发光装置及其制造方法与流程

1.本发明涉及一种电子装置及其制造方法，且特别涉及一种发光装置及其制造方法。


背景技术：

2.在发光装置的制造过程中，可能会有不可避免缺陷产生。因此，如何针对一种缺陷进行较为简单的修复，而使修复后的发光装置仍具有相当的品质，实已成目前亟欲解决的课题。


技术实现要素：

3.本发明提供一种发光装置及其制造方法，其可以使发光装置具有较佳的品质。
4.本发明的发光装置包括线路基板以及发光元件。线路基板包括第一电极及第二电极。发光元件配置于线路基板的第一表面上。发光元件包括第一导电端子及第二导电端子。第一导电端子及第二导电端子嵌于第一电极及第二电极之间。于第一方向上，第一电极的内缘与第二电极的内缘之间具有第一距离，第一导电端子的外缘与第二导电端子的外缘之间具有第二距离，且第一距离大于或等于第二距离。
5.本发明的发光装置的制造方法包括以下步骤：提供线路基板，其具有多个电极对，且各个电极对包括第一电极及第二电极；提供发光元件，其包括第一导电端子及第二导电端子；以及将发光元件配置于线路基板上，以使第一导电端子及第二导电端子嵌于第一电极及第二电极之间，其中于第一方向上，第一电极的内缘与第二电极的内缘之间具有第一距离，第一导电端子的外缘与第二导电端子的外缘之间具有第二距离，且第一距离大于或等于第二距离。
6.基于上述，通过线路基板的第一电极及第二电极与发光元件的第一导电端子及第二导电端子之间对应的配置方式，可以使发光装置在其制造过程的修复较为容易，且可以降低制造过程中元件可能的损伤或损坏。如此一来，可以使发光装置具有较佳的品质。
附图说明
7.图1a是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分制造方法的俯视图。
8.图1b至图1f是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分制造方法的部分剖视示意图。
9.图1g是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分俯视图。
10.图1h及图1i是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。
11.图2是依照本发明的第二实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。
12.图3是依照本发明的第三实施例的一种发光装置的部分俯视图。
13.附图标记说明：
14.100、200、300：发光装置
15.140：线路基板
16.140a：第一表面
17.141：元件层
18.142：主动元件
19.143：电子元件
20.144：绝缘层
21.110：第一电极
22.110d：内缘
23.111、111a、119：第一上电极
24.112：第一导电连接层
25.113：第一下电极
26.314：第一电极延伸区
27.120：第二电极
28.120d：内缘
29.121、129：第二上电极
30.122：第二导电连接层
31.123：第二下电极
32.324：第二电极延伸区
33.150、151、153、158：发光元件
34.151a、153a：第一导电端子
35.151b、153b：第二导电端子
36.151c、153c：发光晶粒
37.151c1：第一导电层
38.151c2：第一半导体层
39.151c3：发光层
40.151c4：第二半导体层
41.151c5：第二导电层
42.151c6：图案化绝缘层
43.150c7：发光面
44.151e：外缘
45.151f：外缘
46.95：载板
47.d1：第一方向
48.d2：第二方向
49.ep：电极对
50.g1：第一间距
51.g2：第二间距
52.h1：第一高度
53.h2：第二高度
54.h3：第三高度
55.h4：第四高度
56.l1：第一距离
57.l2：第二距离
58.lr：激光
59.r1、r2：区域
具体实施方式
60.为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本发明的构思或范围。
61.在附图中，为了清楚起见，放大了各元件等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在“另一元件上”、或“连接到另一元件”、“重叠于另一元件”时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电连接。
62.应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
