芯片转移方法与流程

1.本技术属于显示设备技术领域，尤其涉及一种芯片转移方法。


背景技术：

2.微型化发光二极管(micro-led)显示器是微型化发光二极管阵列，也就是将发光二极管结构设计进行薄膜化、微小化及阵列化后，巨量转移到驱动背板上，再利用物理沉积技术生成保护层，即可形成纳米级间距的微型化发光二极管。micro led相比lcd、oled亮度、效率更高，响应时间更短，寿命更长，工作范围更宽，被认为是终极显示，可以应用于电视、增强和虚拟现实(ar/vr)、车载显示、可穿戴设备以及智能手机等终端产品上。
3.在微型化发光二极管批量转移过程中，由于不同颜色的微型化发光二极管厚度不同，因此批量转移时会影响转移的压力均一性，使得转移良率较低。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种芯片转移方法，使用该芯片转移方法进行发光芯片的批量转移时，各个发光芯片所受的压力均一，从而提升了各个发光芯片的转移良率。
5.本技术实施例提供了一种芯片转移方法，包括：
6.提供驱动背板及转移基板，所述转移基板上承载有多个发光芯片，所述多个发光芯片中一部分的发光芯片相对于该一部分以外的其它发光芯片，在所述转移基板的厚度方向上具有厚度差；
7.对所述多个发光芯片通过补断差方式去除厚度差，形成一平整压合面；
8.对所述平整压合面施力，以使发光芯片压合至所述驱动背板。
9.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，所述补断差方式包括：
10.对所述转移基板图案化处理，在所述转移基板上形成具有多个凹陷容纳部的承载面，以填补所述多个发光芯片的所述厚度差。
11.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，所述多个发光芯片中所述一部分的发光芯片的厚度大于所述该一部分以外的其它发光芯片的厚度；
12.所述转移基板的所述承载面上所述一部分的发光芯片对应分布于所述凹陷容纳部内，所述多个发光芯片背向所述承载面一侧形成所述平整压合面，并通过所述平整压合面压合至所述驱动背板。
13.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，在所述提供驱动背板及转移基板之前还包括：
14.提供初始生长有发光芯片的发光芯片衬底和至少一个临时键合基板，将发光芯片由所述发光芯片衬底转移至所述临时键合基板。
15.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，所述补断差方式包括：
16.对所述驱动背板进行图案化处理，形成具有多个凹陷容纳部的连接面。
17.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，所述多个发光芯片中所述一部分的发光
芯片的厚度大于所述该一部分以外的其它发光芯片的厚度；
18.在所述转移基板上所述一部分的发光芯片的背向所述转移基板一侧凸出于所述该一部分以外的其它发光芯片；
19.将所述多个发光芯片由所述转移基板转移至所述驱动背板具有多个凹陷容纳部的连接面，以使所述一部分的发光芯片对应分布于所述凹陷容纳部内，所述多个发光芯片背向所述连接面一侧形成所述平整压合面；
20.对所述平整压合面施力，以使所述多个发光芯片压合至所述驱动背板。
21.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，在所述提供驱动背板及转移基板之前还包括：
22.提供第一临时键合基板、第二临时键合基板和第三临时键合基板，所述第一临时键合基板上承载有在所述第一临时键合基板的厚度方向上厚度相同的多个发光芯片，所述第二临时键合基板上承载有在所述第二临时键合基板的厚度方向上厚度相同的多个发光芯片，所述第三临时键合基板上承载有在所述第三临时键合基板的厚度方向上厚度相同的多个发光芯片，且位于所述第一临时键合基板上的多个所述发光芯片在所述第一临时键合基板的厚度方向上厚度、等于位于所述第二临时键合基板上的多个所述发光芯片在所述第二临时键合基板的厚度方向上厚度，位于所述第三临时键合基板上的多个所述发光芯片在所述第三临时键合基板的厚度方向上厚度、大于位于所述第二临时键合基板上的多个所述发光芯片在所述第二临时键合基板的厚度方向上厚度；
