气体输送装置及晶圆处理设备的制作方法

本申请实施例涉及半导体制作设备，尤其涉及一种气体输送装置及晶圆处理设备。

背景技术：

1、半导体结构在制作时，通常需要在晶圆上层叠的形成致密的薄膜。在半导体结构成膜的制作过程中，通常将晶圆放置在设备的处理腔体内，处理腔体的顶部安装有气体输送装置，向晶圆表面依次释出相互反应的多种气体，使其能够在晶圆表面形成相应的膜层结构。

2、相关技术中，气体输送装置通常包括盖板，盖板具有向处理腔体内供气的进气孔，进气孔的一端与气源连通，进气孔的另一端正对晶圆表面。然而，相关技术中气体输送装置释出的气体在处理腔体内分布不均匀，影响半导体结构的成膜质量。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种气体输送装置及晶圆处理设备，用以解决相关技术中气体输送装置释出的气体在处理腔体内分布不均匀，影响半导体结构的成膜质量的问题。

2、根据一些实施例，本申请第一方面提供一种气体输送装置，包括：

3、盖板，包括进气孔；

4、分隔板，设置在所述进气孔内，所述分隔板上包括多个匀气孔；

5、阻挡板，设置在所述盖板上，所述阻挡板包围所述分隔板，所述阻挡板上包括多个第一出气孔；

6、面板，设置在所述盖板上，所述面板包围所述阻挡板，所述面板上包括第二出气孔，所述第一出气孔的孔径小于所述第二出气孔的孔径。

7、在一种可能的实现方式中，多个所述匀气孔绕所述分隔板中心线呈圆周分布。

8、在一种可能的实现方式中，所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线位于不同平面内，且所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线位之间具有预设角度。

9、在一种可能的实现方式中，多个所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线位之间的预设角度相同。

10、在一种可能的实现方式中，所述匀气孔靠近所述阻挡板的一端包括出气口，所述匀气孔背离所述阻挡板的一端包括进气口，所述进气口与所述分隔板的中心线之间的距离小于所述出气口与所述分隔板的中心线之间的距离。

11、在一种可能的实现方式中，多个所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线之间的夹角相同。

12、在一种可能的实现方式中，所述盖板靠近所述阻挡板的一侧包括第一安装平面，所述出气口在所述第一安装平面上的投影位于所述进气口在所述第一安装平面上的投影的外部。

13、在一种可能的实现方式中，多个所述匀气孔构成多个匀气孔组，每一所述匀气孔组中的各所述匀气孔位于同一圆弧上，不同所述匀气孔组对应的圆弧半径不等。

14、在一种可能的实现方式中，所述盖板靠近所述阻挡板的一侧包括第一安装平面，所述阻挡板与所述第一安装平面连接，所述分隔板靠近所述阻挡板的一侧与所述第一安装平面位于同一平面内。

15、在一种可能的实现方式中，所述阻挡板与所述第一安装平面之间设置有第一焊接层。

16、在一种可能的实现方式中，所述第一焊接层的截面形状为环形。

17、在一种可能的实现方式中，所述盖板靠近所述阻挡板的一侧还包括第二安装平面，所述第二安装平面平行于所述第一安装平面，所述第一安装平面突出于所述第二安装平面，所述面板与所述第二安装平面连接。

18、在一种可能的实现方式中，所述面板与所述第二安装平面之间设置有第二焊接层。

19、在一种可能的实现方式中，所述第二焊接层的截面形状为环形。

20、在一种可能的实现方式中，所述第一出气孔在所述阻挡板上阵列分布，所述第二出气孔在所述面板上阵列分布。

21、在一种可能的实现方式中，所述第二出气孔的中心孔径小于所述第二出气孔的开口孔径。

22、根据一些实施例，本申请第二方面提供一种晶圆处理设备，包括：腔体；气体输送装置，设置在所述腔体内，所述气体输送装置包括：盖板，包括进气孔；分隔板，设置在所述进气孔内，所述分隔板上包括多个匀气孔；阻挡板，设置在所述盖板上，所述阻挡板包围所述分隔板，所述阻挡板上包括多个第一出气孔；面板，设置在所述盖板上，所述面板包围所述阻挡板，所述面板上包括第二出气孔，所述第一出气孔的孔径小于所述第二出气孔的孔径。

