一种吸嘴结构的制作方法

1.本申请涉及芯片焊锡加工设备技术领域，尤其是涉及一种吸嘴结构。


背景技术：

2.在半导体装置的制造工序过程中，芯片与引线框通过焊锡结合，需要利用吸嘴压覆，将焊锡压成均匀的厚度和形状，然后将芯片贴在焊锡上再进行焊接。由于锡材料中存在水分，采用实心吸嘴压覆，在焊接过程中很难从引线框与芯片中间排出，容易导致焊接空洞问题。


技术实现要素：

3.为了改善上述提到的问题，本实用新型提供一种吸嘴结构。
4.本实用新型提供一种吸嘴结构，采用如下的技术方案：一种吸嘴结构，包括用于固定芯片的主体，所述主体一侧设置有压合区，所述主体的内部开设有排气槽，且所述排气槽的外部周围设置有围栏，所述主体的外部还安装有外围围栏。
5.基于上述技术特征：本吸嘴结构通过设计有外围围栏，吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度，且通过在排气槽周围设计有围栏，防止锡材料溢出至外围，且采用内嵌式安装芯片，压合区内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。
6.作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述主体采用镂空式结构。
7.基于上述技术特征：可利用主体对锡材料进行吸嘴压覆，且提高有利于提高对芯片的真空吸附力。
8.作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述排气槽对称开设有6组，且排气槽的外侧设计有围栏。
9.基于上述技术特征：围栏可防止锡材料溢出至外围。
10.作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述外围围栏的尺寸大于围栏，且所述围栏位于外围围栏的内侧。
11.基于上述技术特征：外围围栏可用于吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度。
12.作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述压合区与芯片之间采用内嵌式安装。
13.基于上述技术特征：压合区内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。
14.作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述排气槽的内侧连通压合区。
15.基于上述技术特征：锡材料在压覆过程中内部的水分可通过排气槽向外排出。
16.综上所述，本实用新型包括以下至少一种有益效果：
17.1.通过设计外围围栏，吸嘴压覆时锡材料可溢出至结合区域外围即芯片与引线框
结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度；
18.2.通过将围栏设计在排气槽的周围，可防止锡材料溢出至外围；
19.3.通过采用压合区内嵌式安装芯片的方式，在压覆区域内可防止锡材料溢出至芯片的表面。
附图说明
20.图1是本实用新型的整体结构图；
21.图2是本实用新型的仰视图；
22.图3是本实用新型的侧视图。
23.附图标记说明：
24.1、主体；2、压合区；3、排气槽；4、围栏；5、外围围栏。
具体实施方式
25.以下结合附图1-3对本实用新型作进一步详细说明。
26.请参阅图1-3，本实用新型提供的一种吸嘴结构，包括用于固定芯片的主体 1，主体1采用镂空式结构，可利用主体1对锡材料进行吸嘴压覆，且提高有利于提高对芯片的真空吸附力，主体1一侧设置有压合区2，压合区2与芯片之间采用内嵌式安装，压合区2内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。
27.主体1的内部开设有排气槽3，排气槽3的内侧连通压合区2，锡材料在压覆过程中内部的水分可通过排气槽3向外排出，排气槽3对称开设有6组，且排气槽3的外侧设计有围栏4，围栏4可防止锡材料溢出至外围。
28.主体1的外部还安装有外围围栏5，外围围栏5的尺寸大于围栏4，且围栏 4位于外围围栏5的内侧，通过设计有外围围栏5，吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度，且通过在排气槽3周围设计有围栏4，防止锡材料溢出至外围，且采用内嵌式安装芯片，压合区2内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。
29.工作原理：首先在线框上先画好锡，再利用机台上的吸嘴进行压覆，将焊锡压成均匀的厚度和形状，锡材料在压覆过程中内部的水分可通过排气槽3向外排出，且在压合时围栏4可防止周围多余的锡溢出，吸嘴压覆时锡材料可溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度。
30.以上均为本实用新型的较佳实施例，并非依此限制本实用新型的保护范围，故：凡依本实用新型的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种吸嘴结构，包括用于固定芯片的主体(1)，其特征在于：所述主体(1)一侧设置有压合区(2)，所述主体(1)的内部开设有排气槽(3)，且所述排气槽(3)的外部周围设置有围栏(4)，所述主体(1)的外部还安装有外围围栏(5)。2.如权利要求1所述的一种吸嘴结构，其特征在于：所述主体(1)采用镂空式结构。3.如权利要求1所述的一种吸嘴结构，其特征在于：所述排气槽(3)对称开设有6组，且排气槽(3)的外侧设计有围栏(4)。4.如权利要求1所述的一种吸嘴结构，其特征在于：所述外围围栏(5)的尺寸大于围栏(4)，且所述围栏(4)位于外围围栏(5)的内侧。5.如权利要求1所述的一种吸嘴结构，其特征在于：所述压合区(2)与芯片之间采用内嵌式安装。6.如权利要求1所述的一种吸嘴结构，其特征在于：所述排气槽(3)的内侧连通压合区(2)。

技术总结
本申请公开了一种吸嘴结构，涉及芯片焊锡加工设备技术领域，包括用于固定芯片的主体，主体一侧设置有压合区，压合区与芯片之间采用内嵌式安装，主体的内部开设有排气槽，且排气槽的外部周围设置有围栏，主体的外部还安装有外围围栏，外围围栏的尺寸大于围栏，且围栏位于外围围栏的内侧。本申请所述吸嘴结构通过设计有外围围栏，吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度，且通过在排气槽周围设计有围栏，防止锡材料溢出至外围，且采用内嵌式安装芯片，压合区内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。表面。表面。


技术研发人员：张超 钟磊 李利
受保护的技术使用者：甬矽电子（宁波）股份有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/7/5