm，半圆形电极半径约为135nm。

(3)按照电极设计，将步骤(2)得到的具有凹槽结构的ingan/gan多量子阱层，进行pecvd沉积一层厚度为15nm的si3n4钝化层。

(4)按照电极设计，将步骤(3)得到的覆盖钝化层的si3n4钝化层光刻，首先将样品匀胶，并烘干42s，然后进行曝光8s,并显影42s，最后经过氧离子处理2min。

(5)按照电极设计，将步骤(4)得到的si3n4钝化层进行蒸镀，控制蒸镀速率为0.19nm/min，先蒸镀ni后蒸镀au分别蒸镀80nm，在凹槽蒸镀电极为阳极，台面蒸镀电极为阴极。取出后清洗得到ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器。

(6)将步骤(5)得到的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器进行测试。

本实施例制备的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器具有与实施例1相近的效果，在此不再赘述。

实施例3

本实施例的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器及其制备方法，包括以下步骤：

(1)首先按照结构设计，用mocvd在si衬底上高温生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层，温度分别为1100℃、1100℃、1000℃、1000℃、1100℃、1000℃、1100℃、1000℃、1000℃，所述aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层薄膜厚度分别为400nm、700nm、400nm、350nm、250nm、350nm、500nm、350nm、3μm；其次采用mocvd生长ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层，温度为750℃，ingan/gan超晶格层由10个周期的ingan和gan交替排列组成，其中一个周期的gan厚42nm,ingan厚10nm，总厚度为520nm，ingan/gan多量子阱层共13个周期，mqw厚度为260nm，其中gan厚度为14nm，ingan厚度为6nm。

(2)按照电极设计，将步骤(1)得到的ingan/gan多量子阱层，进行icp刻蚀，获得深度为200nm、宽度为120nm的方波型凹槽结构，两凹槽中心线间距为420nm，半圆形电极半径约为125nm。

(3)按照电极设计，将步骤(2)得到的具有凹槽结构的ingan/gan多量子阱层，进行pecvd沉积一层厚度为12nm的si3n4钝化层。

(4)按照电极设计，将步骤(3)得到的覆盖钝化层si3n4钝化层光刻，首先将样品匀胶，并烘干45s，然后进行曝光9s,并显影45s，最后经过氧离子处理3min。

(5)按照电极设计，将步骤(4)得到的si3n4钝化层进行蒸镀，控制蒸镀速率为0.21nm/min，先蒸镀ni后蒸镀au分别蒸镀90nm，在凹槽蒸镀电极为阳极，台面蒸镀电极为阴极。取出后清洗得到ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器。

(6)将步骤(5)得到的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器进行测试。

本实施例制备的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器具有与实施例1相近的效果，在此不再赘述。

实施例4

本实施例的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器及其制备方法，包括以下步骤：

(1)首先按照结构设计，用mocvd在si衬底上高温生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层，温度分别为1075℃、1075℃、975℃、975℃、1075℃、975℃、1075℃、975℃、975℃，所述aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层薄膜厚度分别为375nm、675nm、375nm、325nm、225nm、325nm、625nm、325nm、2.75μm；其次采用mocvd生长ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层，温度为750℃，ingan/gan超晶格层由10个周期的ingan和gan交替排列组成，其中一个周期的gan厚44nm,ingan厚11nm，总厚度为550nm，ingan/gan多量子阱层共9个周期，mqw厚度为180nm，其中gan厚度为14nm，ingan厚度为6nm。

(2)按照电极设计，将步骤(1)得到的ingan/gan多量子阱层，进行icp刻蚀，获得深度为170nm、宽度为130nm的方波型凹槽结构，两凹槽中心距间距为500nm，半圆形电极半径约为120nm。

(3)按照电极设计，将步骤(2)得到的具有凹槽结构的ingan/gan多量子阱层，进行pecvd沉积一层厚度为11nm的si3n4钝化层。

(4)按照电极设计，将步骤(3)得到的覆盖钝化层的si3n4钝化层光刻，首先将样品匀胶，并烘干43s，然后进行曝光9s,并显影43s，最后经过氧离子处理2min。

(5)按照电极设计，将步骤(4)得到的si3n4钝化层进行蒸镀，控制蒸镀速率为0.18nm/min，先蒸镀ni后蒸镀au分别蒸镀85nm，在凹槽蒸镀电极为阳极，台面蒸镀电极为阴极。取出后清洗得到ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器。

(6)将步骤(5)得到的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器进行测试。

本实施例制备的ingan/gan多量子阱(mqw)蓝光探测器具有与实施例1相近的效果，在此不再赘述。

上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。