63.这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括多个形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
64.此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
65.本文使用的“基本上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“基本上”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
66.除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领
域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
67.本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
68.另外，为求清楚表示，于附图中可能省略示出了部分的膜层或构件。
69.请参照图1a，提供发光元件150。
70.在本实施例中，多个发光元件150可以被配置或形成于载板95上。在本实施例中，载板95例如为晶圆，但本发明不限于此。在本实施例中，多个发光元件150可以是以阵列式的形式被配置或形成于载板95上，但本发明不限于此。在一实施例中，多个发光元件150与载板95之间可以具有暂时性的连接结构(如：是链(tether)，但不限)或暂时性的连接膜层(如：离型层(release layer)，但不限)，但本发明不限于此。
71.在一实施例中，在将配置或形成于载板95上的发光元件150进行转移之前，可以先对配置或形成于载板95上的发光元件150进行检测。举例而言，可以通过自动光学检测(automated optical inspection，aoi)，以确认配置或形成于载板95上的多个发光元件150是否具有破损、刮伤、缺角、短路、外观瑕疵等可能的不良状态。但本发明对于前述检测的方式并不加以限制。
72.在本实施例中，配置或形成于载板95上的多个发光元件150可以包括良好的发光元件151(可以被称为：已知良好晶粒(known good die；kgd))。在本实施例中，配置或形成于载板95上的多个发光元件150可以还包括不良的发光元件158(其或许可被称为：电子元件)。也就是说，本发明并未限制配置或形成于载板95上的多个发光元件150都必须具有良好的状态。
73.另外，为求清楚，于图1a中并未一一地标示所有的发光元件150(可能包含良好的发光元件151及不良的发光元件158)。
74.请参照图1b，提供线路基板140。线路基板140的第一表面140a上可以具有多个电极对ep。各个电极对ep包括对应的第一电极110及对应的第二电极120。第一电极110可以包括第一上电极119。第二电极120可以包括第二上电极129。
75.请继续参照图1b，将发光元件150配置于线路基板140的第一表面140a上。各个发光元件150可以包括对应的发光晶粒、对应的第一导电端子及/或对应的第二导电端子。举例而言，发光元件151可以包括对应的发光晶粒151c、对应的第一导电端子151a以及对应的第二导电端子151b。发光元件150(如：发光元件151)的第一导电端子(如：第一导电端子151a)及第二导电端子(如：第二导电端子151b)嵌于线路基板140的其中一个电极对ep的第一上电极119及第二上电极129之间。
76.在本实施例中，第一导电端子(如：第一导电端子151a)可以不接触第一上电极119的顶端(即，第一上电极119最远离第一表面140a之处)，且第二导电端子(如：第二导电端子
151b)可以不接触第二上电极129的顶端(即，第二上电极129最远离第一表面140a之处)。
77.于图1b的步骤中，第一导电端子(如：第一导电端子151a)可以不接触整个第一上电极119，但本发明不限于此。在一可能的实施例中，第一导电端子(如：第一导电端子151a)可以未与第一上电极119电性连接。
78.于图1b的步骤中，第二导电端子(如：第二导电端子151b)可以不接触整个第二上电极129，但本发明不限于此。在一可能的实施例中，第二导电端子(如：第二导电端子151b)可以未与第二上电极129电性连接。
79.在本实施例中，可以将位于载板95上的多个发光元件150配置于线路基板140上。也就是说，于图1b的步骤中，配置于线路基板140上的发光元件150可以包括良好的发光元件151；或是，可以还包括不良的发光元件158(其或许可被称为：电子元件)。