23.将所述第一临时键合基板上的多个所述发光芯片以及所述第二临时键合基板上的多个所述发光芯片转移至所述转移基板，再将所述第三临时键合基板上的多个所述发光芯片转移至所述转移基板。
24.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，所述临时键合基板包括临时键合基板衬底以及形成于所述临时键合基板衬底上的第一连接层，所述第一连接层包括第一胶体层；
25.优选地，所述第一胶体层通过旋涂工艺制备形成，所述第一胶体层的材质为聚合物树脂材料或聚酰亚胺材料；或者，
26.所述第一连接层包括第一基底层以及形成于所述第一基底层背离所述临时键合基板衬底一侧的多个连接端；
27.优选地，所述第一基底层采用沉积工艺形成，所述第一基底层的材质为氮化镓，所述连接端的材质为铟或锡。
28.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，所述转移基板包括转移基板衬底和形成于所述转移基板衬底上、用于固定所述发光芯片的第二连接层，所述第二连接层为胶体层。
29.根据本技术实施例提供的芯片转移方法，所述转移基板包括转移基板衬底和形成于所述转移基板衬底上、用于固定所述发光芯片的第二连接层，所述为聚二甲基硅氧烷层；
30.优选地，所述聚二甲基硅氧烷层包括多个与所述发光芯片一一对应的芯片固定部。
31.与现有技术相比，在使用本技术实施例提供的芯片转移方法，进行发光芯片转移的过程中，可以对不同厚度的芯片、即固定于转移基板后在转移基板厚度方向上的尺寸不同的多个发光芯片进行良好的转移，本技术提供的芯片转移方法中，通过补断差方式去除不同厚度的发光芯片之间的厚度差，从而可以在压合过程中，使得各个发光芯片片朝向驱
动背板的一侧均与驱动背板接触，同时使得各个发光芯片背离连接面的一侧均与转移基板接触，从而使得各个发光芯片朝向驱动背板的一侧以及背离驱动背板的一侧都受到压合力，且通过补断差方式去除多个发光芯片之间的厚度差后，使得在压合过程中，相对的驱动背板和转移基板各个位置之间的距离均为位于各个位置处的发光芯片的实际厚度，使得各个发光芯片所受的压力均一，提升了各个发光芯片的转移良率。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1是本技术实施例提供的一种芯片转移方法的流程图；
34.图2是本技术实施例提供的一种芯片转移方法在转移过程中发光芯片固定于转移基板的结构示意图；
35.图3是本技术实施例提供的一种芯片转移方法在转移过程中转移基板与驱动背板压合时的过程示意图；
36.图4是本技术实施例提供的一种芯片转移方法在转移完成后的结构示意图；
37.图5是本技术实施例提供的一种芯片转移方法中一种转移基板的图案化结构示意图；
38.图6是本技术实施例提供的一种芯片转移方法中另一种转移基板的图案化结构示意图；
39.图7是本技术实施例提供的一种芯片转移方法中的驱动背板的图案化结构示意图；
40.图8是本技术实施例提供的一种芯片转移方法在转移过程中转移基板与驱动背板压合时的过程示意图；
41.图9是本技术实施例提供的一种芯片转移方法中蓝色发光芯片由发光芯片衬底转移至临时键合基板过程示意图；
42.图10是本技术实施例提供的一种芯片转移方法中绿色发光芯片由发光芯片衬底转移至临时键合基板过程示意图；
43.图11是本技术实施例提供的一种芯片转移方法中红色发光芯片由发光芯片衬底转移至临时键合基板过程示意图；
44.图12是本技术实施例提供的一种芯片转移方法中红色发光芯片与发光芯片衬底剥离过程示意图；
45.图13是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中的驱动背板的图案化结构示意图；
46.图14是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中的一种转移基板的图案化结构示意图；
47.图15是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中的另一种转移基板的图案化结构示意图；
48.图16是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法在转移过程中转移基板与驱动背板压合时的过程示意图；
49.图17是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法在转移完成后的结构示意图；
