一种新型的面板级封装方法及结构与流程

文档序号:27144683发布日期:2021-10-30 01:19阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种新型的面板级封装方法,其特征在于,按照以下步骤执行:步骤1,提供一张刚性强的金属材料或者非金属材料的载体;步骤2,在载体的表面形成一层可剥离层,可剥离层上整个表面覆盖第一金属层;步骤3,第一金属层与金属材料的载体自身的第二金属层互相电导通,或者第一金属层与非金属材料的载体的另一面的第三金属层互相电导通;步骤4,在第一金属层表面通过图形工艺及电镀的方式形成多个金属基岛,以及多个金属基岛之间的导电引线,导电引线与第一金属层边缘向上设置的四面包围导体实现电互联;步骤5,金属基岛之间的导电引线的主连接线部分,均设置在产品的切割道上;步骤6,在一部分金属基岛上设置芯片,在另一部分金属基岛上设置芯片电极的引出承接盘;步骤7,在第一金属层表面,对金属基岛上的芯片、芯片电极的引出承接盘、导电引线进行面板级塑封,塑封后整个芯片被塑封料包裹,同时载体四周的导电材料裸露出来;步骤8,在塑封料表面同步压上一层第四金属层,第四金属层的四周与四面包围导体电连接,形成静电屏蔽笼,以保护芯片的安全;步骤9,完成塑封的产品通过镭射的方式露出芯片的电极和芯片电极的引出承接盘;步骤10,通过金属导孔及图形工艺加工,完成芯片的电极和芯片电极的引出承接盘与第四金属层的电连接,同时完成本层图形到静电屏蔽笼之间的电互联,保证芯片不受静电损伤;步骤11,在第四金属层及塑封料的表面,覆盖一层厚的绝缘材料,作为整体结构的补强层;步骤12,通过物理方式将完成加工的板件,从可剥离层剥离下来,露出整个第一金属层;步骤13,对第一金属层进行图形工艺加工,将第一金属层蚀刻成需要的焊盘形状,同时保证各个焊盘形状之间通过导电引线进行金属互联,此时芯片依旧在静电屏蔽笼中,可保证芯片不被静电损伤;步骤14,针对板件进行切割,沿产品的切割道将板件切割形成单颗器件,同时切除掉在切割道上的导电引线的主连接线部分,静电屏蔽笼失效。2.根据权利要求1所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于:所述可剥离层为可直接进行机械剥离的材料,并且具有导电性。3.根据权利要求2所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于:步骤3中所述第一金属层与金属材料的载体自身的第二金属层通过可剥离层互相电导通;或者第一金属层与非金属材料的载体的另一面的第三金属层,通过设置于载体中的多个金属导孔以及可剥离层实现互相电导通,或者通过载体的四周边缘包裹金属墙实现互相电导通。4.根据权利要求1所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于:所述图形工艺是通过贴膜、曝光、显影、蚀刻的加工工艺。5.根据权利要求1所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于,所述四面包围导体的设置方法是:在步骤7的塑封前,在第一金属层的四周印刷一圈导电浆料并将此导电浆料固化的方式;或者是在步骤8中压上一层第四金属层后,在第一金属层的四周加工多个金属导
孔的方式。6.根据权利要求1或3或5中的任一项所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于:所述金属导孔包括金属盲孔或者金属通孔中的任一种。7.根据权利要求1所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于:所述四面包围导体的厚度>金属基岛+芯片的总厚度,金属基岛的厚度>导电引线的厚度。8.根据权利要求1所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于:所述导电引线的宽度≤产品的切割道的宽度。9.一种新型的面板级封装结构,用于实现权利要求1至8中任一项所述一种新型的面板级封装方法,其特征在于:包括金属材料或者非金属材料的载体,设于载体上表面的可导电的可剥离层,设于可剥离层上表面的第一金属层,第一金属层可与金属材料的载体第二金属层电连接,或者第一金属层可与载体下表面设置的第三金属层电连接,第一金属层的上表面设有多个金属基岛和多个金属基岛之间的导电引线,导电引线与第一金属层电连接,一部分金属基岛上设有芯片,另一部分金属基岛上设置芯片电极的引出承接盘,第一金属层四周向上设有四面包围导体,四面包围导体的顶端设有第四金属层,第四金属层的四周与四面包围导体电连接,形成静电屏蔽笼,金属基岛或者芯片的上表面通过多个金属导孔,与第四金属层电连接,在第一金属层与第四金属层之间及四面包围导体所包围的空间内设有塑封料,第四金属层及塑封料上表面,设有补强层。10.根据权利要求9所述一种新型的面板级封装结构,其特征在于:所述金属导孔包括金属盲孔或者金属通孔中的任一种,四面包围导体厚度>金属基岛+芯片的总厚度,金属基岛的厚度>导电引线的厚度,所述导电引线的主连接线部分,均设置在产品的切割道上,导电引线的宽度≤产品的切割道的宽度。

技术总结
本发明一种新型的面板级封装方法:步骤1,提供一张载体;步骤2,在载体表面形成一层可剥离层,可剥离层上覆盖第一金属层;步骤3,第一金属层与第二金属层互相电导通,或者第一金属层与第三金属层互相电导通;步骤4,在第一金属层表面形成多个金属基岛,以及金属基岛之间的导电引线,导电引线与四面包围导体实现电互联;步骤5,一部分金属基岛上设置芯片,另一部分金属基岛上设置芯片电极的引出承接盘;步骤6,导电引线的主连接线部分,设置在产品切割道上;步骤7,在第一金属层表面,进行面板级塑封;步骤8,在塑封料表面压上一层第四金属层,第四金属层与四面包围导体电连接,形成静电屏蔽笼,保护芯片的安全。保护芯片的安全。保护芯片的安全。


技术研发人员:ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者:华宇华源电子科技(深圳)有限公司
技术研发日:2021.06.07
技术公布日:2021/10/29
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