80.请参照图1b至图1c，对至少部分的第一上电极加热，加热后的第一上电极可以电性连接于对应的第一导电端子；且对至少部分的第二上电极加热，加热后的第二上电极电性连接于对应的第二导电端子。
81.为清楚表示或说明，于图1b、图1c及后续类似的附图中，未被加热且/或未被连接于对应的导电端子的第一上电极及第二上电极可以分别以符号119及129标示。于图1c及后续类似的附图中，已被加热或加热中而连接至对应的导电端子的第一上电极及第二上电极可以分别以符号111及121标示。
82.在本实施例中，如图1b至图1c所示，可以对良好的发光元件151所对应的第一上电极111及/或第二上电极121进行加热。
83.在本实施例中，可以通过加热以使第一上电极111的至少一部分熔融。如此一来，可以使第一上电极111直接接触且/或连接于对应的第一导电端子151a。
84.在本实施例中，第一上电极111的熔点小于第一导电端子151a的熔点。在一实施例中，在对第一上电极111加热而熔融时，第一导电端子151a可以仍为固态。在一实施例中，在对第一上电极111加热而熔融时，第一电极110的其余部分(即，第一电极110中不属于第一上电极111的部分)可以仍为固态。
85.在一实施例中，第一上电极111的熔点可以小于500℃。在一实施例中，第一上电极111的熔点可以更小于250℃。在一实施例中，第一上电极111的材质可以包括铋(bismuth；bi)、锡(tin；sn)、铅(lead；pb)、铟(indium；in)、镉(cadmium；cd)、镓(gallium；ga)、其他具有相对低熔点的适宜金属、上述的组合或合金；且第一导电端子151a的材质可以包括金、铜、其他具有相对高熔点的适宜金属、上述的组合或合金。在一可能的实施例中，第一上电极111及第一导电端子151a相接触的部分或材质可以形成对应的共金化合物(intermetallic compound；imc)，而其仍可以被视为第一上电极111及第一导电端子151a相接触。
86.在本实施例中，可以通过加热以使第二上电极121的至少一部分熔融。如此一来，可以使第二上电极121直接接触且/或连接于对应的第二导电端子151b。
87.在本实施例中，第二上电极121的熔点小于第二导电端子151b的熔点。在一实施例中，在对第二上电极121加热而熔融时，第二导电端子151b可以仍为固态。在一实施例中，在对第二上电极121加热而熔融时，第二电极120的其余部分(即，第二电极120中不属于第二上电极121的部分)可以仍为固态。
88.在一实施例中，第二上电极121的材质可以相同或相似于第一上电极111；且第二导电端子151b的材质可以相同或相似于第一导电端子151a。也就是说，第二上电极121的熔点可以小于500℃；或是，更小于250℃。在一可能的实施例中，第二上电极121及第二导电端子151b相接触的部分或材质可以形成对应的共金化合物。
89.在本实施例中，可以通过激光加热的方式对第一上电极111及/或第二上电极121加热。在一实施例中，通过激光lr照射以对第一上电极111及/或第二上电极121进行加热的方式，可能可以在加热的过程中降低对其他元件(如：发光元件150或线路基板140中其他的元件)的损伤或损坏。在一实施例中，适于进行加热的激光lr可以包括红外光激光。
90.在本实施例中，于垂直于第一表面140a的一第二方向d2上，部分的第一上电极111及/或部分的第二上电极121不重叠于发光晶粒(如：发光晶粒151c)。因此，若欲通过激光lr对第一上电极111及/或第二上电极121进行加热，可以将激光lr的光照射方向调整为基本上垂直且面向第一表面140a的方向。然后，对第一上电极111及/或第二上电极121未重叠于发光晶粒(如：发光晶粒151c)的区域进行照射。如此一来，可以在通过激光对第一上电极111及/或第二上电极121进行加热的过程中降低对其他元件(如：发光元件150或线路基板140中其他的元件)的损伤或损坏。另外，通过前述的激光光照射方式，也可以提升于一单位面积内所配置的发光元件150个数。
91.在本实施例中，可以通过类似于前述的方式，以使第一上电极111及第二上电极121分别电性连接于发光元件150的第一导电端子151a及第二导电端子151b。
92.在本实施例中，第一导电端子151a可以不接触第一上电极111的顶端(即，第一上电极111最远离第一表面140a之处)，且第二导电端子151b可以不接触第二上电极121的顶端(即，第二上电极121最远离第一表面140a之处)。