50.图18是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中蓝色发光芯片由发光芯片衬底转移至第一临时键合基板的过程示意图；
51.图19是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中绿色发光芯片由发光芯片衬底转移至第二临时键合基板的过程示意图；
52.图20是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中红色发光芯片由发光芯片衬底转移至第三临时键合基板的过程示意图；
53.图21是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中蓝色发光芯片由临时键合基板转移至转移基板的过程示意图；
54.图22是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中绿色发光芯片由临时键合基板转移至转移基板的过程示意图；
55.图23是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中红色发光芯片由临时键合基板转移至转移基板的过程示意图；
56.图24是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中一种临时键合基板的结构示意图；
57.图25是本技术实施例提供的另一种芯片转移方法中另一种临时键合基板的结构示意图。
58.附图中：
59.1-转移基板；11-承载面；12-转移基板衬底；13-第二连接层；14-芯片固定部；15-第一缓冲层；2-凹陷容纳部；3-驱动背板；31-连接面；32-驱动背板衬底；33-连接部；4-临时键合基板；41-临时键合基板衬底；42-第一连接层；421-第一基底层；422-连接端；4a-第一临时键合基板；4b-第二临时键合基板；4c-第三临时键合基板；5-发光芯片；51-红色发光芯片；52-绿色发光芯片；53-蓝色发光芯片；54-胶层；55-电极；6-发光芯片衬底；7-缓冲层；8-光罩；81-透光部；82-遮光部。
具体实施方式
60.下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本技术的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术的更好的理解。
61.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
62.为了更好地理解本技术，下面结合图1至图25根据本技术实施例提供的芯片转移方法进行详细描述。
63.请参阅图1所示，本技术实施例提供了一种芯片转移方法，包括：
64.s101，提供驱动背板3及转移基板1，转移基板1上承载有多个发光芯片5，多个发光芯片5中一部分的发光芯片5相对于该一部分以外的其它发光芯片5，在转移基板1的厚度方向上具有厚度差，如图2和图3所示；
65.s102，对多个发光芯片5通过补断差方式去除厚度差，形成一平整压合面a，如图2所示；
66.s103，对平整压合面a施力，以使发光芯片5压合至驱动背板3，如图3和图4所示。
67.本技术提供了一种芯片转移方法，在使用该芯片转移方法进行发光芯片5转移的过程中，可以对不同厚度的芯片、即固定于转移基板1后在转移基板1厚度方向上的尺寸不同的多个发光芯片5进行良好的转移，本技术提供的芯片转移方法中，通过补断差方式去除不同厚度的发光芯片5之间的厚度差，从而可以在压合过程中，使得各个发光芯片5片朝向驱动背板3一侧均与驱动背板3接触，同时使得各个发光芯片5背离驱动背板3的一侧均与转移基板1接触，从而使得各个发光芯片5朝向驱动背板3的一侧以及背离驱动背板3的一侧都受到压合力，且通过补断差方式去除多个发光芯片5之间的厚度差后，使得在压合过程中，相对的驱动背板3和转移基板1各个位置之间的距离均为位于各个位置处的发光芯片的实际厚度，使得各个发光芯片5所受的压力均一，提升了各个发光芯片5的转移良率。
68.在一种可行的实施方式中，步骤s102中的补断差方式包括：
69.s1021，对转移基板1图案化处理，在转移基板1上形成具有多个凹陷容纳部2的承载面11，以填补多个发光芯片5的厚度差，如图5所示。