23、本申请实施例提供一种气体输送装置及晶圆处理设备，包括盖板、分隔板、阻挡板以及面板，其中，盖板包括进气孔，分隔板设置在进气孔内，分隔板上包括多个匀气孔；阻挡板设置在盖板上，阻挡板包围分隔板，阻挡板上包括多个第一出气孔；面板设置在盖板上，面板包围阻挡板，面板上包括第二出气孔，第一出气孔的孔径小于第二出气孔的孔径。气体从盖板的进气孔垂直于水平方向进入分隔板内，气体流经分隔板的匀气孔时改变气体的流动方向，使得气体以偏离进气孔的中心线的方向被分散的输送至阻挡板，气体经阻挡板上的第一出气孔分散地输送至面板处，气体随后进入面板上的第二出气孔时，由于第一出气孔的孔径小于第二出气孔的孔径，避免气体从第二出气孔释出后聚集，从而使得气体被进一步分散，提高了半导体结构的膜层平整度，进而提高半导体结构性能。

技术特征：

1.一种气体输送装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，多个所述匀气孔绕所述分隔板中心线呈圆周分布。

3.根据权利要求2所述的气体输送装置，其特征在于，所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线位于不同平面内，且所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线位之间具有预设角度。

4.根据权利要求3所述的气体输送装置，其特征在于，多个所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线位之间的预设角度相同。

5.根据权利要求2所述的气体输送装置，其特征在于，所述匀气孔靠近所述阻挡板的一端包括出气口，所述匀气孔背离所述阻挡板的一端包括进气口，所述进气口与所述分隔板的中心线之间的距离小于所述出气口与所述分隔板的中心线之间的距离。

6.根据权利要求5所述的气体输送装置，其特征在于，多个所述匀气孔的中心线与所述分隔板的中心线之间的夹角相同。

7.根据权利要求6所述的气体输送装置，其特征在于，所述盖板靠近所述阻挡板的一侧包括第一安装平面，所述出气口在所述第一安装平面上的投影位于所述进气口在所述第一安装平面上的投影的外部。

8.根据权利要求2所述的气体输送装置，其特征在于，多个所述匀气孔构成多个匀气孔组，每一所述匀气孔组中的多个所述匀气孔位于同一圆弧上，不同所述匀气孔组对应的圆弧半径不等。

9.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述盖板靠近所述阻挡板的一侧包括第一安装平面，所述阻挡板与所述第一安装平面连接，所述分隔板靠近所述阻挡板的一侧与所述第一安装平面位于同一平面内。

10.根据权利要求9所述的气体输送装置，其特征在于，所述阻挡板与所述第一安装平面之间设置有第一焊接层。

11.根据权利要求10所述的气体输送装置，其特征在于，所述第一焊接层的截面形状为环形。

12.根据权利要求9所述的气体输送装置，其特征在于，所述盖板靠近所述阻挡板的一侧还包括第二安装平面，所述第二安装平面平行于所述第一安装平面，所述第一安装平面突出于所述第二安装平面，所述面板与所述第二安装平面连接。

13.根据权利要求12所述的气体输送装置，其特征在于，所述面板与所述第二安装平面之间设置有第二焊接层。

14.根据权利要求13所述的气体输送装置，其特征在于，所述第二焊接层的截面形状为环形。

15.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述第一出气孔在所述阻挡板上阵列分布，所述第二出气孔在所述面板上阵列分布。

16.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述第二出气孔的中心孔径小于所述第二出气孔的开口孔径。

17.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：

技术总结
本申请实施例提供一种气体输送装置及晶圆处理设备。气体输送装置盖板包括进气孔，分隔板设置在进气孔内，分隔板上包括多个匀气孔；阻挡板设置在盖板上，阻挡板包围分隔板，阻挡板上包括多个第一出气孔；面板设置在盖板上，面板包围阻挡板，面板上包括第二出气孔，第一出气孔的孔径小于第二出气孔的孔径。气体从盖板的进气孔进入气体输送装置内，气体经分隔板的匀气孔被分散开来，有利于提高半导体结构的膜层平整度。

技术研发人员：张明阳
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11