93.相较于对第一上电极119及/或第二上电极129进行加热前，加热后的第一上电极111及/或第二上电极121的厚度可能较薄。举例而言，对第一上电极119加热之前，第一上电极119的顶端与第一表面140a之间具有第一高度h1；对第一上电极111加热之后，第一上电极111的顶端与第一表面140a之间具有第二高度h2；且第一高度h1可以大于第二高度h2。举例而言，对第二上电极129加热之前，第二上电极129的顶端与第一表面140a之间具有第三高度h3；对第二上电极121加热之后，第二上电极121的顶端与第一表面140a之间具有第四高度h4；且第三高度h3可以大于第四高度h4。
94.在图1c中，可以通过对应的驱动电流或电压而使至少部分的良好的发光元件151发光。也就是说，在一实施例中，图1c中的结构已可能被称为发光装置。
95.在本实施例中，于将发光元件150配置于线路基板140上时，线路基板140的第一表面140a上可以不具有绝缘的粘着材料(因无，故无示出或标示)。前述的绝缘粘着材料可以包括胶带(tape)或粘着胶体(glue)，但本发明不限于此。前述的粘着胶体包括聚丙烯酸树脂或其衍申物、环氧树脂或其衍申物、聚氨酯树脂其衍申物、酚类树脂其衍申物、酸烯酯树脂其衍申物、硅烷树脂或其衍申物、其他类似的绝缘树脂或上述的组合，但本发明不限于此。
96.请参照图1c至图1d，在本实施例中，可以移除配置于线路基板140上的不良的发光元件158(其或许可被称为：电子元件)。举例而言，可以通过提取载板95，以使不良的发光元件158自线路基板140上被移除，但本发明不限于此。
97.在本实施例中，第一上电极119及/或第二上电极129未与发光元件158相接触或牢固地连接。如此一来，可以容易地将不良的发光元件158自线路基板140上被移除。
98.在本实施例中，通过前述配置/移除发光元件158的方式，基本上可以降低对第一电极110及/或第二电极120的损伤或损坏。在一实施例中，于配置/移除发光元件158的过程中，甚至可以不会触碰到第一电极110及/或第二电极120。
99.请参照图1d至图1e，在本实施例中，于移除配置于线路基板140上的不良的发光元件158之后，可以将发光元件153配置于线路基板140上。发光元件153可以相同或相似于发光元件151。也就是说，发光元件150可以包括发光晶粒153c、第一导电端子153a以及第二导电端子153b。发光元件153的第一导电端子153a及第二导电端子153b嵌于线路基板140的其中一个电极对ep的第一上电极119及第二上电极129之间。
100.在一实施例中，可以通过相同或相似于发光元件151的配置方法，以将发光元件153配置于线路基板140的第一表面140a上，但本发明不限于此。在一实施例中，发光元件153可以通过取放机构(pick and place mechanism)而被配置于线路基板140上。
101.请参照图1e至图1f，使发光元件153的第一导电端子153a及第二导电端子153b分别电性连接于对应的第一上电极111及第二上电极121。举例而言，可以通过相同或相似于前述的加热方式，以使第一上电极111及/或第二上电极121的至少一部分熔融，可以使第一上电极111及/或第二上电极121直接接触且/或连接于对应的第一导电端子153a及/或第二导电端子153b。
102.经过上述工艺后即可大致上完成本实施例的一种发光装置100的制作。
103.图1f可以是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。图1g是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分俯视图。图1h及图1i是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。举例而言，图1g可以是对应于图1f中区域r1的俯视图，图1h可以是对应于图1f中区域r1的放大图，且图1i可以是对应于图1h中区域r2的放大图。
104.请参照图1g至图1i，以发光元件151对应的区域r1为例，发光装置100包括线路基板140以及发光元件151。线路基板140包括第一电极110及第二电极120。发光元件151包括第一导电端子151a及第二导电端子151b。第一导电端子151a及第二导电端子151b嵌于第一电极110及第二电极120之间。于第一方向d1上，第一电极110的内缘110d与第二电极120的内缘120d之间具有第一距离l1，第一导电端子151a的外缘151e与第二导电端子151b的外缘151f之间具有第二距离l2，且第一距离大l1于或等于第二距离l2。
