一种MOS结构的功率晶体管的制作方法

文档序号:27960925发布日期:2021-12-12 21:51阅读:82来源:国知局
一种MOS结构的功率晶体管的制作方法
一种mos结构的功率晶体管
技术领域
1.本实用新型涉及功率晶体管技术领域,具体为一种mos结构的功率晶体管。


背景技术:

2.功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。
3.功率晶体管的应用在提高系统可靠性及响应速度的同时,其可靠及快速散热的问题就显得尤为重要。如果功率晶体管不能及时散热,会影响系统工作的稳定性,甚至产生严重后果;且功率晶体管插接处导电片容易折断不方便再次焊接使用。


技术实现要素:

4.本实用新型的目的在于提供一种mos结构的功率晶体管,以解决功率晶体管散热效果差的问题。
5.为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种mos结构的功率晶体管,包括管体,所述管体上设置有绝缘导热胶,绝缘导热胶起到绝缘导热的作用,所述绝缘导热胶的外侧粘接有散热块,所述管体上设置有连接块,所述管体内侧对称固定有连接引脚。
6.优选的,所述连接引脚上设置有开口,开口内侧连接有导电片,导电片折断后,松弛开口将开口内侧导电片取出即可重新夹持固定导电片,方便导电片折断后再次连接。
7.优选的,所述连接引脚上螺纹连接有夹紧螺栓,夹紧螺栓贯穿开口,夹紧螺栓收缩开口向内夹紧导电片。
8.优选的,所述散热块上均匀设置有散热槽,散热槽的设置增加散热块与空气的接触面积,提高散热块的散热效果。
9.优选的,所述散热块采用黄铜制作而成,黄铜制作的散热块具有散热效果好的特点。
10.与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型使用时通过散热块的设置能够提高管体的散热效果;通过开口夹紧导电片,能够在折断的情况下方便连接。
附图说明
11.图1为本实用新型的整体结构正视图;
12.图2为本实用新型的整体结构侧视剖面图;
13.图3为本实用新型的整体结构侧视横切面图。
14.图中:1管体、2绝缘导热胶、3散热块、4散热槽、5连接块、6连接引脚、7开口、8导电片、9夹紧螺栓。
具体实施方式
15.请参阅图1与图2,一种mos结构的功率晶体管,包括管体1,管体1上设置有绝缘导热胶2,绝缘导热胶2起到绝缘导热的作用,绝缘导热胶2的外侧粘接有散热块3,管体1上设置有连接块5,管体1内侧对称固定有连接引脚6。
16.请参阅图2,连接引脚6上设置有开口7,开口7内侧连接有导电片8,导电片8折断后,松弛开口7将开口7内侧导电片8取出即可重新夹持固定导电片8,方便导电片8折断后再次连接。
17.请参阅图1与图2,连接引脚6上螺纹连接有夹紧螺栓9,夹紧螺栓9贯穿开口7,夹紧螺栓9收缩开口7向内夹紧导电片8。
18.请参阅图2与图3,散热块3上均匀设置有散热槽4,散热槽4的设置增加散热块3与空气的接触面积,提高散热块3的散热效果。
19.请参阅图1与图2,散热块3采用黄铜制作而成,黄铜制作的散热块3具有散热效果好的特点。
20.本实用新型在具体实施时:管体1产生的热量通过绝缘导热胶2传递给散热块3,因散热块3上设置有散热槽4以及散热块3采用黄铜制作,因此能够快的将热量进行散发,以此能够提高管体1的散热效果;导电片8折断后,松动夹紧螺栓9松弛开口7,将开口7内侧导电片8取出,然后将导电片8插入开口7的内侧,重新转动夹紧螺栓9收缩开口7向内夹紧导电片8,方便导电片8折断后再次连接。


技术特征:
1.一种mos结构的功率晶体管,包括管体(1),其特征在于:所述管体(1)上设置有绝缘导热胶(2),所述绝缘导热胶(2)的外侧粘接有散热块(3),所述管体(1)上设置有连接块(5),所述管体(1)内侧对称固定有连接引脚(6)。2.根据权利要求1所述的一种mos结构的功率晶体管,其特征在于:所述连接引脚(6)上设置有开口(7),开口(7)内侧连接有导电片(8)。3.根据权利要求1所述的一种mos结构的功率晶体管,其特征在于:所述连接引脚(6)上螺纹连接有夹紧螺栓(9),夹紧螺栓(9)贯穿开口(7)。4.根据权利要求1所述的一种mos结构的功率晶体管,其特征在于:所述散热块(3)上均匀设置有散热槽(4)。5.根据权利要求1所述的一种mos结构的功率晶体管,其特征在于:所述散热块(3)采用黄铜制作而成。

技术总结
本实用新型公开了一种MOS结构的功率晶体管,包括管体,所述管体上设置有绝缘导热胶,所述绝缘导热胶的外侧粘接有散热块,所述管体上设置有连接块,所述管体内侧对称固定有连接引脚。本实用新型使用时通过散热块的设置能够提高管体的散热效果;通过开口夹紧导电片,能够在折断的情况下方便连接。在折断的情况下方便连接。在折断的情况下方便连接。


技术研发人员:钟平权
受保护的技术使用者:东莞市通科电子有限公司
技术研发日:2021.07.28
技术公布日:2021/12/11
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