1.一种结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器，其特征在于，由下至上依次包括：si衬底、aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层、ingan/gan超晶格层、ingan/gan多量子阱层；所述ingan/gan多量子阱层具有凹槽结构，所述ingan/gan多量子阱层的台面及凹槽有si3n4钝化层，所述si3n4钝化层的凹槽内有第一金属层电极，其截面为半圆形，所述si3n4钝化层的台面有第二金属层电极。
2.根据权利要求1所述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器，其特征在于，所述si衬底的厚度为520～530μm；
所述aln/algan/gan缓冲层包括aln层、algan层、gan层，所述aln层的厚度为300～400nm、algan层的厚度为600～700nm、gan层的厚度为300～400nm；
所述u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层包括u-gan层、aln层、u-gan层、sinx层、u-gan层，所述u-gan层的厚度为300～400nm、aln层的厚度为200～300nm、u-gan层的厚度为300～400nm、sinx层的厚度为400～600nm、u-gan层的厚度为300～400nm；
所述n-gan缓冲层的厚度为2～3μm；
所述ingan/gan超晶格层的厚度为500～600nm，且为交替排列结构；所述ingan/gan多量子阱层的厚度为170～340nm；
所述si3n4钝化层的厚度为5～20nm。
3.根据权利要求1所述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器，其特征在于，所述第一金属层电极和第二金属电极为ni/au金属层电极，所述ni/au金属层电极包括ni金属层和au金属层，所述ni金属层的厚度分别为70～90nm，所述au金属层的厚度分别为70～90nm。
4.根据权利要求1所述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器，其特征在于，所述ingan/gan多量子阱层为以一层gan上叠加一层ingan的形式，周期为9～12，所述gan厚度为13～18nm，ingan厚度为6～10nm。
5.根据权利要求1所述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器，其特征在于，所述第一电极和第二电极为叉指结构电极；所述第一电极和第二电极交替排列。
6.根据权利要求1所述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器，其特征在于，所述凹槽结构为等间距条型状结构，所述凹槽的宽度为100～150nm，深度为160～200nm，两凹槽中心线间距为400～650nm；所述第一金属层电极的截面为半径100～140nm的半圆形电极；所述探测器整体长宽尺寸为5.2×5.2～8.45×8.45μm2。
7.权利要求1-6任一项所述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)用mocvd在si衬底上生长aln/algan/gan缓冲层、u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层、n-gan缓冲层、ingan/gan超晶格层及ingan/gan多量子阱层；
(2)将步骤(1)得到的ingan/gan多量子阱层进行icp刻蚀，获得凹槽结构；
(3)将步骤(2)得到的具有凹槽结构的ingan/gan多量子阱层，进行pecvd沉积si3n4钝化层；
(4)将步骤(3)得到的si3n4钝化层光刻，首先匀胶，并烘干，然后进行曝光,并显影，最后经过氧离子处理；
(5)将步骤(4)得到的si3n4钝化层的凹槽和台面进行蒸镀，先蒸镀ni后蒸镀au，取出后用电阻加热法对金属电极进行局部加热，使其截面形状变为半圆形，并清洗得到ingan/gan多量子阱蓝光探测器。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述aln/algan/gan缓冲层包括aln层、algan层、gan层，生长的温度分别为1000～1100℃、1000～1100℃、900～1050℃；所述u-gan/aln/u-gan/sinx/u-gan缓冲层包括u-gan层、aln层、u-gan层、sinx层、u-gan层，生长温度分别为900～1050℃、1000～1100℃、900～1050℃、1000～1100℃、900～1050℃；所述n-gan缓冲层的生长温度为900～1050℃；所述生长ingan/gan超晶格层、ingan/gan多量子阱层的温度为550～760℃。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述烘干时间为35～48s，曝光时间为4～12s，显影时间为35～48s，氧离子处理时间为1.5～3.5min；步骤(5)所述蒸镀的速率为0.16～0.22nm/min，所述加热的温度为1455～1555℃。
10.权利要求1-6任一项所述的结合嵌入电极与钝化层结构的ingan/gan多量子阱蓝光探测器在蓝光探测中的应用。