一种图形化正装LED芯片的制作方法

一种图形化正装led芯片
技术领域
1.本实用新型属于正装芯片技术领域，特别是涉及一种图形化正装led芯片。


背景技术：

2.led目前主要应用于以下几大方面:(1)显示屏、交通讯号显示光源的应用led灯具有抗震耐冲击、光响应速度快、省电和寿命长等特点，广泛应用于各种室内、户外显示屏，分为全色、双色和单色显示屏(2)汽车工业上的应用汽车用灯包含汽车内部的仪表板、音响指示灯、开关的背光源、阅读灯和外部的刹车灯、尾灯、侧灯以及头灯等。
3.而led图形展示需要搭配ic集成驱动电路或使用micro led，但目前micro led面临一系列技术问题，对芯片厂设备要求较高、制作难度高，短时间难以实现大规模生产。


技术实现要素：

4.本实用新型要解决的技术问题是：提供一种能够在led芯片端直接设计图形，以能够大规模生产的图形化正装led芯片。
5.为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种图形化正装led芯片，包括外延片，所述外延片的中部刻蚀形成有图形显示区，所述外延片上设有分别位于所述图形显示区的上下两侧的n电极设置区，所述n电极设置区上设有与所述外延片的n型层连接的n型电极层，所述外延片上设有分别位于所述图形显示区的左右两侧的p电极设置区，所述p电极设置区上设有与所述外延片的p型层连接的p型电极层；所述图形显示区内设有多个台阶状发光单元，所有所述发光单元形成所需图形的形状，所述发光单元由下至上依次设置有衬底层、n型层、发光层、p型层、ito层、绝缘保护层和p型电极层，所述发光单元的p型电极层穿过所述发光单元的绝缘保护层与所述发光单元的ito层连接，所述发光单元的绝缘保护层向下延伸至所述图形显示区的n型层的表面，所述发光单元的p型电极层与所述p电极设置区的p型电极层通过导电线连接。
6.优选地，横向连续、竖向连续无间隔两个所述发光单元上的p型电极层连接。
7.优选地，非横向连续、非竖向连续及间隔两个所述发光单元上的p型电极层通过导电线连接。
8.优选地，所述发光单元上的p型电极层上设有开孔，所述开孔的尺寸小于所述发光单元上的ito层的尺寸。
9.优选地，所述绝缘保护层为sio2层。
10.优选地，所述导电线为金线。
11.实施本实用新型提供的一种图形化正装led芯片，与现有技术相比较，其有益效果在于：
12.本实用新型能够在led芯片端直接设计图形，使用时使图形显示更直接直观，制作简单方便，且无需额外购置机台，能够实现大规模生产。
附图说明
13.图1为本实用新型实施例提供的图形化正装led芯片的结构示意图；
14.图2为图形化正装led芯片的剖视图；
15.图中所示：
16.1为外延片；11为图形显示区；12为发光单元；121为n型层；122为发光层；123为p型层；124为ito层；125为发光单元的p型电极层；2为绝缘保护层；3为n型电极层；4为p电极设置区的p型电极层；5为导电线。
具体实施方式
17.下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
18.在本实用新型的描述中，应当理解的是，本实用新型中采用术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
19.在本实用新型的描述中，应当理解的是，除非另有明确的规定和限定，本实用新型中采用术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
