技术特征：
1.一种氧化物薄膜晶体管，包括：基底；栅电极，设置在基底上；介质层，设置在基底上并覆盖栅电极；有源层，设置在介质层上，并与栅电极叠置；源电极和漏电极，分别设置在有源层的上表面及侧表面上，与有源层接触，并且源电极和漏电极彼此分隔开；最上层为钝化层；其特征在于：所述介质层材料为聚丙烯酸苯酯ppa；所述有源层材料为ga2o3纳米线；所述钝化层的材质为掺p的si3n4薄膜。2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述ga2o3纳米线的直径为100
‑
350nm，长度为1μm
‑
1.6μm，有源层厚度为160nm
‑
350nm。3.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述ppa的厚度为200nm
‑
500nm；优选为200nm。4.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：掺p的si3n4薄膜中，p的浓度为5
×
10
19
/cm3‑8×
10
20
/cm3；进一步的，掺p的si3n4薄膜厚度为500
‑
700nm，优选为600nm。5.权利要求1
‑
4任一项所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：(1)将栅极沉积在基底背部；(2)在基底上依次沉积ppa作为介质层和ga2o3纳米线作为有源层；(3)采用光刻技术将源极和漏极的图形转移到有源层的上表面及侧表面上；(4)在源极和漏极的图形上分别沉积源极和漏极；(5)最上层沉积掺p的si3n4薄膜作为钝化层，得到所述氧化物薄膜晶体管。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：ppa采用浸渍提拉法制备；或，ga2o3纳米线采用磁控溅射和热氧化法制备；或，掺p的si3n4薄膜采用磁控溅射法制备。7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：ga2o3纳米线采用h2+n2o对其进行退火处理后再作为有源层；进一步的，h2占体积比为5％
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18％，优选为10％；进一步的，所述退火温度为150
‑
260℃，时间为10
‑
20分钟；优选的，温度为190℃，时间为15min。8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：掺p的si3n4薄膜采用紫外线进行快速退火处理后再作为钝化层；进一步的，紫外线的波长为180nm
‑
350nm；优选为193nm；进一步的，退火处理时间为20秒
‑
50秒，优选为30s。9.一种阵列基板，其特征在于：包括权利要求1
‑
4任一项所述的氧化物薄膜晶体管。10.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求9所述的阵列基板。
技术总结
本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法与应用。所述氧化物薄膜晶体管、包括：基底；栅电极，设置在基底上；介质层，设置在基底上并覆盖栅电极；有源层，设置在介质层上，并与栅电极叠置；源电极和漏电极，分别设置在有源层的上表面及侧表面上，与有源层接触，并且源电极和漏电极彼此分隔开；最上层为钝化层；所述介质层材料为聚丙烯酸苯酯PPA；所述有源层材料为Ga2O3纳米线；所述钝化层的材质为掺P的Si3N4薄膜。本发明提供的薄膜晶体管具有极小的阈值电压漂移，实现了高稳定性氧化物薄膜晶体管的制备，有助于产业化的实施。于产业化的实施。于产业化的实施。
技术研发人员：李玉国 耿树吉 王路
受保护的技术使用者：山东师范大学
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/11/28