降低负阻的RCIGBT的制作方法

降低负阻的rcigbt
技术领域
1.本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及降低负阻的rcigbt。


背景技术：

[0002] rcigbt由于内部集成了frd，因此无需另配续流二极管，由此成功消除了芯片间互联引线引入的寄生电感，提高了芯片面积利用率，也减少了封装成本。但背面n+短路孔的存在导致rcigbt只要正面栅极打开，此n+短路孔始终存在电子通道，相当于mos开通，因此，在rcigbt内，开启存在两种状态，即电导调制前，电导调制后，此两种状态存在0.7v的压差。这就带来了体内压降突变的问题，即通常所说的snapback（负阻）问题，严重影响产品使用，现在的手段是通过优化背面n+与p+的比例来解决，手段相对单一。


技术实现要素：

[0003]
本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑、制造简便、有效降低负阻的降低负阻的rcigbt。
[0004]
本实用新型的技术方案是：降低负阻的rcigbt，包括n-漂移区、pbody区、栅极区、n+源区、p+接触区和金属层；
[0005]
所述栅极区位于所述n-漂移区的上方；
[0006]
所述pbody区位于所述n-漂移区上，顶部与所述栅极区连接；
[0007]
所述n+源区与p+接触区分别设有若干，穿插设置于所述n-漂移区的下方；
[0008]
所述金属层设置在所述n+源区与p+接触区的下方。
[0009]
所述金属层为pt层。
[0010]
所述金属层的厚度大于100a。
[0011]
本实用新型中在实现背面n+和p+穿插结构后，利用溅射工艺，溅射一层金属pt，利用pt与n会形成势垒，会存在正向导通约0.4v的压降，而pt与p+此时由于功函数的原因，会形成良好的欧姆接触，不存在导通压降的问题，p+区仍然是原pn结的压降0.7v，此时在正向导通的两个阶段的压降差降低为0.3v,降低了两者的压降差，可有效降低snapback（负阻）问题。
附图说明
[0012]
图1是本实用新型的结构示意图；
[0013]
图中1是n-漂移区，2是栅极区，3是pbody区， 4是n+源区，5是p+接触区，6是金属层。
具体实施方式
[0014]
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参
考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0015]
本实用新型如图1所示，降低负阻的rcigbt（逆导igbt），包括n-漂移区1、pbody区3、栅极区2、n+源区4、p+接触区5和金属层6；
[0016]
所述栅极区2位于所述n-漂移区1的上方；
[0017]
所述pbody区3位于所述n-漂移区1上，顶部与所述栅极区2连接；
[0018]
所述n+源区4与p+接触区5分别设有若干，穿插设置于所述n-漂移区1的下方；
[0019]
所述金属层6设置在所述n+源区4与p+接触区5的下方。
[0020]
所述金属层6为pt层。除了pt层外，其他可以与n型硅实现肖特基接触的金属均可，本文以pt举例。
[0021]
所述金属层的厚度大于100a。
[0022]
利用pt与n型硅形成势垒，而与p型硅形成良好欧姆接触，由此可减小rcigbt电导调制前与电导调制的压差，可有效降低snapback（负阻），本文仅通过pt来举例说明，任何可以与n型硅形成势垒的金属均可以达到此专利的目的。
[0023]
对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
[0024]
（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
[0025]
（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
[0026]
以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。


技术特征：
1.降低负阻的rcigbt，其特征在于，包括n-漂移区（1）、pbody区（3）、栅极区（2）、n+源区（4）、p+接触区（5）和金属层（6）；所述栅极区（2）位于所述n-漂移区（1）的上方；所述pbody区（3）位于所述n-漂移区（1）上，顶部与所述栅极区（2）连接；所述n+源区（4）与p+接触区（5）分别设有若干，穿插设置于所述n-漂移区（1）的下方；所述金属层（6）设置在所述n+源区（4）与p+接触区（5）的下方。2.根据权利要求1所述的降低负阻的rcigbt，其特征在于，所述金属层（6）为pt层。3.根据权利要求1所述的降低负阻的rcigbt，其特征在于，所述金属层的厚度大于100a。

技术总结
降低负阻的RCIGBT。涉及一种半导体器件，尤其涉及降低负阻的RCIGBT。包括N-漂移区、Pbody区、栅极区、N+源区、P+接触区和金属层；所述栅极区位于所述N-漂移区的上方；所述Pbody区位于所述N-漂移区上，顶部与所述栅极区连接。本实用新型中在实现背面N+和P+穿插结构后，利用溅射工艺，溅射一层金属Pt，利用Pt与N会形成势垒，会存在正向导通约0.4V的压降，而Pt与P+此时由于功函数的原因，会形成良好的欧姆接触，不存在导通压降的问题，P+区仍然是原PN结的压降0.7V，此时在正向导通的两个阶段的压降差降低为0.3V,降低了两者的压降差，可有效降低snapback（负阻）问题。效降低snapback（负阻）问题。效降低snapback（负阻）问题。


技术研发人员：吴迪 王毅
受保护的技术使用者：扬州扬杰电子科技股份有限公司
技术研发日：2021.09.26
技术公布日：2022/2/25