20.如图1和图2所示，本实用新型的优选实施例，一种图形化正装led芯片，包括外延片1，所述外延片1的中部刻蚀形成有图形显示区11，所述外延片1上设有分别位于所述图形显示区11的上下两侧的n电极设置区，所述n电极设置区上设有与所述外延片1的n型层121连接的n型电极层3，所述外延片1上设有分别位于所述图形显示区11的左右两侧的p电极设置区，所述p电极设置区上设有与所述外延片1的p型层123连接的p型电极层；所述图形显示区11内设有多个台阶状发光单元12，所有所述发光单元12形成所需图形的形状，所述发光单元12由下至上依次设置有衬底层、n型层121、发光层122、p型层123、ito层124、绝缘保护层2和p型电极层，所述发光单元的p型电极层125穿过所述发光单元12的绝缘保护层2与所述发光单元12的ito层124连接，所述发光单元12的绝缘保护层2向下延伸至所述图形显示区11的n型层121的表面，所述发光单元的p型电极层125向下延伸且围设发光单元12的外周，通过发光单元12上的p型电极层覆盖发光单元12的侧壁，阻挡侧向光发散，仅保留轴向出光口，得到轴向集中的光点，解决光斑问题，所述发光单元的p型电极层125与所述p电极设置区的p型电极层4通过导电线5连接。
21.示例性的，横向连续、竖向连续无间隔两个所述发光单元12上的p型电极层连接；非横向连续、非竖向连续及间隔两个所述发光单元12上的p型电极层通过导电线5连接，使发光单元的p型电极层125125之间导通。
22.示例性的，所述发光单元12上的p型电极层上设有开孔，所述开孔的尺寸小于所述
发光单元12上的ito层124的尺寸，实现强轴光，发光角度小，无光斑现象。
23.示例性的，所述绝缘保护层2为sio2层。
24.示例性的，所述导电线5为金线，保证导电性能好。
25.综上，本实用新型能够在led芯片端直接设计图形，使用时使图形显示更直接直观，制作简单方便，且无需额外购置机台，能够实现大规模生产。
26.以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种图形化正装led芯片，其特征在于，包括外延片，所述外延片的中部刻蚀形成有图形显示区，所述外延片上设有分别位于所述图形显示区的上下两侧的n电极设置区，所述n电极设置区上设有与所述外延片的n型层连接的n型电极层，所述外延片上设有分别位于所述图形显示区的左右两侧的p电极设置区，所述p电极设置区上设有与所述外延片的p型层连接的p型电极层；所述图形显示区内设有多个台阶状发光单元，所有所述发光单元形成所需图形的形状，所述发光单元由下至上依次设置有衬底层、n型层、发光层、p型层、ito层、绝缘保护层和p型电极层，所述发光单元的p型电极层穿过所述发光单元的绝缘保护层与所述发光单元的ito层连接，所述发光单元的绝缘保护层向下延伸至所述图形显示区的n型层的表面，所述发光单元的p型电极层与所述p电极设置区的p型电极层通过导电线连接。2.如权利要求1所述的图形化正装led芯片，其特征在于，横向连续、竖向连续无间隔两个所述发光单元上的p型电极层连接。3.如权利要求1所述的图形化正装led芯片，其特征在于，非横向连续、非竖向连续及间隔两个所述发光单元上的p型电极层通过导电线连接。4.如权利要求1所述的图形化正装led芯片，其特征在于，所述发光单元上的p型电极层上设有开孔，所述开孔的尺寸小于所述发光单元上的ito层的尺寸。5.如权利要求1所述的图形化正装led芯片，其特征在于，所述绝缘保护层为sio2层。6.如权利要求1所述的图形化正装led芯片，其特征在于，所述导电线为金线。

技术总结
本实用新型公开了一种图形化正装LED芯片，包括外延片，外延片的中部刻蚀形成有图形显示区，外延片上设有N型电极层和P型电极层；图形显示区内设有多个台阶状发光单元，所有发光单元形成所需图形的形状，发光单元由下至上依次设置有衬底层、N型层、发光层、P型层、ITO层、绝缘保护层和P型电极层，发光单元的P型电极层穿过发光单元的绝缘保护层与发光单元的ITO层连接，发光单元的绝缘保护层向下延伸至图形显示区的N型层的表面，发光单元的P型电极层与P型电极层通过导电线连接。本实用新型能够在LED芯片端直接设计图形，以能够大规模生产。产。产。


技术研发人员：李玉珠 陈慧秋 武杰 易翰翔 郝锐 张洪安
受保护的技术使用者：广东德力光电有限公司
技术研发日：2021.03.15
技术公布日：2021/10/26