70.上述实施方式中，请参考图2和图5，形成于转移基板1上的凹陷容纳部2沿转移基板1厚度方向的深度为与该凹陷容纳部2对应的发光芯片5与其他未与凹陷容纳部2对应的发光芯片5之间的厚度差，从而使得各个发光芯片5均固定于转移基板1之后，各发光芯片5背离转移基板1的一侧表面均位于同一平面上从而形成平整压合面a。
71.在一种可行的实施方式中，如图5所示，转移基板1包括转移基板衬底12和形成于转移基板衬底12上、用于固定发光芯片5的第二连接层13。
72.在一种可行的实施方式中，如图5所示，第二连接层13为胶体层，具体地，可以为光敏胶层，当第二连接层13为光敏胶层时，可以通过曝光显影工艺或者灰化工艺将该光敏胶层进行图案化，使得该光敏胶层中部分区域的厚度小于另一部分区域的厚度以形成凹陷容纳部2，且使得凹陷容纳部2的深度等于厚度较厚的发光芯片5与厚度较薄的发光芯片5的厚度差，从而使得固定于转移基板1的发光芯片5背离转移基板1的一侧位于同一平面上以形成平整压合面a，如图3所示，以便于与驱动背板3压合。
73.在另一种可行的实施方式中，第二连接层13为聚二甲基硅氧烷层，具体地，如图6所示，聚二甲基硅氧烷层包括多个与发光芯片5一一对应的芯片固定部14，在转移基板1的制备过程中，可以采用旋涂工艺涂覆形成聚二甲基硅氧烷层，并通过曝光显影过程将聚二甲基硅氧烷层图形化，仅保留与发光芯片5对应的位置、以形成与发光芯片5一一对应的芯片固定部14，其中，各个芯片固定部14中，与厚度较厚的发光芯片5相对的芯片固定部14的厚度、小于与厚度较薄的发光芯片5相对的芯片固定部14的厚度，从而使得固定于转移基板
1的发光芯片5背离转移基板1的一侧位于同一平面上以形成平整压合面a，如图7所示，以便于与具有平整连接面31的驱动背板3压合。
74.在一种可行的实施方式中，如图5和图6所示，转移基板1还包括形成于转移基板衬底12以及第二连接层13之间的第一缓冲层15，从而可以在转移的过程中保护发光芯片5，防止发光芯片5损坏，提升发光芯片5的转移良率。
75.在一种可行的实施方式中，如图2和图3所示，多个发光芯片5中一部分的发光芯片5的厚度大于该一部分以外的其它发光芯片5的厚度；
76.转移基板1的承载面11上一部分的发光芯片5对应分布于凹陷容纳部2内，多个发光芯片5背向承载面11一侧形成平整压合面a，并通过平整压合面a压合至驱动背板3。
77.本技术中的发光芯片5可以为微型化发光二极管(micro-led)，也可以为其它的可以发光的芯片，本技术不做特别限定。
78.当上述发光芯片5为微型化发光二极管(micro-led)时，具体地，如图3和图9所示，发光芯片5可以包括发红光的红色发光芯片51、发绿光的绿色发光芯片52以及发蓝光的蓝色发光芯片53，红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53分别生长于不同的发光芯片衬底上，例如，用于生长红色发光芯片51的衬底为砷化镓材质，然后转移到蓝宝石衬底上作为其发光芯片衬底6，红色发光芯片51通过胶层54与发光芯片衬底6固定，从而使得红色发光芯片51与发光芯片衬底6分离后、红色发光芯片51中背离电极55的一侧具有胶层54，在红色发光芯片51与衬底剥离后，胶层54存留于红色发光芯片51背离电极55的一侧成为红色发光芯片51的一部分，而蓝色发光芯片53和绿色发光芯片52的发光芯片衬底6为蓝宝石衬底，剥离后无残留，从而使得红色发光芯片51的厚度大于绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53的厚度，红色发光芯片51的厚度超出绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53的厚度的部分即为胶层54的厚度，需要说明的是，本技术中的红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53的厚度指的是电极55一侧以及背离电极55一侧之间的距离，即将红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53固定于转移基板1后，发光芯片5沿转移基板1厚度方向的尺寸，其中，红色发光芯片51的厚度为红色发光芯片51的电极55背离胶层54一侧平面与胶层54背离电极55一侧平面之间的距离。
