一种陶瓷波导双模负耦合结构的制作方法

1.本实用新型涉及陶瓷波导器技术领域，特指一种陶瓷波导双模负耦合结构。


背景技术：

2.随着现代通信技术的发展，通信设备的小型化是一种必然的趋势，特别是在5g时代，通信设备的小型化显的尤为重要，在5g通信中，滤波器也一直在朝着小型化发展，然而陶瓷波导滤波器很好的解决了设备小型化要求，随着通信技术的发展，频谱资源越来越紧缺，通信频段间隔越来越近，相应的干扰也会越来越严重，所以相应的滤波设备要求对带外的抑制能力要求就越来越高。但现有陶瓷波导器由于结构比较单一，导致实现电容耦合相当困难，且近端频率抑制的能力弱，并且负耦合带外谐振频率偏高时存在抑制效果差的问题。


技术实现要素：

3.本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种陶瓷波导双模负耦合结构。
4.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种陶瓷波导双模负耦合结构，包含陶瓷介质谐振器；所述陶瓷介质谐振器的两侧分别设置有调试孔；所述陶瓷介质谐振器的端部设置有耦合孔；所述耦合孔位于两个调试孔之间；所述耦合孔分为第一负耦合孔和第二负耦合孔；所述第一负耦合孔的竖直截面呈梯形；所述第一负耦合孔与第二负耦合孔的连接处设有去银层。
5.优选的，所述第一负耦合孔上宽下窄。
6.优选的，所述第一负耦合孔上面单边长度比下面单边长度多0.3-0.5mm。
7.优选的，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔之间的距离大于0.8mm。
8.优选的，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔沿两个调试孔的对称线方向放置。
9.优选的，所述第二负耦合孔设置在第一负耦合孔的外侧。
10.优选的，所述第一负耦合孔的直径大于第二负耦合孔的直径。
11.优选的，所述去银层设置在第二负耦合孔内，且去银层的面积为第二负耦合孔面积的二分之一到三分之二。
12.由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
13.本实用新型通过设置梯状的第一负耦合孔和第二负耦合孔，解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题，提升对近端频率抑制的能力以及负耦合带外谐振频率偏高时高抑制的问题，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
附图说明
14.下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：
15.附图1为本实用新型所述的陶瓷波导双模负耦合结构的局部示意图；
16.附图2为本实用新型所述的陶瓷波导双模负耦合结构的电特性曲线图。
17.其中：1、陶瓷介质谐振器；2、调试孔；3、第一负耦合孔；4、第二负耦合孔。
具体实施方式
18.下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
19.附图1为本实用新型所述的陶瓷波导双模负耦合结构，包含陶瓷介质谐振器1；所述陶瓷介质谐振器1的两侧分别设置有调试孔2；所述陶瓷介质谐振器1的端部设置有耦合孔；所述耦合孔位于两个调试孔2之间；所述耦合孔分为第一负耦合孔3和第二负耦合孔4；所述第一负耦合孔3与第二负耦合孔4的连接处设有去银层；所述第一负耦合孔3的竖直截面呈梯形；所述第一负耦合孔3上宽下窄；所述第一负耦合孔3上面单边长度比下面单边长度多0.3-0.5mm；所述第一负耦合孔3和第二负耦合孔4之间的距离大于0.8mm；所述第一负耦合孔3和第二负耦合孔4沿两个调试孔2的对称线方向放置；所述第二负耦合孔4设置在第一负耦合孔3的外侧；所述第一负耦合孔3的直径大于第二负耦合孔4的直径；所述去银层设置在第二负耦合孔4内，且去银层的面积为第二负耦合孔4面积的三分之二。
20.本实用新型通过设置梯状的第一负耦合孔3和第二负耦合孔4，解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题，提升对近端频率抑制的能力以及负耦合带外谐振频率偏高时高抑制的问题，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
21.图2为本实施例中的陶瓷波导双模负耦合结构的电特性曲线图，可以看出本实施例中的陶瓷波导双模负耦合结构具有较好的隔离特性及谐波特性，抗干扰能力强。
22.以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。


技术特征：
1.一种陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：包含陶瓷介质谐振器；所述陶瓷介质谐振器的两侧分别设置有调试孔；所述陶瓷介质谐振器的端部设置有耦合孔；所述耦合孔位于两个调试孔之间；所述耦合孔分为第一负耦合孔和第二负耦合孔；所述第一负耦合孔的竖直截面呈梯形；所述第一负耦合孔与第二负耦合孔的连接处设有去银层。2.根据权利要求1所述的陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：所述第一负耦合孔上宽下窄。3.根据权利要求2所述的陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：所述第一负耦合孔上面单边长度比下面单边长度多0.3-0.5mm。4.根据权利要求3所述的陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：所述第一负耦合孔和第二负耦合孔之间的距离大于0.8mm。5.根据权利要求4所述的陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：所述第一负耦合孔和第二负耦合孔沿两个调试孔的对称线方向放置。6.根据权利要求5所述的陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：所述第二负耦合孔设置在第一负耦合孔的外侧。7.根据权利要求6所述的陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：所述第一负耦合孔的直径大于第二负耦合孔的直径。8.根据权利要求1-7任意一项所述的陶瓷波导双模负耦合结构，其特征在于：所述去银层设置在第二负耦合孔内，且去银层的面积为第二负耦合孔面积的二分之一到三分之二。

技术总结
本实用新型涉及一种陶瓷波导双模负耦合结构，包含陶瓷介质谐振器；所述陶瓷介质谐振器的两侧分别设置有调试孔；所述陶瓷介质谐振器的端部设置有耦合孔；所述耦合孔位于两个调试孔之间；所述耦合孔分为第一负耦合孔和第二负耦合孔；所述第一负耦合孔的竖直截面呈梯形；所述第一负耦合孔与第二负耦合孔的连接处设有去银层；本实用新型通过设置梯状的第一负耦合孔和第二负耦合孔，解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题，提升对近端频率抑制的能力以及负耦合带外谐振频率偏高时高抑制的问题，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。提供了巨大突破。提供了巨大突破。


技术研发人员：吴奎
受保护的技术使用者：苏州艾福电子通讯股份有限公司
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2023/2/20