105.在一实施例中，第一方向d1可以是于具有第一导电端子151a及第二导电端子151b嵌于第一上电极111及第二上电极121之间的剖面(如：图1h所示出的剖面)上，于前述第一上电极111及第二上电极121所属的电极对ep中，第一上电极111与第二上电极121之间具有最短距离的方向。
106.在一实施例中，第一方向d1可以是于具有第一导电端子151a及第二导电端子151b嵌于第一上电极111及第二上电极121之间的剖面(如：图1h所示出的剖面)上，于前述第一导电端子151a及第二导电端子151b所属的发光元件151中，第一导电端子151a的边缘以及第二导电端子151b的边缘之间具有最长距离的方向。
107.在本实施例中，第一距离l1与第二距离l2的比值可以介于1.0～1.1(即，l1/l2＝
1.0～1.1)。
108.在本实施例中，线路基板140可以还包括元件层141。元件层141中可以包含主动元件142或其他可能的电子元件143。电子元件143可以包括其他的主动元件、无源元件或导线。第一电极110及第二电极120的至少其中之一可以电性连接于主动元件142。元件层141可以依据设计上的需求而包括对应的导电层、介电层及/或半导体层。
109.在本实施例中，线路基板140可以还包括绝缘层144。绝缘层144可以覆盖于元件层141上。绝缘层144可以是单一的膜层或多个膜层的堆叠。在一实施例中，至少部分的绝缘层144可能被称为平坦层。在一实施例中，至少部分的绝缘层144可能被称为缓冲层。在一实施例中，至少部分的绝缘层144可能被称为保护层。在一实施例中，至少部分的绝缘层144可能被称为阻焊层。在一实施例中，线路基板140的第一表面140a可以是指最外层的绝缘层144的外表面(或；还包含自其延伸的虚拟面)。
110.在本实施例中，线路基板140的最外层绝缘层144可以不为粘着材料(因无，故无示出或标示)。也就是说，线路基板140的第一表面140a上可以不具有粘着材料。
111.在本实施例中，第一电极110及第二电极120的其中之一可以被称为阳极，第一电极110及第二电极120的其中另一可以被称为阴极。在一实施例的应用上，阳极及阴极可以彼此电性分离。
112.在本实施例中，第一电极110可以包括第一上电极111、第一导电连接层112以及第一下电极113。第一导电连接层112可以夹于第一上电极111与第一下电极113之间。第一下电极113可以贯穿绝缘层144以电性连接于元件层141中的元件(如：主动元件142)。
113.在本实施例中，第一上电极111与元件层141之间的至少其中之一的膜层的导热系数可以小于第一上电极111的导热系数。举例而言，第一下电极113及/或绝缘层141的导热系数可以小于第一上电极111的导热系数。如此一来，在制造发光装置100的过程中(如：进行对第一上电极111加热的步骤)，可以降低对其他元件(如：元件层141中的主动元件142)的热损伤或热损害。
114.在一实施例中，第一下电极113的材质可以包括金属氧化物，但本发明不限于此。举例而言，第一下电极113的材质可以包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、其他适宜的氧化物或是上述至少二者的堆叠，但本发明不限于此。
115.在本实施例中，第一导电连接层112的熔点大于第一上电极111的熔点。在一实施例中，第一导电连接层112的材质可以包括金属。举例而言，第一导电连接层112的材质可以钽(tantalum；ta)、钛(titanium；ti)、其他具有相对高熔点的适宜金属、上述的组合或合金。在一可能的实施例中，熔融的金属在另一金属表面上冷却后的接合力可以大于熔融的金属在另一金属氧化物表面上冷却后的接合力。
116.在一实施例中，在制造发光装置100的过程中(如：进行对第一上电极111加热的步骤)，通过前述的第一导电连接层112可以提升第一上电极111与其他导电元件(如：第一下电极113)之间的电连接品质，且通过前述的第一下电极113可以降低对其他元件(如：元件层中的主动元件)的热损伤或热损害。如此一来，可以提升发光装置100的品质或良率。
117.在本实施例中，第一导电端子151a的外缘151e与第一电极110的内缘110d之间具有第一间距g1。也就是说，第一电极110的内缘110d并未限定(但仍有可能)为对应的第一上电极111的内缘。部分的第一上电极111a可以填入第一间距g1内，但本发明不限于此。在一
实施例中，第一电极110的第一导电连接层112及/或第一下电极113可以不直接接触第一导电端子151a。在一实施例中，部分的第一上电极111可以位于第一导电连接层112与第一导电端子151a之间。