79.在上述芯片转移方法中，如图2和图5所示，在转移基板1的承载面11上形成有凹陷容纳部2，在将红色发光芯片51转移到转移基板1的过程中，将红色发光芯片51背离电极55一侧的胶层54容纳于凹陷容纳部2内，在将绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53转移到转移基板1的过程中，将绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53背离电极55的一侧固定于承载面11上，从而使得转移到转移基板1上的红色发光芯片51、绿色发光芯片52和蓝色发光芯片53中背离转移基板1的一侧位于同一平面、以形成平整压合面a。
80.具体地，如图8所示，驱动背板3包括驱动背板衬底32以及形成于驱动背板衬底32上的连接部33，连接部33可以为焊接端子等，各个连接部33均形成于驱动背板衬底32的连接面31，在将转移基板1上的各个发光芯片5转移至驱动背板3时，将各个发光芯片5的电极55与连接面31上的连接部33一一对应连接即可。各个连接部33的大小相同且均位于连接面31，由于连接面31为平面，因此各个连接部33背离驱动背板衬底32的一侧位于同一平面。由于各个发光芯片5的电极55背离转移基板1的一侧均位于平整压合面，且各个连接部33背离驱动背板衬底32的一侧位于同一平面，因此在将各个发光芯片5与各个连接部33一一对应
连接时，各个发光芯片5的电极55与各个连接部33之间可同时一一对应接触，且接触良好，以保证各个发光芯片5与各个连接部33的良好连接，从而提升各个发光芯片5的良率。
81.在上述芯片转移方法中，当转移基板1中包括多个凹陷容纳部2、驱动背板3中用于与发光芯片5固定的连接面31为平整的表面时，在提供驱动背板3及转移基板1之前还包括：
82.s1001：提供初始生长有发光芯片5的发光芯片衬底6和至少一个临时键合基板4，将发光芯片5由所述发光芯片衬底6转移至所述临时键合基板4。
83.发光芯片5固定于发光芯片衬底6上，当发光芯片5为微型化发光二极管(micro-led)时，发光芯片5可以包括发红光的红色发光芯片51、发绿光的绿色发光芯片52以及发蓝光的蓝色发光芯片53，红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53分别生长于不同的发光芯片衬底6上，将红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53由各自的发光芯片衬底6转移至临时键合基板4，当将红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53转移至一个临时键合基板4上时，需要将厚度较小的绿色发光芯片52、蓝色发光芯片53由各自的发光芯片衬底6上依次转移至临时键合基板4，如图9和图10所示，转移先后顺序不做限定，本技术图9和图10为先转移蓝色发光芯片53、在转移绿色发光芯片52的实施方式；最后转移红色发光芯片51，如图10所示，以避免由于发光芯片5高度不同而在转移过程中发生干涉。
84.如图9、图10和图11所示，当发光芯片5为微型化发光二极管(micro-led)时，发光芯片衬底6与各个发光芯片5之间形成有缓冲层7，将发光芯片5由发光芯片衬底6转移至临时键合基板4时，可以通过激光照射以使缓冲层7解离，从而使得发光芯片5与发光芯片衬底6剥离、后与临时键合基板4固定，采用激光照射时，可以采用单点激光垂直照射与需要转移的发光芯片5相对的衬底、或者采用发散的激光照射衬底中与需要转移的发光芯片5相对应的部分。
85.在一种可行的实施方式中，在将发光芯片5与发光芯片衬底6进行剥离时，可通过光罩8对激光照射到的芯片衬底6的位置进行限定，使得激光仅照射到发光芯片衬底6中与要转移的发光芯片5相对的位置，以对缓冲层7中与要转移的芯片相对的位置进行解离；当采用激光照射解离缓冲层7时，如图12所示，可将光罩8设置于发光芯片衬底6背离发光芯片5一侧，且光罩8包括遮光部82和透光部81，使得光罩8的透光部81与需要转移的发光芯片5相对、即可使得激光经透光部81照射到缓冲层7中与需要转移的发光芯片5相对的位置，从而使得缓冲层7中与需要转移的发光芯片5相对的位置被解离，即使得缓冲层7由固态转变为气态等，从而使得发光芯片5与发光芯片衬底6剥离。
86.在另一种可行的实施方式中，步骤s102中的补断差方式包括：
87.s1022，对驱动背板3进行图案化处理，形成具有多个凹陷容纳部2的连接面31，如图13所示。
88.上述实施方式中，如图13所示，形成于驱动背板3上的凹陷容纳部2沿驱动背板3厚度方向的深度为与该凹陷容纳部2对应的发光芯片5与其他未与凹陷容纳部2对应的发光芯片5之间的厚度差，从而可容纳厚度较大的发光芯片5，使得固定于驱动背板3的各个发光芯片5背离驱动背板3的一侧表面均位于同一平面上。
