发光器件、OLED显示面板的制作方法

发光器件、oled显示面板
技术领域
1.本技术涉及oled显示技术领域，具体涉及一种发光器件、一种oled显示面板。


背景技术：

2.有机发光二极管(oled)具有自发光、广视角、广色域、低功耗和较快的响应速度的优点，已成为21世纪的明星平面显示产品，相较于lcd产品，oled产品轻薄、可弯曲、高对比度等特性逐渐使其应用在车载领域，如传统仪表，中控、后视镜、后座娱乐屏等均有涉及。
3.目前车载oled显示屏追求长寿命、高效率性能，这也是当前三星、lg和boe等面板厂极力去攻克的目标。目前报道的无论是材料方面如磷光、tadf，结构方面如sbs、双host、tandem等均是为了提升器件的效率和寿命，但是材料和结构本身的搭配及利弊关系仍难以满足车载高标准需求。
4.因此，现有发光器件存在寿命短且发光效率不佳的技术问题。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种发光器件、一种oled显示面板，可以缓解现有发光器件存在寿命短且发光效率不佳的技术问题。
6.本技术实施例提供一种发光器件，包括：
7.第一电极层；
8.至少两发光结构层，所述发光结构层层叠设置于所述第一电极层上，所述发光结构层包括电子传输层、发光层、空穴传输层，所述发光层设置于相邻所述电子传输层和所述空穴传输层之间；
9.第二电极层，所述第二电极层设置于所述发光结构层上方；以及
10.电荷产生层，所述电荷产生层设置于所述发光结构层之间；
11.其中，所述电荷产生层包括n型电子产生层、金属激活层、p型空穴产生层，所述金属激活层设置于所述n型电子产生层和所述p型空穴产生层之间，且所述金属激活层的一侧表面和另一侧表面分别与所述n型电子产生层和所述p型空穴产生层面接触。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一电极层为阳极，所述第二电极层为阴极，所述阳极和所述阴极之间设置有两所述发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构层和第二发光结构层，所述第一发光结构层设置于所述阳极上，所述电荷产生层设置于所述第一发光结构层上，所述第二发光结构层设置于所述电荷产生层上。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一发光结构层包括层叠设置的第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层，所述第二发光结构层包括层叠设置的第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层，其中，所述n型电子产生层设置于所述第一电子传输层上，所述金属激活层设置于所述n型电子产生层上，所述p型空穴产生层设置于所述金属激活层上，所述第二空穴传输层设置于所述p型空穴产生层。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阳极包括透明金属层、反射层，所述金属
激活层为半反半透膜层。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属激活层包括银、锂、镱、镁、金、钡、钙、铝、铟、lif、氧化铟锡、氧化铟锌、azo中的至少一种。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属激活层的厚度范围为至
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阳极与所述第一发光层之间具有第一光程，所述阳极与所述金属激活层之间具有第二光程，所述阳极与所述第二发光层之间具有第三光程，所述第一光程为δa，所述第二光程为δb，所述第三光程为δc，其中，所述第一光程δa的范围为所述第二光程δb的范围为所述第三光程δc的范围为三光程δc的范围为m1、m2、m3均为正整数，λ为所述发光层的发光波长。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第三光程内各功能膜层的厚度与其具有的折射率满足以下关系：di为第i层所述功能膜层的厚度，ni为第i层所述功能膜层的折射率，m3为正整数，λ为所述发光层的发光波长。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一发光层到所述反射层的距离与所述第一发光层到所述金属激活层的距离与所述金属激活层到所述第二发光层距离相等。
