上盖耐高压的陶瓷高压硅堆的制作方法

1.本实用新型涉及陶瓷高压硅堆的技术领域，具体是一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆。


背景技术：

2.对于现有的陶瓷高压硅堆来说，其外壳主要由陶瓷壳体以及一个金属的上盖组成。上盖均为金属平行封焊的结构，换句话说，上盖就是一层金属盖。参见图2，图2示出了现有技术中陶瓷高压硅堆的外壳结构。当电压超过一定数值后，内部芯片容易因为绝缘问题和上盖产生拉弧和放电击穿等现象，影响产品的安全使用，为了解决这一问题，本实用新型提出一种新的解决方案。


技术实现要素：

3.为解决上述问题，即当电压超过一定数值后，芯片容易和上盖产生拉弧和放电击穿等现象，本实用新型提出了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆，其包括陶瓷壳体和金属盖，在金属盖的内侧还设置有二层绝缘盖。
4.本实用新型的进一步设置为：所述陶瓷壳体设置有用于放置所述二层绝缘盖的凹台。
5.本实用新型的进一步设置为：所述二层绝缘盖采用陶瓷材质。
6.本实用新型的有益技术效果为：
7.1、通过设置二层绝缘盖，隔离了芯片与金属盖，大大增加了产品整体的可靠性和耐压性。
8.2、凹台的设计既方便二层绝缘盖的安放的定位又不影响金属盖的安装。
附图说明
9.图1是本实用新型中陶瓷高压硅堆的剖视图。
10.图2是现有技术中陶瓷高压硅堆的剖视图。
11.附图标记：1、陶瓷壳体；11、凹台；2、金属盖；3、二层绝缘盖。
具体实施方式
12.下面参照附图来描述本实用新型的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本实用新型的技术原理，并非旨在限制本实用新型的保护范围。
13.参见图1，本实用新型提出了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆，包括陶瓷壳体1和金属盖2。在金属盖2的内侧还设置有二层绝缘盖3，二层绝缘盖3采用陶瓷材质。二层绝缘盖3起到了隔离芯片与金属盖2的作用，大大增加了产品整体的可靠性和耐压性。具体的安装结构是：在陶瓷壳体1上设置有用于放置二层绝缘盖3的凹台11，可以是粘接固定或是过盈
配合安装。安装结构的优点是：1、方便二层绝缘盖3的安放的定位；2、不影响金属盖2的安装；3、没有对陶瓷壳体1外轮廓的改动，所以可以参照现有的实用场景继续使用。
14.虽然已经参考优选实施例对本实用新型进行了描述，但在不脱离本实用新型的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件，尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本实用新型并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
15.在本实用新型的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
16.此外，还需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
17.术语“包括”或者任何其它类似用语旨在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、物品或者设备/装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者还包括这些过程、物品或者设备/装置所固有的要素。
18.至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本实用新型的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本实用新型的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本实用新型的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆，包括陶瓷壳体(1)和金属盖(2)，其特征在于：在金属盖(2)的内侧还设置有二层绝缘盖(3)。2.根据权利要求1所述的上盖耐高压的陶瓷高压硅堆，其特征在于：所述陶瓷壳体(1)设置有用于放置所述二层绝缘盖(3)的凹台(11)。3.根据权利要求1所述的上盖耐高压的陶瓷高压硅堆，其特征在于：所述二层绝缘盖(3)采用陶瓷材质。

技术总结
本实用新型公开了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆，涉及陶瓷高压硅堆的技术领域，本实用新型旨在解决当电压超过一定数值后，芯片容易和上盖产生拉弧和放电击穿等现象的问题，本实用新型包括陶瓷壳体和金属盖，在金属盖的内侧还设置有二层绝缘盖。侧还设置有二层绝缘盖。侧还设置有二层绝缘盖。


技术研发人员：张蕾 刘洋 孙晨亮
受保护的技术使用者：阜新嘉隆电子有限公司
技术研发日：2021.11.23
技术公布日：2022/4/8