预模制衬底和用于制造预模制衬底的方法与流程

实施例涉及一种预模制衬底和制造预模制衬底的方法，且更确切地说，涉及制造具有高可靠性的预模制衬底的方法。

背景技术：

1、举例来说，电路板对例如半导体封装的电子组件是必要的组件，且需要具有适用于使用电路板的产品的电子电路特性和操作环境的高可靠性水平的电路板制造技术。

2、在电路板或引线框架中，存在预模制型衬底或预模制型引线框架，模制树脂的一部分布置在所述预模制型衬底或预模制型引线框架上。预模制型衬底或预模制型引线框架具有缩短半导体封装制造过程的优点，因为模制树脂的一部分预先布置在半导体芯片的安装之前。

3、举例来说，美国专利第7,723,163号公开一种制造预模制引线框架的方法。

4、(专利文献1)美国专利第7,723,163号(2010年5月25日)

技术实现思路

1、技术问题

2、实施例提供一种预模制衬底和制造预模制衬底的方法，其可改进可靠性且减小制造成本。

3、问题解决方案

4、一种根据实施例的预模制衬底包含：导电衬底，具有一个表面和另一表面，导电衬底包含形成于一个表面上的凹槽和形成于另一表面上的电路图案；以及树脂，布置于凹槽中，其中衬底的一个表面的至少一部分突出高于树脂的表面。

5、电路图案可包含：安装部分，半导体芯片可安装在所述安装部分上；以及焊盘，位于安装部分外部且通过导线电连接到半导体芯片。

6、一种制造根据实施例的预模制衬底的方法包含：制备导电衬底；在衬底的一个表面上形成凹槽；布置树脂以覆盖衬底的一个表面和凹槽；去除树脂的一部分，使得衬底的一个表面的至少一部分突出高于覆盖凹槽的树脂的表面；以及在衬底的另一表面上形成电路图案。

7、凹槽的形成可包含去除衬底的一个表面的一部分。

8、凹槽的形成可包含通过半蚀刻方法去除衬底的一个表面的一部分。

9、凹槽的形成可包含在衬底的一个表面上布置光敏抗蚀剂、曝光和显影对应于面向衬底的一个表面的凹槽的凹槽图案掩模，以及通过将蚀刻剂施加到衬底的一个表面而去除衬底的一个表面的一部分。

10、通过形成凹槽的衬底的带凹槽部分的厚度可为35微米或大于35微米。

11、制造预模制衬底的方法可进一步包含在凹槽的形成与树脂的布置之间使衬底的一个表面粗糙化的表面处理操作。

12、制造预模制衬底的方法可进一步包含在树脂的布置与树脂的一部分的去除之间固化树脂。

13、在树脂的布置中，树脂可布置成覆盖衬底的一个表面的整个区域和凹槽。

14、树脂的一部分的去除可包含首先从衬底的整个区域去除树脂，使得暴露衬底的一个表面，且其次在暴露衬底的一个表面之后去除覆盖凹槽的树脂。

15、在树脂的一部分的去除中，可使用激光束或抛光刷去除树脂。

16、通过树脂的一部分的去除，衬底的一个表面的至少一部分突出高于树脂的表面的高度可为0.01毫米到0.03毫米。

17、电路图案的形成可包含在衬底的另一表面上布置光敏抗蚀剂、曝光和显影对应于面向衬底的另一表面的电路图案的图案掩模，以及通过将蚀刻剂施加到衬底的另一表面而去除衬底的另一表面的一部分。

18、电路图案的形成可进一步包含在将蚀刻剂施加到衬底的另一表面之前形成覆盖衬底的一个表面的保护层，以及在将蚀刻剂施加到衬底的另一表面之后去除保护层。

19、制造预模制衬底的方法可进一步包含在衬底的一个表面和衬底的另一表面上的电路图案的一个表面中的至少一个表面上形成镀层。

20、公开的有利效果

21、根据一种预模制衬底和一种制造根据上文所描述的实施例的预模制衬底的方法，衬底由布置在一个表面上的凹槽中的树脂稳定地支撑。因此，可在半导体组装过程期间稳定地维持预模制衬底的总体结构。

