1.本实用新型涉及陶瓷封装基板领域技术，尤其是指一种抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板。
背景技术：
2.陶瓷基层是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板，陶瓷基层现已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。
3.随着医疗杀菌行业的逐渐深入，使用环境也更加多样化，使得uvc杀菌封装模块对陶瓷基层的散热以及能抗冷热冲击性能要求也越来越高。在现有技术中，传统的uvc用封装基板为了防老化，取消了传统的molding工艺，采用的是金属围坝封装，可以避免老化问题，但是金属的热膨胀系数和陶瓷的热膨胀系数差别很大，在封装过程中会出现陶瓷基层应力过大导致陶瓷基层暗裂的问题，抗冷热冲击性能较差，从而使得uvc模块的寿命和可靠性下降，uvc杀菌模块封装良率较低。因此，有必要对目前的陶瓷封装基板进行改进。
技术实现要素：
4.有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其能有效解决现有之陶瓷封装基板存在应力过大导致基板暗裂以及抗冷热冲击性能较差的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
6.一种抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层以及金属围坝；该陶瓷基层的上下表面贯穿形成有通孔，该通孔中成型有导通柱；该正面线路层成型在陶瓷基层的上表面并与导通柱的上端导通连接；该背面线路层成型在陶瓷基层的下表面并与导通柱的下端导通连接；该金属围坝成型在陶瓷基层的上表面并位于正面线路层的外围，金属围坝围构形成一容置腔，该容置腔呈锥状结构，金属围坝包括有底层和于底层表面向上一体延伸出的主体层，该底层的宽度大于主体层的宽度，该主体层呈倒锥状。
7.作为一种优选方案，所述通孔通过微蚀或者激光或者cnc方式加工形成。
8.作为一种优选方案，所述通孔为垂直通孔。
9.作为一种优选方案，所述通孔为多个，对应的，导通柱为多个，多个导通柱分别位于通孔中。
10.作为一种优选方案，所述正面线路层和背面线路层均通过镀膜、预镀、沉铜、压干膜、曝光显影以及电镀的方式制作形成。
11.作为一种优选方案，所述金属围坝通过镀膜、预镀、沉铜、压干膜、曝光显影、电镀的方式制作形成。
12.作为一种优选方案，所述主体层的上表面内周缘下凹形成有嵌置槽。
13.作为一种优选方案，所述陶瓷基层的下表面中心成型有散热层，该背面线路层为两个，其分别位于散热层的两侧，该散热层的两侧与对应的背面线路层之间填充有油墨而形成有阻焊层。
14.本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
15.通过设置金属围坝中底层的宽度大于主体层的宽度，配合设置倒锥状结构的主体层，能够降低金属围坝对陶瓷基层的应力，从而使得这种特殊结构设计的金属围坝陶瓷封装基板具有优良的抗冷热冲击性能，不会因应力集中而导致开裂，能够提高uvc模块的寿命和可靠性，并且提高uvc杀菌模块封装良率，满足现有需求。
16.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
17.图1是本实用新型之较佳实施例的截面图。
18.附图标识说明：
19.10、陶瓷基层
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11、通孔
20.20、正面线路层
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30、背面线路层
21.40、金属围坝
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41、底层
22.42、主体层
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401、容置腔
23.402、嵌置槽
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50、导通柱
24.60、散热层
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70、阻焊层。
具体实施方式
25.请参照图1所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，包括有陶瓷基层10、正面线路层20、背面线路层30以及金属围坝40。
26.该陶瓷基层10的上下表面贯穿形成有通孔11，该通孔11中成型有导通柱50，该通孔11通过微蚀或者激光或者cnc等方式加工形成；在本实施例中，该通孔11为垂直通孔，该通孔11为多个，对应的，导通柱50为多个，多个导通柱50分别位于通孔11中。
