一种宽带高频空间功率合成器的制作方法

本发明涉及功率合成器领域，特别是涉及一种宽带高频空间功率合成器。

背景技术：

1、功放芯片的输出功率和增益会随着应用频段的升高而滚降，为了满足毫米波系统对高输出功率的要求，可以利用功率合成器对多个功放芯片进行功率合成以实现高功率水平。目前，在功率合成技术中，空间合成技术能满足多芯片、高功率的设计，典型的空间功率合成技术中采用托盘式波导内空间功率合成器进行空间功率合成。

2、现有的托盘式波导内空间功率合成器的工作频带通常为c波段到ku波段(4ghz-18.1ghz)，为了防止搭载功放芯片阵列的腔体出现谐振，通常采用在腔体壁上粘贴吸波材料和缩小腔体的尺寸的方式。但是，在腔体壁上粘贴吸波材料会导致合成器功率和增益的降低，而减小腔体尺寸意味着要牺牲芯片和偏置电路的布局空间，使得空间功率合成器在更高频率下的功率合成难以实现。

技术实现思路

1、为了解决上述的技术问题，本发明的目的是提供一种宽带高频空间功率合成器，能够避免谐振出现在合成器的工作频带，实现宽带高频的空间功率合成器。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种宽带高频空间功率合成器，包括隔板和两个底座，所述隔板设置在两个所述底座之间，所述底座和所述隔板形成两个波导腔，各所述波导腔中设有第一pcb板，所述第一pcb板上设有射频电路，所述隔板面向所述第一pcb板的两个面设有第二pcb板，所述第二pcb板上设有ebg结构。

4、进一步，所述射频电路中设有天线阵列、微带匹配网络和mmic阵列，所述天线阵列通过所述微带匹配网络与所述mmic阵列连接。

5、进一步，所述天线阵列为鳍线形式。

6、进一步，所述鳍线形式包括单极鳍线、双极鳍线和对极鳍线中的任意一种。

7、进一步，所述ebg结构中包含ebg单元组成的阵列。

8、进一步，所述ebg单元包括金属层、介质层和过孔，所述过孔设置在所述介质层中，所述金属层包括顶面金属层和底面金属层，所述金属层设置在所述介质层由所述过孔连通的两个面上，所述底面金属层设置在所述介质层面向所述第二pcb板的面上。

9、进一步，所述ebg单元中还包括空气腔，所述空气腔位于所述顶面金属层背对所述介质层的一方。

10、进一步，所述射频电路中还设有偏置电路，所述偏置电路由smt贴片元件构成。

11、本发明的有益效果是：

12、本发明的一种宽带高频空间功率合成器，通过在隔板面朝射频电路pcb板的面上设置ebg结构的pcb板，能有效避免谐振模对合成器的影响；通过设置ebg结构的pcb板，不需要缩小波导腔的尺寸，并且ebg结构不需要将波导腔隔开，不会影响第一pcb板的电路布局。

技术特征：

1.一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，包括隔板和两个底座，所述隔板设置在两个所述底座之间，所述底座和所述隔板形成两个波导腔，各所述波导腔中设有第一pcb板，所述第一pcb板上设有射频电路，所述隔板面向所述第一pcb板的两个面设有第二pcb板，所述第二pcb板上设有ebg结构。

2.根据权利要求1所述的一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，所述射频电路中设有天线阵列、微带匹配网络和mmic阵列，所述天线阵列通过所述微带匹配网络与所述mmic阵列连接。

3.根据权利要求2所述的一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，所述天线阵列为鳍线形式。

4.根据权利要求3所述的一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，所述鳍线形式包括单极鳍线、双极鳍线和对极鳍线中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，所述ebg结构中包含ebg单元组成的阵列。

6.根据权利要求5所述的一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，所述ebg单元包括金属层、介质层和过孔，所述过孔设置在所述介质层中，所述金属层包括顶面金属层和底面金属层，所述金属层设置在所述介质层由所述过孔连通的两个面上，所述底面金属层设置在所述介质层面向所述第二pcb板的面上。

7.根据权利要求6所述的一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，所述ebg单元中还包括空气腔，所述空气腔位于所述顶面金属层背对所述介质层的一方。

8.根据权利要求1所述的一种宽带高频空间功率合成器，其特征在于，所述第一pcb板上还设有偏置电路，所述偏置电路由smt贴片元件构成。

技术总结
本发明公开了一种宽带高频空间功率合成器，包括隔板和两个底座，所述隔板设置在两个所述底座之间，所述底座和所述隔板形成两个波导腔，各所述波导腔中设有第一PCB板，所述第一PCB板上设有射频电路，所述隔板面向所述第一PCB板的两个面设有第二PCB板，所述第二PCB板上设有EBG结构。本发明通过在隔板面朝射频电路的PCB板的面上设置EBG结构的PCB板，能有效避免谐振模对合成器的影响；通过设置EBG结构的PCB板抑制谐振的方式不需要缩小波导腔的尺寸，并且EBG结构不需要将波导腔隔开，不会影响第一PCB板上的电路布局。本发明可广泛应用于功率合成器领域。

技术研发人员：林剑欣,李华龙,贾鹏程,孔翔鸣
受保护的技术使用者：广州程星通信科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13