技术特征：
1.压电复合基底，包括依次堆叠的绝缘基底、中间层和压电层，其中所述压电层在堆叠方向上的厚度为100nm至2,000nm，所述绝缘基底的直径为2英寸至12英寸并且厚度为100μm至2,000μm，所述绝缘基底的线性膨胀系数小于所述压电层的线性膨胀系数，它们之间的差为14
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/k至16
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/k，并且所述绝缘基底和所述中间层各自具有含si的无定形材料。2.根据权利要求1所述的压电复合基底，其中所述压电层包括钽酸锂或铌酸锂。3.根据权利要求1或2所述的压电复合基底，其中所述绝缘基底为石英基底。4.根据权利要求1至3中任一项所述的压电复合基底，其中所述中间层包括无定形硅或二氧化硅。5.压电复合基底的制造方法，所述压电复合基底具有依次堆叠的绝缘基底、中间层和压电层，所述方法包括以下步骤：制备压电单晶基底和绝缘基底，所述绝缘基底的线性膨胀系数小于所述压电单晶基底的线性膨胀系数，它们之间的差为14
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/k，并且所述绝缘基底具有含si的无定形材料；使待层压的所述压电单晶基底的表面经历离子注入处理，以在所述压电单晶基底中形成离子注入层；在所述绝缘基底和所述压电单晶基底的各自待层压的表面中的一个或两个上形成具有含si的无定形材料的中间层；将待层压的所述绝缘基底的表面与待层压的所述压电单晶基底的表面通过所述中间层进行层压，以获得粘合体；热处理所述粘合体；以及留下所述离子注入层作为压电层，并且将所述压电单晶基底的剩余部分从经所述热处理的所述粘合体剥离。6.根据权利要求5所述的压电复合基底的制造方法，其中在形成所述中间层的步骤中，所述含si的无定形材料包含无定形硅或二氧化硅，并且所述中间层通过cvd、溅射或旋涂形成。
技术总结
本申请提供了压电复合基底，其中即使在100℃或更低的温度下进行热处理，也可以通过离子注入过程来获得足以在具有显著小的线性膨胀系数的绝缘基底上形成压电层的粘合强度；以及所述压电复合基底的制造方法。通过将形成在中间层3的表面上的压电单晶基底1的离子注入层1a经由中间层3与绝缘基底2粘合来获得粘合体4，其中绝缘基底2的线性膨胀系数小于压电单晶基底的线性膨胀系数，它们之间的差为14
技术研发人员：永田和寿
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2021.04.28
技术公布日：2022/12/29