27.该正面线路层20成型在陶瓷基层10的上表面并与导通柱50的上端导通连接；该背面线路层30成型在陶瓷基层10的下表面并与导通柱50的下端导通连接；该正面线路层20和背面线路层30均通过镀膜、预镀、沉铜、压干膜、曝光显影以及电镀的方式制作形成。
28.该金属围坝40成型在陶瓷基层10的上表面并位于正面线路层20的外围，金属围坝40围构形成一容置腔401，该容置腔401呈锥状结构，金属围坝40包括有底层41和于底层41表面向上一体延伸出的主体层42，该底层41的宽度大于主体层42的宽度，该主体层42呈倒锥状，从而使得这种特殊结构设计的金属围坝陶瓷封装基板具有优良的抗冷热冲击性能。在本实施例中，该金属围坝40亦通过镀膜、预镀、沉铜、压干膜、曝光显影、电镀的方式制作形成，所述主体层42的上表面内周缘下凹形成有嵌置槽402。
29.以及，该陶瓷基层10的下表面中心成型有散热层60，该背面线路层30为两个，其分别位于散热层60的两侧，该散热层60的两侧与对应的背面线路层30之间填充有油墨而形成
有阻焊层70。
30.详述本实施例的制作过程如下：
31.首先，将陶瓷基层10通过微蚀或者激光或者cnc等方式加工成型出通孔11；接着，将陶瓷基层10通过镀膜、预镀、沉铜、压干膜、曝光显影、电镀的方式制作成型出正面线路层20、背面线路层30、金属围坝40（底层41和倒锥状的主体层42）、导通柱50和散热层60，并在散热层60的两侧与对应的背面线路层30之间填充油墨而形成阻焊层70即可。
32.本实用新型的设计重点在于：
33.通过设置金属围坝中底层的宽度大于主体层的宽度，配合设置倒锥状结构的主体层，能够降低金属围坝对陶瓷基层的应力，从而使得这种特殊结构设计的金属围坝陶瓷封装基板具有优良的抗冷热冲击性能，不会因应力集中而导致开裂，能够提高uvc模块的寿命和可靠性，并且提高uvc杀菌模块封装良率，满足现有需求。
34.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
技术特征：
1.一种抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层以及金属围坝；该陶瓷基层的上下表面贯穿形成有通孔，该通孔中成型有导通柱；该正面线路层成型在陶瓷基层的上表面并与导通柱的上端导通连接；该背面线路层成型在陶瓷基层的下表面并与导通柱的下端导通连接；该金属围坝成型在陶瓷基层的上表面并位于正面线路层的外围，金属围坝围构形成一容置腔，其特征在于：该容置腔呈锥状结构，金属围坝包括有底层和于底层表面向上一体延伸出的主体层，该底层的宽度大于主体层的宽度，该主体层呈倒锥状。2.根据权利要求1所述的抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：所述通孔通过微蚀或者激光或者cnc方式加工形成。3.根据权利要求1所述的抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：所述通孔为垂直通孔。4.根据权利要求1所述的抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：所述通孔为多个，对应的，导通柱为多个，多个导通柱分别位于通孔中。5.根据权利要求1所述的抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：所述正面线路层和背面线路层均通过镀膜、预镀、沉铜、压干膜、曝光显影以及电镀的方式制作形成。6.根据权利要求1所述的抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：所述金属围坝通过镀膜、预镀、沉铜、压干膜、曝光显影、电镀的方式制作形成。7.根据权利要求1所述的抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：所述主体层的上表面内周缘下凹形成有嵌置槽。8.根据权利要求1所述的抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：所述陶瓷基层的下表面中心成型有散热层，该背面线路层为两个，其分别位于散热层的两侧，该散热层的两侧与对应的背面线路层之间填充有油墨而形成有阻焊层。
技术总结
本实用新型公开一种抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层以及金属围坝；该金属围坝成型在陶瓷基层的上表面并位于正面线路层的外围，金属围坝围构形成一容置腔，该容置腔呈锥状结构，金属围坝包括有底层和于底层表面向上一体延伸出的主体层，该底层的宽度大于主体层的宽度，该主体层呈倒锥状。通过设置金属围坝中底层的宽度大于主体层的宽度，配合设置倒锥状结构的主体层，能够降低金属围坝对陶瓷基层的应力，从而使得这种特殊结构设计的金属围坝陶瓷封装基板具有优良的抗冷热冲击性能，不会因应力集中而导致开裂，能够提高UVC模块的寿命和可靠性，并且提高UVC杀菌模块封装良率，满足现有需求。满足现有需求。满足现有需求。
技术研发人员：何浩波 郭晓泉 孔仕进 康为
受保护的技术使用者：江西晶弘新材料科技有限责任公司
技术研发日：2021.08.30
技术公布日：2022/3/25