89.在上述实施方式中，如图13所示，驱动背板衬底32的材质可以为无机材料，例如氧化硅等，可以采用干刻工艺形成凹陷容纳部2。
90.如图13所示，驱动背板3包括驱动背板衬底32以及形成于驱动背板衬底32上的连接部33，驱动背板衬底32包括连接面31，且驱动背板衬底32上形成有凹陷容纳部2，部分连接部33位于凹陷容纳部2内，另一部分连接部33位于连接面31未与凹陷容纳部2对应的位置处。发光芯片5转移到驱动背板3上时，部分发光芯片5位于凹陷容纳部2内且与凹陷容纳部2内的连接部33对应连接、另一部分发光芯片5位于驱动背板3未与凹陷容纳部2对应的位置处且与此处的连接部33对应连接。
91.在上述实施方式中，发光芯片5与驱动背板3的固定过程中，驱动背板3上的连接部33为焊接端子时，需要对转移基板1向驱动背板3一侧施加温度和压力，以使发光芯片5的电极55与驱动背板3上的连接部33一一对应焊接固定。
92.在上述实施方式中，如图14和图15所示，转移基板1包括转移基板衬底12和形成于转移基板衬底12上、用于固定发光芯片5的第二连接层13，第二连接层13背离转移基板衬底12的一侧为平面，从而使得转移基板1上一部分的发光芯片5的背向转移基板1一侧凸出于该一部分以外的其它发光芯片5。
93.在一种可行的实施方式中，如图14所示，第二连接层13为胶体层；在进行发光芯片5的转移时，可通过激光照射胶体层使其脱粘性，从而使得发光芯片5与转移基板1剥离。
94.或者，如图15所示，第二连接层13为聚二甲基硅氧烷层，可以采用旋涂工艺涂覆形成聚二甲基硅氧烷层；具体地，聚二甲基硅氧烷层包括多个与发光芯片5一一对应的芯片固定部14。
95.在上述实施方式中，转移基板1还包括形成于转移基板衬底12以及第二连接层13之间的第一缓冲层15，从而可以在转移的过程中保护发光芯片5，防止发光芯片5损坏，提升发光芯片5的转移良率，同时在将转移基板1与驱动背板3压合时，可以有效防止加压过程对发光芯片5的电极55和驱动基板3的连接部33造成损伤。
96.在一种可行的实施方式中，多个发光芯片5中一部分的发光芯片5的厚度大于该一部分以外的其它发光芯片5的厚度；
97.在转移基板1上一部分的发光芯片5的背向转移基板1一侧凸出于该一部分以外的其它发光芯片5，如图16所示；
98.将多个发光芯片5由转移基板1转移至驱动背板3具有多个凹陷容纳部2的连接面31，以使一部分的发光芯片5对应分布于凹陷容纳部2内，多个发光芯片5背向连接面31一侧形成平整压合面a，如图16所示；
99.对平整压合面a施力，以使多个发光芯片5压合至驱动背板3，如图17所示。
100.在上述实施方式中，当发光芯片5为微型化发光二极管(micro-led)时，发光芯片5可以包括发红光的红色发光芯片51、发绿光的绿色发光芯片52以及发蓝光的蓝色发光芯片53，红色发光芯片51的厚度大于绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53的厚度。在将红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53进行转移时，转移基板1用于固定红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53的表面为平面，如图16所示，从而红色发光芯片51背离转移基板1的一侧凸出于绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53背离转移基板1的一侧，凸出的距离则为红色发光芯片51背离电极55一侧的胶层54的厚度；当将红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53转移到驱动背板3时，红色发光芯片51位于凹陷容纳部2内以使红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53背离驱动背板3的一
侧形成平整压合面a，在与具有平面的转移基板1压合时，相对的驱动背板3和转移基板1各个位置之间的距离均为位于各个位置处的发光芯片的实际厚度，使得各个发光芯片5所受的压力均一，提升了各个发光芯片5的转移良率。