20.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一发光层到所述阳极的距离与所述第一发光层到所述阴极的距离比的范围为1：3至1：4；所述金属激活层到所述阳极的距离与所述金属激活层到所述阴极的距离比的范围为1：1至1：1.5；所述第二发光层到所述阳极的距离与所述第二发光层到所述阴极的距离比的范围为3：1至3：2。
21.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一发光层包括第一红色发光部、第一蓝色发光部、第一绿色发光部，所述第二发光层包括第二红色发光部、第二蓝色发光部、第二绿色发光部，其中，所述第一红色发光部与所述第二红色发光部对位设置，所述第一蓝色发光部与所述第二蓝色发光部对位设置，所述第一绿色发光部与所述第二绿色发光部对位设置。
22.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一发光层和所述第二发光层为相同颜色的单色发光层。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，所述发光器件还包括补偿层，所述补偿层包括第一补偿层和第二补偿层，所述第一补偿层设置于所述第一发光层靠近所述阳极的一侧表面，所述第二补偿层设置于所述第二发光层靠近所述阳极的一侧表面，所述补偿层用于调节所述第一光程、所述第二光程、所述第三光程的距离。
24.本技术实施例提供一种oled显示面板，所述oled显示面板包括如上述任一实施例所述的发光器件。
25.有益效果：本技术提供一种发光器件，通过在所述n型电子产生层和所述p型空穴产生层之间设置金属激活层，且所述金属激活层与二者均为面接触，所述金属激活层能激活接触面处的表面能，使空穴和电子最大化的向所述发光层传输，防止电荷积累形成内部空间电场，降低工作电压、提升所述发光器件的效率和寿命。
附图说明
26.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1是本技术实施例提供的发光器件的第一种截面示意图；
28.图2是本技术实施例提供的发光器件的第二种截面示意图；
29.图3是本技术实施例提供的发光器件的第三种截面示意图；
30.图4是本技术实施例提供的发光器件的第四种截面示意图。
31.附图标记说明：
32.具体实施方式
33.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
34.请参阅图1、图2，本技术提供一种发光器件，所述发光器件包括第一电极层10、至
少两发光结构层、第二电极层50、电荷产生层30，所述发光结构层层叠设置于所述第一电极层10上，所述发光结构层包括电子传输层、发光层、空穴传输层，所述发光层设置于相邻所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述第二电极层50设置于所述发光结构层上方，其中，相邻所述发光结构层之间设置有电荷产生层30，所述电荷产生层30包括n型电子产生层301、金属激活层302、p型空穴产生层303，所述金属激活层302设置于所述n型电子产生层301和所述p型空穴产生层303之间，且所述金属激活层302的一侧表面和另一侧表面分别与所述n型电子产生层301和所述p型空穴产生层303面接触。
35.在本实施例中，通过在所述n型电子产生层301和所述p型空穴产生层303之间设置金属激活层302，且所述金属激活层302与二者均为面接触，金属激活层302能激活接触面处的表面能，提升空穴和电子的传输速率，防止电荷积累形成内部空间电场，降低工作电压、提升所述发光器件的效率和寿命。
36.其中，所述金属激活层302层叠设置于所述n型电子产生层301上，所述p型空穴产生层303层叠设置于所述金属激活层302上。
37.其中，所述电荷产生层30产生的电荷分为向相反方向传输的电子和空穴，其中，所述电子从所述n型电子产生层301向所述第一电子传输层203传输，所述空穴从所述p型空穴产生层303向所述第二空穴传输层401传输。
38.其中，所述金属激活层302能激活p型空穴产生层303和n型电子产生层301的表面能，防止电荷在有机层层界面积累导致形成内部空间电场，使空穴和电子最大化向两个发光层传输，降低工作电压、提升器件的效率和寿命。
39.其中，有机层层界面包括p型空穴产生层层界面和n型电子产生层层界面，所述p型空穴产生层层界面为所述p型空穴产生层与所述金属激活层的交界面，所述n型电子产生层层界面为所述n型电子产生层与所述金属激活层的交界面。
40.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
41.请参阅图1、图2，在一种实施例中，所述第一电极层10为阳极，所述第二电极层50为阴极，所述阳极和所述阴极之间设置有两所述发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构层20和第二发光结构层40，所述第一发光结构层20设置于所述阳极上，所述电荷产生层30设置于所述第一发光结构层20上，所述第二发光结构层40设置于所述电荷产生层30上。