22、另外，因为衬底的电路图案的焊盘可邻近于安装部分定位，所以可在半导体芯片与衬底的焊盘之间的线接合过程期间将导电线的长度设置为较短。因此，可减少半导体封装的制造成本和制造时间。

23、另外，因为衬底的一个表面的安装端形成为突出高于树脂的端表面，所以当预模制衬底安装在印刷电路板上时，可扩展针对焊接过程应用焊料的区域，使得可改进预模制衬底的安装结构的可靠性。

技术特征：

1.一种预模制衬底，包括：

2.根据权利要求1所述的预模制衬底，其中所述电路图案包括：安装部分，半导体芯片可安装在所述安装部分上；以及焊盘，位于所述安装部分外部且通过导线电连接到所述半导体芯片。

3.一种制造预模制衬底的方法，所述方法包括：

4.根据权利要求3所述的预模制衬底，其中所述凹槽的所述形成包括去除所述衬底的所述一个表面的一部分。

5.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，其中所述凹槽的所述形成包括通过半蚀刻方法去除所述衬底的所述一个表面的一部分。

6.根据权利要求5所述的制造预模制衬底的方法，其中所述凹槽的所述形成包括在所述衬底的所述一个表面上布置光敏抗蚀剂、曝光和显影对应于面向所述衬底的所述一个表面的所述凹槽的凹槽图案掩模，以及通过将蚀刻剂施加到所述衬底的所述一个表面而去除所述衬底的所述一个表面的一部分。

7.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，其中所述衬底的一部分的厚度为35微米或大于35微米，所述衬底的所述部分为通过所述凹槽的所述形成而形成所述凹槽的一部分。

8.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，进一步包括在所述凹槽的所述形成与所述树脂的所述布置之间使所述衬底的所述一个表面粗糙化的表面处理操作。

9.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，进一步包括在所述树脂的所述布置与所述树脂的一部分的所述去除之间固化所述树脂。

10.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，其中在所述树脂的所述布置中，所述树脂布置成覆盖所述衬底的所述一个表面的整个区域和所述凹槽。

11.根据权利要求10所述的制造预模制衬底的方法，其中所述树脂的一部分的所述去除包括首先从所述衬底的所述整个区域去除所述树脂，使得暴露所述衬底的所述一个表面，且其次在暴露所述衬底的所述一个表面之后去除覆盖所述凹槽的所述树脂。

12.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，其中在所述树脂的一部分的所述去除中，使用激光束或抛光刷去除所述树脂。

13.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，其中通过所述树脂的一部分的所述去除，所述衬底的所述一个表面的至少一部分突出高于所述树脂的表面的高度为0.01毫米到0.03毫米。

14.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，其中所述电路图案的所述形成包括在所述衬底的另一表面上布置光敏抗蚀剂、曝光和显影对应于面向所述衬底的所述另一表面的所述电路图案的图案掩模，以及通过将蚀刻剂施加到所述衬底的所述另一表面而去除所述衬底的所述另一表面的一部分。

15.根据权利要求14所述的制造预模制衬底的方法，其中所述电路图案的所述形成进一步包括在将所述蚀刻剂施加到所述衬底的所述另一表面之前形成覆盖所述衬底的所述一个表面的保护层，以及在将所述蚀刻剂施加到所述衬底的所述另一表面之后去除所述保护层。

16.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，进一步包括在所述衬底的所述一个表面和所述衬底的另一表面上的所述电路图案的一个表面中的至少一个表面上形成镀层。

17.根据权利要求3所述的制造预模制衬底的方法，其中所述电路图案包括：安装部分，半导体芯片可安装在所述安装部分上；以及焊盘，位于所述安装部分外部且通过导线电连接到所述半导体芯片。

技术总结
一种制造预模制衬底的方法包含：制备导电衬底；在衬底的一个表面上形成凹槽；布置树脂以覆盖衬底的一个表面和凹槽；去除树脂的一部分，使得衬底的一个表面的至少一部分突出高于覆盖凹槽的树脂的表面；以及在衬底的另一表面上形成电路图案。

技术研发人员：具钟会,裵仁燮,兪光在
受保护的技术使用者：海成帝爱斯株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14