一种双色COB的制作方法

一种双色cob
技术领域
1.本实用新型涉及cob技术领域，尤其是一种双色cob。


背景技术：

2.现有的cob基板常采用铝基板，其耐压性能较差，其次，双色cob的晶片都是固定在基板的上表面，封装胶层与基板的接触面积小，会有脱胶的风险。


技术实现要素：

3.本实用新型目的是提供一种双色cob，具有高耐压，不易脱胶的特点，为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
4.一种双色cob，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的围堰、设置在围堰中的第一晶片组和第二晶片组，所述第一晶片组包括若干正装设置的第一晶片，所述第二晶片组包括若干正装设置的第二晶片，所述陶瓷基板位于围堰的内部设置有若干凹槽，所述第一晶片分布在陶瓷基板的上表面，所述第二晶片设置在凹槽中，单个第二晶片与单个凹槽一一对应，所述凹槽中填充有第二荧光层，所述围堰中填充有第一荧光层。
5.进一步的，所述第一晶片和第二晶片均为蓝光晶片，所述围堰中设置有第一焊盘组和第二焊盘组，所述第一晶片的金线与第一焊盘组连接，所述第二晶片的金线伸出到凹槽的外侧并与第二焊盘组连接。
6.进一步的，所述凹槽为倒立设置的圆锥形。
7.采用上述技术方案，采用陶瓷基板，具有高耐压的特点，陶瓷基板上开设有凹槽，用于固定第二晶片并填充第二荧光层，第二荧光层与陶瓷基板接触面积较大，避免产生脱胶现象，第二晶片发出的光依次透过第二荧光层和第一荧光层，第一晶片发出的光透过第一荧光层，因此能够产生双色效果。
附图说明
8.图1为双色cob隐藏荧光层后的正面示意图。
9.图2为双色cob的侧面剖面示意图。
具体实施方式
10.下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行说明。
11.如图1、2所示，一种双色cob，包括陶瓷基板1、设置在陶瓷基板1上的围堰2、设置在围堰2中的第一晶片组和第二晶片组，第一晶片组包括若干正装设置的第一晶片3，第二晶片组包括若干正装设置的第二晶片4，陶瓷基板1位于围堰2的内部设置有若干凹槽5，凹槽5为倒立设置的圆锥形，第一晶片3分布在陶瓷基板1的上表面，第二晶片4设置在凹槽5中，单个第二晶片4与单个凹槽5一一对应，第一晶片3和第二晶片4均为蓝光晶片，围堰2中设置有第一焊盘组6和第二焊盘组7，第一晶片3的金线与第一焊盘组6连接，第二晶片4的金线伸出
到凹槽5的外侧并与第二焊盘组7连接。凹槽5中填充有第二荧光层8，围堰2中填充有第一荧光层9。
12.采用上述技术方案，采用陶瓷基板1，具有高耐压的特点，陶瓷基板1上开设有凹槽5，用于固定第二晶片4并填充第二荧光层8，第二荧光层8与陶瓷基板1接触面积较大，避免产生脱胶现象，第二晶片4发出的光依次透过第二荧光层8和第一荧光层9，第一晶片3发出的光透过第一荧光层9，因此能够产生双色效果。
13.以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改、组合和变化。凡在本实用新型的精神和原理之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。


技术特征：
1.一种双色cob，其特征在于：包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的围堰、设置在围堰中的第一晶片组和第二晶片组，所述第一晶片组包括若干正装设置的第一晶片，所述第二晶片组包括若干正装设置的第二晶片，所述陶瓷基板位于围堰的内部设置有若干凹槽，所述第一晶片分布在陶瓷基板的上表面，所述第二晶片设置在凹槽中，单个第二晶片与单个凹槽一一对应，所述凹槽中填充有第二荧光层，所述围堰中填充有第一荧光层。2.根据权利要求1所述的双色cob，其特征在于：所述第一晶片和第二晶片均为蓝光晶片，所述围堰中设置有第一焊盘组和第二焊盘组，所述第一晶片的金线与第一焊盘组连接，所述第二晶片的金线伸出到凹槽的外侧并与第二焊盘组连接。3.根据权利要求1所述的双色cob，其特征在于：所述凹槽为倒立设置的圆锥形。

技术总结
一种双色COB，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的围堰、设置在围堰中的第一晶片组和第二晶片组，所述第一晶片组包括若干正装设置的第一晶片，所述第二晶片组包括若干正装设置的第二晶片，所述陶瓷基板位于围堰的内部设置有若干凹槽，所述第一晶片分布在陶瓷基板的上表面，所述第二晶片设置在凹槽中，单个第二晶片与单个凹槽一一对应，所述凹槽中填充有第二荧光层，所述围堰中填充有第一荧光层。采用上述技术方案，具有高耐压，不易脱胶的特点。不易脱胶的特点。不易脱胶的特点。


技术研发人员：罗鉴 黄巍 林德顺 翁平 杨永发
受保护的技术使用者：鸿利智汇集团股份有限公司
技术研发日：2021.12.22
技术公布日：2022/6/1