42.在一种实施例中，所述第一发光结构层20包括层叠设置的第一空穴传输层201、第一发光层202、第一电子传输层203，所述第二发光结构层40包括层叠设置的第二空穴传输层401、第二发光层402、第二电子传输层403，其中，所述n型电子产生层301设置于所述第一电子传输层203上，所述金属激活层302设置于所述n型电子产生层301上，所述p型空穴产生层303设置于所述金属激活层302上，所述第二空穴传输层401设置于所述p型空穴产生层303上。
43.在一种实施例中，所述金属激活层302为半反半透膜层，所述阳极包括层叠设置的透明金属层和反射层。
44.其中，所述金属激活层的厚度范围为至优选的，所述金属激活层的厚度为大于或等于且小于或等于
45.其中，所述金属激活层302的厚度小于所述反射层，因此，通过厚度实现所述反射层为全反射膜层，而所述金属激活层302为半反半透膜层。
46.其中，通过在阳极和阴极之间设置一层金属激活层302，且所述金属激活层302为半反半透膜层，使所述阳极和所述阴极之间存在多个微腔，阳极与金属激活层之间形成一个微腔，阳极与阴极之间形成另一个微腔，金属激活层与阴极之间形成另一个微腔。
47.在本实施例中，通过在所述p型空穴产生层303和所述n型电子产生层301之间设置所述半反半透膜层，形成多个微腔，实现对同一波长的光增强，有利于光取出，并提升出光效率。
48.请参阅图2，在一种实施例中，所述第一发光层202和所述第二发光层402为相同颜色的单色发光层。
49.其中，所述第一发光层202和所述第二发光层402可以同为红色发光层/蓝色发光层/绿色发光层/白光发光层。
50.请参阅图3，在一种实施例中，所述阳极与所述第一发光层202之间具有第一光程，所述阳极与所述金属激活层302之间具有第二光程，所述阳极与所述第二发光层402之间具有第三光程，所述第一光程为δa，所述第二光程为δb，所述第三光程为δc。
51.在一种实施例中，所述第一光程、第二光程、第三光程对于相同颜色子像素的取值可以相同。
52.在一种实施例中，所述第一光程满足所述第二光程δb的范围为所述第三光程δc的范围为所述第三光程δc的范围为m1、m2、m3均为正整数，λ为所述发光层的发光波长；本技术任一所述均为考虑到工艺精度的误差范围，后文中不再赘述。
53.其中，优选的，所述m1、m2、m3均为小于或等于8的正整数。
54.其中，第一光程对于相同颜色的子像素的取值相同。
55.其中，所述第一光程内各功能膜层的厚度d与其具有的折射率n满足以下关系：di为第i层功能膜层的厚度，ni为第i层功能膜层的折射率，m1为正整数。
56.其中，第二光程对于相同颜色的子像素的取值相同。
57.其中，所述第二光程内各功能膜层的厚度与其具有的折射率满足以下关系：di为第i层功能膜层的厚度，ni为第i层功能膜层的折射率，m2为正整数。
58.其中，第三光程对于相同颜色的子像素的取值相同。
59.其中，所述第三光程内各功能膜层的厚度与其具有的折射率满足以下关系：di为第i层功能膜层的厚度，ni为第i层功能膜层的折射率，m3为正整数。
60.可以理解的是，通过对所述第一光程、所述第二光程、所述第三光程的限定，使相邻发光层的同一波长的光相互干涉，达到增强的效果，提升出光效率。
61.在一种实施例中，所述第一发光层到所述反射层的距离与所述第一发光层到所述
金属激活层的距离与所述金属激活层到所述第二发光层距离相等。
62.优选的，所述m1：m2：m3＝1：1：1。
63.其中，所述第一光程δa的范围为所述第二光程δb的范围为所述第二光程δc的范围为
64.具体的，所述m1为1，所述m2为1，所述m3为1，此时，所述第一光程、所述第二光程、所述第三光程均取其范围内的最小值，所述发光器件的厚度最小，进而实现轻薄化显示。
65.在一种实施例中，所述第一发光层到所述阳极的距离与所述第一发光层到所述阴极的距离比的范围为1：3至1：4；所述金属激活层到所述阳极的距离与所述金属激活层到所述阴极的距离比的范围为1：1至1：1.5；所述第二发光层到所述阳极的距离与所述第二发光层到所述阴极的距离比的范围为3：1至3：2。
66.具体的，以m1：m2：m3＝1：1：1举例进行说明，但不限于m1：m2：m3＝1：1：1，m1、m2、m3可以分别为任一正整数。
67.其中，m1：m2：m3＝1：1：1时，所述第一光程δa的范围为围为所述第二光程δb的范围为所述第二光程δc的范围为时。
68.可以理解的是，当所述第一发光层到所述阳极的距离与所述第一发光层到所述阴极的距离比为1：3时，所述第二发光层到所述阴极的距离为极的距离比为1：3时，所述第二发光层到所述阴极的距离为当所述第一发光层到所述阳极的距离与所述第一发光层到所述阴极的距离比为1：4时，所述第二发光层到所述阴极的距离为因此，所述第一发光层到所述阳极的距离与所述第一发光层到所述阴极的距离比的范围为1：3至1：4时，所述第二发光层到所述阴极距离的范围为至
