一种芯片抗磁封装结构及其制作方法与流程

本发明涉及芯片封装领域，特别是涉及一种芯片抗磁封装结构及其制作方法。

背景技术：

1、mram是新型非易失存储芯片，具有高速读写、高读写次数和低功耗的优点。mram同时具有磁场敏感的特性，其本身对低于一定强度的磁场具有一定免疫，但远不能满足环境要求。因此需要对施加在芯片本体的水平磁场和垂直磁场同时进行抗磁防护，现有技术中的抗磁防护通常为塑封产品的外围。

2、然而，由于芯片种类五花八门，其打线的位置也各不相同，导致塑封在其外侧的导磁体形状不规则，如对先制备成型的导磁结构，然后再在打线位置做开孔处理，导致导磁结构的生产成本大幅上升，且漏磁增大；或者先绝缘，绝缘后再使用流体填入，而这又凭空增加了绝缘处理的步骤，且流体填入抗磁效率低。

3、因此，如何降低外部磁场对芯片的干扰，提升磁屏蔽效果的同时，降低生产成本，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种芯片抗磁封装结构及其制作方法，以解决现有技术中芯片易受磁场干扰，磁屏蔽效果差的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种芯片抗磁封装结构，包括基板、裸芯及半封闭软磁遮罩；

3、所述基板包括沿第一方向的侧边排布的金属接触点，所述裸芯包括沿所述第一方向的侧边排布的焊垫，且所述金属接触点与所述焊垫电连接；

4、所述半封闭软磁遮罩倒扣于所述基板的上表面，与所述基板围成开口朝向所述第一方向的开放式腔体，所述裸芯位于所述开放式腔体中。

5、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，所述半封闭软磁遮罩为四面铲形软磁结构。

6、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，所述基板还包括位于所述基板上表面的抗磁薄膜；

7、所述金属接触点与所述抗磁薄膜绝缘设置。

8、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，所述基板上的gnd端金属接触点与所述半封闭软磁遮罩连接，形成导磁通路。

9、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，当所述半封闭软磁遮罩为四面铲形软磁结构时，所述gnd端金属接触点包括三个磁引出端；

10、三个所述磁引出端分别与所述四面铲形软磁结构的三个侧面接触设置。

11、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，所述芯片抗磁封装结构包括多个错位叠封的裸芯。

12、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，所述裸芯的顶部包括重布线层；

13、所述重布线层为铁基外延层。

14、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，所述半封闭软磁遮罩与所述基板的接触缝隙的宽度不超过20微米。

15、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构中，所述基板的走线层为含铁量超过50％的金属材料层。

16、一种芯片抗磁封装结构的制作方法，包括：

17、对预制片进行减薄、划片，得到裸芯；

18、将半封闭软磁遮罩倒扣固定于基板的上表面，与所述基板围成开口朝向所述第一方向的开放式腔体，并将所述裸芯设置于所述开放式腔体中；

19、对所述裸芯的焊盘与所述基板的金属接触点进行电连接；其中，所述金属接触点沿所述基板的第一方向的侧边排布，所述焊盘沿所述裸芯的所述第一方向的侧边排布。

20、可选地，在所述的芯片抗磁封装结构的制作方法中，所述将半封闭软磁遮罩倒扣固定于所述基板的上表面包括：

21、将半封闭软磁遮罩通过焊接，倒扣固定于所述基板的上表面。

22、本发明所提供的芯片抗磁封装结构，包括基板、裸芯及半封闭软磁遮罩；所述基板包括沿第一方向的侧边排布的金属接触点，所述裸芯包括沿所述第一方向的侧边排布的焊垫，且所述金属接触点与所述焊垫电连接；所述半封闭软磁遮罩倒扣于所述基板的上表面，与所述基板围成开口朝向所述第一方向的开放式腔体，所述裸芯位于所述开放式腔体中。

23、本发明通过对裸芯和基板进行重布线，将焊盘和金属接触点的排布做单边化处理，以此最大程度地降低电连接过程中打线的空间要求，减少其复杂程度，使用仅单侧开口的半封闭软磁遮罩即可满足打线布局，相比与现有技术，半封闭软磁遮罩形成的遮罩金属连续性更好，意味着抗磁性大大提升，同时，单边电连接的布局降低了对抗磁部件(即所述半封闭软磁遮罩)的外形限制，减小其外形复杂度，降低其生产成本。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的芯片抗磁封装结构的制作方法。

技术特征：

1.一种芯片抗磁封装结构，其特征在于，包括基板、裸芯及半封闭软磁遮罩；

2.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述半封闭软磁遮罩为四面铲形软磁结构。

3.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述基板还包括位于所述基板上表面的抗磁薄膜；

4.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述基板上的gnd端金属接触点与所述半封闭软磁遮罩连接，形成导磁通路。

5.如权利要求4所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，当所述半封闭软磁遮罩为四面铲形软磁结构时，所述gnd端金属接触点包括三个磁引出端；

6.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述芯片抗磁封装结构包括多个错位叠封的裸芯。

7.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述裸芯的顶部包括重布线层；

8.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述半封闭软磁遮罩与所述基板的接触缝隙的宽度不超过20微米。

9.如权利要求1至8任一项所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述基板的走线层为含铁量超过50％的金属材料层。

10.一种芯片抗磁封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的芯片抗磁封装结构的制作方法，其特征在于，所述将半封闭软磁遮罩倒扣固定于所述基板的上表面包括：

技术总结
本发明公开了一种芯片抗磁封装结构及其制作方法，包括基板、裸芯及半封闭软磁遮罩；所述基板包括沿第一方向的侧边排布的金属接触点，所述裸芯包括沿所述第一方向的侧边排布的焊垫，且所述金属接触点与所述焊垫电连接；所述半封闭软磁遮罩倒扣于所述基板的上表面，与所述基板围成开口朝向所述第一方向的开放式腔体，所述裸芯位于所述开放式腔体中。本发明将焊盘和金属接触点的排布做单边化处理，以此最大程度地降低打线的空间要求，减少其复杂程度，形成的遮罩金属连续性更好，抗磁性大大提升，且降低其生产成本。

技术研发人员：刘欢,赵京升,鲁鹏棋,宋光明
受保护的技术使用者：浙江驰拓科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11