118.在本实施例中，于垂直于第一表面140a的第二方向上d2，第一下电极113于第一表面140a上的投影面积可以大于第一上电极111于第一表面140a上的投影面积。
119.在本实施例中，第二电极120可以包括第二上电极121、第二导电连接层122以及第二下电极123。第二导电连接层122可以夹于第二上电极121与第二下电极123之间。在一实施例中，第二上电极121可以通过第二导电连接层122及第二下电极123电性连接至共电源，但本发明不限于此。
120.在本实施例中，第二上电极121、第二导电连接层122及/或第二下电极123可以分别与第一上电极111、第一导电连接层112及/或第一下电极113具有相同或相似类似的材质及/或功能，故于此不加以重复描述。
121.在本实施例中，第二导电端子151b的外缘151f与第二电极120的内缘120d之间具有第二间距g2。也就是说，第二电极120的内缘120d并未限定(但仍有可能)为对应的第二上电极121的内缘。部分的第二上电极121可以填入第二间距g2内，但本发明不限于此。在一实施例中，第二电极120的第二导电连接层122及/或第二下电极123可以不直接接触第二导电端子151b。在一实施例中，部分的第二上电极121可以位于第二导电连接层122与第二导电端子151b之间。
122.在本实施例中，于垂直于第一表面140a的第二方向d2上，第二下电极123于第一表面140a上的投影面积可以大于第二上电极121于第一表面140a上的投影面积。
123.在本实施例中，发光元件151可以还包括发光晶粒151c。发光晶粒151c可以第一导电层151c1、第一半导体层151c2、发光层151c3、第二半导体层151c4、第二导电层151c5以及图案化绝缘层151c6。图案化绝缘层151c6可以覆盖第一导电层151c1、第一半导体层151c2、发光层151c3、第二半导体层151c4及/或第二导电层151c5。图案化绝缘层151c6可以具有暴露第一导电层151c1的开口，以使第一导电端子151a可以通过第一导电层151c1电性连接于第一半导体层151c2。图案化绝缘层151c6可以具有暴露第二导电层151c5的开口，以使第二导电端子151b可以通过第二导电层151c5电性连接于第二半导体层151c4。发光晶粒151c的一发光面151c7可以面离线路基板140。
124.图2是依照本发明的第二实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。本实施例的发光装置200的制造方法与发光装置100的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。
125.请参照图2，在本实施例中，发光装置200包括线路基板140以及发光元件151。于第一方向d1上，第一电极110的内缘110d与第二电极120的内缘120d之间具有第一距离l1，第一导电端子151a的外缘151e与第二导电端子151b的外缘151f之间具有第二距离l2，且第一距离l1基本上等于第二距离l2。
126.在本实施例中，第一电极110的第一上电极111、第一导电连接层112及/或第一下电极113可以直接接触第一导电端子151a。
127.在本实施例中，第二电极120的第二上电极121、第二导电连接层122及/或第二下电极123可以直接接触第二导电端子151b。
128.图3是依照本发明的第三实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。本实施例的发光装置300的制造方法与发光装置100的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。
129.在本实施例中，第一电极110的第一下电极113可以还包括第一电极延伸区314。于制造发光装置300的过程中(如：将发光元件150配置于线路基板140上的步骤)，第一电极延伸区314可能可以降低发光元件(如：发光元件151或其他类似的发光元件)的偏移。
130.在本实施例中，第二电极的第二下电极123可以还包括第二电极延伸区324。于制造发光装置300的过程中(如：将发光元件150配置于线路基板140上的步骤)，第二电极延伸区324可能可以降低发光元件(如：发光元件151或其他类似的发光元件)的偏移。
131.综上所述，本发明通过线路基板的第一电极及第二电极与发光元件的第一导电端子及第二导电端子之间对应的配置方式，可以使发光装置在其制造过程的修复较为容易，且可以降低制造过程中元件可能的损伤或损坏。如此一来，可以使发光装置具有较佳的品质。