69.可以理解的是，当所述金属激活层到所述阳极的距离与所述金属激活层到所述阴极的距离比为1：1时，所述第二发光层到所述阴极的距离为极的距离比为1：1时，所述第二发光层到所述阴极的距离为当所述金属激活层到所述阳极的距离与所述金属激活层到所述阴极的距离比为1：1.5时，所述第二发光层到所述阴极的距离为因此，所述第二发光层到所述阴极距离的范围为至
70.可以理解的是，当所述第二发光层到所述阳极的距离与所述第二发光层到所述阴极的距离比为3：1时，所述第二发光层到所述阴极的距离为极的距离比为3：1时，所述第二发光层到所述阴极的距离为当所述第二发光层到所述阳极的距离与所述第二发光层到所述阴极的距离比为3：2时，所述第二发光层到所述阴极的距离为因此，所述第二发光层到所述阴极距离的范围为至
71.需要注意的是，当m1：m2：m3＝1：1：1时，所述第二发光层到所述阴极距离的范围为至
72.在本实施例中，通过进一步限定微腔内第一发光层、金属激活层、第二发光层到微腔两端阳极和阴极的距离比的范围，进一步使微腔内光线满足多光束干涉增强，提升了发光器件的出光效率及使用寿命。
pbd、balq和salq组成的组的至少一种形成，但是本发明不限于此。
88.其中，所述空穴注入层可以由聚(3，4)-亚乙基二氧基噻吩(pedot)、聚苯胺(pani)和n，n
’‑
二萘基-n，n
’‑
二苯基联苯胺(npd)组成的组的至少一种形成，但是本发明不限于此。
89.其中，所述电子注入层可以由pbd、taz、螺-pbd、balq或salq构成的组的至少一种形成，但是本发明不限于以上所述。此外，电子注入层可以是金属卤化物，例如，选自由mgf2、lif、naf、kf、rbf、csf、frf和caf2组成的组的至少一种形成，但是本发明不限于以上所述。
90.在一种实施例中，所述n型电子产生层301为掺杂金属的有机膜层，所述p型空穴产生层303为掺杂金属或p型掺杂剂的有机膜层。
91.其中，n型电子产生层301和p型空穴产生层303通过所述金属激活层302彼此相连。n型电子产生层301产生电荷或将电荷分成空穴和电子，以将电子注入到第一发光层202，即，n型电子产生层301将电子供应到与阳极相邻的第一发光层202，而p型空穴产生层303将空穴供应到与阴极相邻的第二发光层402。
92.其中，n型电子产生层301可以由金属掺杂剂的有机材料组成。
93.进一步，所述金属掺杂剂可以为ag、mg、yb、li、al、au、ca、ba中的一种或者至少两种组合。
94.其中，p型空穴产生层303可以由掺杂有金属或p型掺杂剂的有机材料形成。
95.进一步，所述p-型掺杂剂可以是四氰基对苯二醌二甲烷的衍生物、碘、fecl3、fef3和sbcl5构成的组中的一种材料。基质可以是n，n
’‑
二苯基-n，n
’‑
二(3-甲基苯基)-1，1-联苯基-4，4
’‑
二胺(tpd)和n，n’，n
’‑
四萘基-联苯胺(tnb)中的至少一种。
96.其中，金属激活层可以为高功函数的银、锂、镱、镁、金、钡、钙、铝、铟、lif、氧化铟锡、氧化铟锌、azo中的一种或者至少两种组合。
97.在本实施例中，通过在相邻所述n型电子产生层301和所述p型空穴产生层303之间设置金属激活层302，且通过所述金属激活层302彼此相连。
98.值得说明的，高功函数的金属激活层302引入抑制电荷产生层30的电荷积累，且防止n型电子产生层301中电子注入性下降，从而显著降低工作电压并提升发光效率。
99.值得说明的，金属激活层的302电荷量较n型电子产生层301和所述p型空穴产生层303呈几何倍数增加，可激活n型电子产生层301和所述p型空穴产生层303的表面能，抑制空间电场产生，使空穴和电子最大化向两个发光层传输，达到提升器件寿命效果。
100.可选的，在一种实施例中，所述金属激活层302可采用现有膜层的制备材料制备得到，能降低制备成本；优选地，采用阴极层的材料和工艺。
101.在一种实施例中，所述发光结构层内的各膜层和n型电子产生层301、p型空穴产生层303均为有机膜层。
102.其中，所述第三光程内的所述有机膜层依次包括第一空穴传输层201、第一发光层202、第一电子传输层203、n型电子产生层301、p型空穴产生层303、第二空穴传输层401、第二发光层402。
103.可以理解的是，以第三光程为例，对于所述阳极和所述阴极之间设置两发光结构层的发光器件，所述第一空穴传输层201的折射率为n1，所述第一空穴传输层201的厚度为