101.在上述芯片转移方法中，当转移基板1中用于与发光芯片5固定的表面为平整的表面、驱动背板3中包括多个凹陷容纳部2时，在提供驱动背板3及转移基板1之前还包括：
102.s1002：提供第一临时键合基板4a、第二临时键合基板4b和第三临时键合基板4c，所述第一临时键合基板4a上承载有在所述第一临时键合基板4a的厚度方向上厚度相同的多个发光芯片5，所述第二临时键合基板4b上承载有在所述第二临时键合基板4b的厚度方向上厚度相同的多个发光芯片5，所述第三临时键合基板4c上承载有在所述第三临时键合基板4c的厚度方向上厚度相同的多个发光芯片5，且位于所述第一临时键合基板4a上的多个所述发光芯片5在所述第一临时键合基板4a的厚度方向上的厚度、等于位于所述第二临时键合基板4b上的多个所述发光芯片5在所述第二临时键合基板4b的厚度方向上的厚度，位于所述第三临时键合基板4c上的多个所述发光芯片在所述第三临时键合基板4c的厚度方向上的厚度、大于位于所述第二临时键合基板4b上的多个所述发光芯片5在所述第二临时键合基板4b的厚度方向上的厚度，如图18、图19和图20所示；
103.s1003：将所述第一临时键合基板4a上的多个所述发光芯片5以及所述第二临时键合基板4b上的多个所述发光芯片5转移至所述转移基板，再将所述第三临时键合基板4c上的多个所述发光芯片5转移至所述转移基板1，如图21、图22和图23所示。
104.上述实施方式中，由于发光芯片5中部分发光芯片5的厚度大于另一部分发光芯片5的厚度，且临时键合基板4中用于固定发光芯片5的一侧位于同一表面，因此当将厚度不同的发光芯片5转移到同一个临时键合基板4后、在与具有用于与发光芯片5固定的表面为平整的表面的转移基板1对位转移时，容易使得厚度较小的发光芯片5与厚度较大的发光芯片5受力不同，因此需要提供至少两个临时键合基板4，使得每个临时键合基板4上的发光芯片5厚度一致，具体地，当发光芯片5为微型化发光二极管(micro-led)时，发光芯片5可以包括发红光的红色发光芯片51、发绿光的绿色发光芯片52以及发蓝光的蓝色发光芯片53，当将红色发光芯片51、绿色发光芯片52以及蓝色发光芯片53转移至临时键合基板4上时，需要将厚度较小的绿色发光芯片52、蓝色发光芯片53由各自的发光芯片衬底6上依次转移至一个(或多个)临时键合基板4，转移先后顺序不做限定，在一种实施方式中，采用第一临时键合基板4a、第二临时键合基板4b和第三临时键合基板4c转移三种颜色的发光芯片5，如图18、图19所示，为将蓝色发光芯片53均转移到第一临时键合基板4a、将绿色发光芯片52均转移到第二临时键合基板4b；将红色发光芯片51转移至第三临时键合基板4c，如图20所示,。
105.当将发光芯片5由临时键合基板4转移至转移基板1时，先将蓝色发光芯片53由第一临时键合基板4a移至转移基板1并将绿色发光芯片52由第一临时键合基板4b转移至转移基板1，如图21和图22所示；最后将红色发光芯片51由第三临时键合基板4c转移至转移基板1，如图23所示，以避免由于发光芯片5厚度不同而在转移过程中发生干涉。
106.在一种可行的实施方式中，如图24所示，临时键合基板4包括临时键合基板衬底41以及形成于临时键合基板衬底41上的第一连接层42，第一连接层42包括第一胶体层或激光可解离的粘性层，此时，发光芯片5与临时键合基板4的固定方式为：将发光芯片5的电极55与第一连接层42粘接固定。
107.在一种可行的实施方式中，第一胶体层通过旋涂工艺制备形成，第一胶体层的材质为聚合物树脂材料或聚酰亚胺材料。在进行发光芯片5的转移时，可通过激光照射第一胶体层使其脱粘性，从而使得发光芯片5与临时键合基板剥离。
108.在另一种可行的实施方式中，如图25所示，第一连接层42包括第一基底层421以及形成于第一基底层421背离临时键合基板衬底41一侧的多个连接端422，具体地，第一基底层421采用沉积工艺形成，第一基底层421的材质可以为氮化镓，连接端422的材质为铟或锡，此时，发光芯片5与临时键合基板4的固定方式为：将发光芯片5的电极55与连接端422焊接固定。
109.以上，仅为本技术的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本技术的保护范围之内。
110.还需要说明的是，本技术中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本技术不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。