遮蔽栅极式沟槽晶体管的制作方法

1.本实用新型涉及晶体管，尤其是一种遮蔽栅极式沟槽晶体管。


背景技术：

2.遮蔽栅极式沟槽晶体管(sgt，shielded gate electron transistor)，其包括衬底，衬底上具有控制组件导通与否的主动沟槽和防止漏电流的终端沟槽，多条主动沟槽呈平行设置，终端沟槽围绕主动沟槽，当组件导通时，主动沟槽中栅电极通电使电流沿垂直组件表面的方向流入元件。在中高压(60v～150v)应用时，组件边缘的崩溃电压要求变高。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题是提供一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，解决现有技术存在的技术问题。
4.为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底、终端电极、金属层、第一接触栓及第二接触栓。衬底具有主动沟槽、围绕主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，第一终端沟槽设置于主动沟槽与第二终端沟槽之间；终端电极设置于第一及第二终端沟槽内；金属层设置于衬底的上表面；第一接触栓设置于第一终端沟槽上，电性连接金属层与第一终端沟槽中的终端电极；第二接触栓设置于第二终端沟槽上，具有与第二终端沟槽相同延伸方向的长条型外观，电性连接金属层与第二终端沟槽中的终端电极，第二接触栓的俯视长度大于第一接触栓的俯视长度。本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以达到改善终端区的隔离效果，同时可使元件具有较平均的电流分布。
5.作为改进，至少一条第二终端沟槽上设置有第二接触栓。
6.作为改进，衬底、终端电极、金属层之间通过介电层彼此隔离。
7.作为改进，主动沟槽内具有设置于主动沟槽下部的下部电极、设置于主动沟槽上部的上部电极、设置于下部电极与上部电极之间的层间绝缘层。
8.作为改进，主动沟槽内还包括下部介电层，设置于主动沟槽的下部，隔离下部电极与衬底。
9.作为改进，主动沟槽内还包括上部介电层，设置于主动沟槽的上部，隔离上部电极与衬底。
10.本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是：
11.本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以改善终端区的隔离效果，提高组件边缘的崩溃电压，同时可使组件终端区具有较平均的电场分布，以提高组件的可靠性。
附图说明
12.图1为本案实施例的沟槽及接触栓分布示意图。
13.图2为本案实施例的沟槽及接触栓分布剖视图。
具体实施方式
14.下面结合说明书附图对本实用新型作进一步说明。
15.如图1、2所示，遮蔽栅极式沟槽晶体管包括衬底5，衬底5上具有多個平行分布的主动沟槽2和围绕主动沟槽2设置的终端沟槽 1、3。
16.衬底5上设有第一终端沟槽1及至少一条第二终端沟槽3，第一终端沟槽1设置于主动沟槽2与第二终端沟槽3之间；终端电极 111、311分別设置于终端沟槽1、3内，以及用于隔离终端电极 111、311与衬底5的介电层112、312，第一接触栓11设置于第一终端沟槽1上，电性连接源金属层4与第一终端沟槽1中的终端电极111；第二接触栓31设置于第二终端沟槽3上，具有与第二终端沟槽3相同延伸方向的长条型外观，电性连接源金属层4与第二终端沟槽3中的终端电极311，第二接触栓31的俯视长度大于第一接触栓11的俯视长度。具有第二接触栓31的终端沟槽3可为一个或多个，即至少一条第二终端沟槽3上设置有第二接触栓31，且可以在最外圈或最内圈与最内圈之间的任一个终端沟槽。
17.如图2所示，主动沟槽2包括设置于主动沟槽2下部的第二下部电极22、设置于主动沟槽2上部的上部电极21、设置于下部电极22与上部电极之间21的层间绝缘层23；主动沟槽2内还包括下部介电层，设置于主动沟槽2的下部，隔离第二下部电极与衬底 5；主动沟槽2内还包括上部介电层，设置于主动沟槽2的上部，隔离第二上部电极与衬底5。
18.本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以改善终端区的隔离效果，提高组件边缘的崩溃电压，同时可使组件终端区具有较平均的电场分布，以提高组件的可靠性。


技术特征：
1.一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有主动沟槽、围绕所述主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，所述第一终端沟槽设置于所述主动沟槽与所述第二终端沟槽之间；终端电极，设置于所述第一及第二终端沟槽内；金属层，设置于所述衬底的上表面；第一接触栓，设置于第一终端沟槽上，电性连接所述金属层与所述第一终端沟槽中的所述终端电极；以及第二接触栓，设置于所述第二终端沟槽上，具有与所述第二终端沟槽相同延伸方向的长条型状，电性连接所述金属层与所述第二终端沟槽中的所述终端电极，其中，所述第二接触栓的俯视长度大于所述第一接触栓的俯视长度。2.根据权利要求1所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：至少一条所述第二终端沟槽上设置有所述第二接触栓。3.根据权利要求1所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述衬底、所述终端电极、所述金属层之间分别通过介电层彼此隔离。4.根据权利要求1所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述主动沟槽内具有设置于所述主动沟槽下部的下部电极、设置于所述主动沟槽上部的上部电极、设置于所述下部电极与所述上部电极之间的层间绝缘层。5.根据权利要求4所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述主动沟槽内还包括下部介电层，设置于所述主动沟槽的下部，隔离下部电极与衬底。6.根据权利要求4所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述主动沟槽内还包括上部介电层，设置于所述主动沟槽的上部，隔离所述上部电极与衬底。

技术总结
一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底、终端电极、金属层、第一接触栓及第二接触栓。衬底具有主动沟槽、围绕主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，第一终端沟槽设置于主动沟槽与第二终端沟槽之间；终端电极设置于第一及第二终端沟槽内；金属层设置于衬底的上表面；第一接触栓电性连接金属层与第一终端沟槽中的终端电极；第二接触栓电性连接金属层与第二终端沟槽中的终端电极，第二接触栓的俯视长度大于第一接触栓的俯视长度。本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以改善终端区的隔离效果，提高组件边缘的崩溃电压，同时可使组件终端区具有较平均的电场分布，以提高组件的可靠性。以提高组件的可靠性。以提高组件的可靠性。


技术研发人员：郑事展
受保护的技术使用者：力智电子（深圳）有限公司
技术研发日：2021.03.15
技术公布日：2021/10/29