d1；所述第一发光层202的折射率为n2，所述第一发光层202的厚度为d2；所述第一电子传输层203的折射率为n3，所述第一电子传输层203的厚度为d3；所述n型电子产生层301的折射率为n4，所述n型电子产生层301的厚度为d4；所述p型空穴产生层303的折射率为n5，所述p型空穴产生层303的厚度为d5；所述第二空穴传输层401的折射率为n6，所述第二空穴传输层401的厚度为d6。
104.需要注意的是，通过所述第三光程内的所述有机膜层的厚度满足需要注意的是，通过所述第三光程内的所述有机膜层的厚度满足使所述第三光程的范围满足使所述第三光程的范围满足m3为大于1的整数；其中，所述中的为可能存在的工艺误差。
105.进一步的，第一发光层202、第二发光层402的发光面均位于该发光层底面处厚度为到的范围内。
106.在一种实施例中，所述第一发光层202包括第一红色发光部2001、第一绿色发光部2002、第一蓝色发光部2003，所述第二发光层402包括第二红色发光部4001、第二绿色发光部4002、第二蓝色发光部4003，其中，所述第一红色发光部2001与所述第二红色发光部4001对位设置，所述第一绿色发光部2002与所述第二绿色发光部4002对位设置，所述第一蓝色发光部2003与所述第二蓝色发光部4003对位设置。
107.其中，所述第一红色发光部2001在所述第一电极层10上的正投影与所述第二红色发光部4001在所述第一电极层10上的正投影重合，所述第一绿色发光部2002在所述第一电极层10上的正投影与所述第二绿色发光部4002在所述第一电极层10上的正投影重合，所述第一蓝色发光部2003在所述第一电极层10上的正投影与所述第二蓝色发光部4003在所述第一电极层10上的正投影重合；使不同发光层相同发光颜色的发光部能最大化的发生干涉，同时避免因混光造成的画异。
108.请参阅图4，在一种实施例中，所述发光器件还包括补偿层，所述补偿层包括第一补偿层60和第二补偿层70，所述第一补偿层60设置于所述第一发光层202靠近所述阳极的一侧表面，所述第二补偿层70设置于所述第二发光层402靠近所述阳极的一侧表面。
109.其中，所述第一补偿层60包括与第一红色发光部2001对位设置的第一红色补偿部601、与第一绿色发光部2002对位设置的第一绿色补偿部602、与第一蓝色发光部2003对位设置的第一蓝色补偿部603。
110.其中，所述第一红色补偿部601的高度大于所述第一绿色补偿部602的高度大于所述第一蓝色补偿部603的高度。
111.其中，所述第二补偿层70包括与第二红色发光部4001对位设置的第二红色补偿部701、与第二绿色发光部4002对位设置的第二绿色补偿部702、与第二蓝色发光部4003对位设置的第二蓝色补偿部703。
112.其中，所述第二红色补偿部701的高度大于所述第二绿色补偿部702的高度大于所述第二蓝色补偿部703的高度。
113.需要注意的是，所述λ包括对应第一红色发光部2001和第二红色发光部4001的λ1、对应第一绿色发光部2002和第二绿色发光部4002的λ2、对应第一蓝色发光部2003和第二蓝色发光部4003的λ3；其中，λ1》λ2》λ3。
114.在本实施例中，通过在每一个发光部下方设置补偿部，对不同颜色子像素单元的第一光程、第二光程、第三光程进行单独调节，实现了任一发光颜色的子像素单元均满足微腔干涉条件，实现对同一波长的光增强效果，提升了器件发光效率,降低了大视角下的peak峰值偏移。
115.本技术还提出了一种oled显示面板、一种显示模组、一种显示装置，所述oled显示面板包括上述任一实施例所述的发光器件，所述显示模组包括上述任一实施例所述的发光器件，所述显示装置也包括上述发光器件，此处不再赘述。
116.本实施例提供的发光器件包括第一电极层、至少两发光结构层、第二电极层、电荷产生层，所述发光结构层层叠设置于所述第一电极层上，所述发光结构层包括电子传输层、发光层、空穴传输层，所述发光层设置于相邻所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述第二电极层设置于所述发光结构层上方，其中，相邻所述发光结构层之间设置有电荷产生层，所述电荷产生层包括n型电子产生层、金属激活层、p型空穴产生层，所述金属激活层设置于所述n型电子产生层和所述p型空穴产生层之间，且所述金属激活层的一侧表面和另一侧表面分别与所述n型电子产生层和所述p型空穴产生层面接触；本技术通过在所述n型电子产生层和所述p型空穴产生层之间设置金属激活层，且所述金属激活层与二者均为面接触，金属激活层能激活接触面处的表面能，提升空穴和电子的传输速率，防止电荷积累形成内部空间电场，降低工作电压、提升所述发光器件的效率和寿命。
117.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
118.以上对本技术实施例所提供的一种发光器件进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。