半导体元件分离设备和使用该设备制造发光装置的方法与流程

公开涉及一种用于分离半导体元件的设备和使用该设备的用于制造发光元件的方法。公开涉及一种用于使用超声波将形成在基底上的半导体元件与基底分离的设备和一种用于制造发光元件的方法。

背景技术：

1、随着多媒体技术的发展，显示装置正变得越来越重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(oled)显示装置、液晶显示(lcd)装置等的各种显示装置。

2、典型的显示装置包括诸如有机发光显示面板或液晶显示(lcd)面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(led)包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(oled)和使用无机材料作为荧光材料的无机led。

技术实现思路

1、技术问题

2、无机发光元件可以通过其中半导体晶体在晶圆基底上生长的外延生长来制造。举例来说，多个半导体层可以在晶圆基底上生长，然后将它们与晶圆基底分离，以产生无机发光元件。在这样做时，生长在基底上的无机发光元件可以在施加机械力时与基底分离。

3、不幸的是，这种使用机械力的工艺由操作者手动地执行，因此该工艺会花费很长时间。此外，根据操作者的技术水平，工艺时间和分离的无机发光元件的切割表面会不一致，并且会损坏无机发光元件。

4、公开的方面提供了一种通过使用超声波用于分离形成在基底上的半导体元件的设备。

5、公开的方面还提供了一种通过使用用于分离半导体元件的设备来制造发光元件的方法，所述方法展现出发光元件的优异质量并减少了工艺时间。

6、应当注意的是，本公开的方面不限于上述方面，并且本领域技术人员将从下面的描述清楚地理解本公开的其它未提及的方面。

7、技术方案

8、根据公开的实施例，一种用于将形成在基底上的半导体元件与基底分离的设备，所述设备包括：基体，包括容纳部，其上设置有半导体元件的基底在容纳部中；以及至少一个超声波发生器，对放置在基体中的基底产生超声波。

9、至少一个超声波发生器可以包括设置在基体的底部处的第一超声波发生器，并且第一超声波发生器在与基体的容纳部的下表面垂直的方向上产生超声波。

10、基体可以包括围绕容纳部的侧壁，至少一个超声波发生器还可以包括设置在基体的在平面图中在第一方向上的侧壁上的第二超声波发生器和设置在基体的在平面图中在第二方向上的侧壁上的第三超声波发生器，并且第二超声波发生器和第三超声波发生器在与基体的下表面水平的方向上产生超声波。

11、基体的底部可以包括其上设置有第一超声波发生器的部分以及将其上设置有第一超声波发生器的部分与侧壁连接的倾斜部分，并且至少一个超声波发生器还可以包括设置在基体的倾斜部分上的第四超声波发生器。

12、至少一个超声波发生器还可以包括设置在基体的容纳部中的第五超声波发生器。

13、至少一个超声波发生器可以是选择性地向基底的多个区域产生超声波的探针超声波发生器，探针超声波发生器与基体分离，并且探针超声波发生器可以在与基底的其上形成有半导体元件的表面垂直的方向上产生超声波。

14、探针超声波发生器可以在基体上在至少一个方向上移动。

15、所述设备还可以包括工作台(stage)和设置在工作台上方的台架单元(gantryunit)，在工作台上设置有基体，在台架单元上设置有探针超声波发生器，其中，在基体在工作台上移动的同时，探针超声波发生器可以向基底产生超声波。

16、所述设备还可以包括连接到基体的容纳部的一侧的第一入口管以及连接到基体的容纳部的另一侧的第二入口管，其中，第一入口管可以将溶剂引入基体的容纳部中，并且第二入口管可以排出溶剂和半导体元件。

17、所述设备还可以包括连接到第一入口管和第二入口管的过滤器部、设置在过滤器部与第一入口管之间的第一过滤器以及设置在过滤器部与第二入口管之间的第二过滤器，其中，第一过滤器可以过滤出比第二过滤器过滤出的颗粒尺寸小的颗粒。

18、所述设备还可以包括连接到过滤器部以将引入到过滤器部中的溶剂和半导体元件排出的阀。

19、所述设备还可以包括：测量单元，测量半导体元件已经与基底分离的基底的分离度。

20、根据公开的实施例，一种用于制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：准备至少一个基底，具有在一个方向上延伸的形状的发光元件形成在至少一个基底上；将至少一个基底板放置在包含溶剂的容纳部中；通过将超声波施加到至少一个基底将发光元件与至少一个基底分离；以及从容纳部去除至少一个基底并且将发光元件与溶剂分离。

21、至少一个基底可以包括放置在容纳部中的多个基底，并且在与至少一个基底的表面垂直或水平的方向上施加超声波。

22、多个基底可以布置为使得其上形成有发光元件的表面面对不同的方向。

23、多个基底可以放置在与容纳部的下表面垂直的方向上，并且将发光元件与至少一个基底的分离还可以包括相对于多个基底的中心轴旋转多个基底。

24、可以通过探针超声波发生器将超声波施加到多个基底中的至少一个基底上的多个区域，探针超声波发生器选择性地产生超声波，并且将发光元件与至少一个基底分离的步骤可以包括在探针超声波发生器在多个基底中的至少一个基底上方移动时施加超声波。

25、将发光元件与至少一个基底分离的步骤可以包括在多个基底中的至少一个基底在一个方向上移动的同时施加超声波。

26、区别于发光元件的缺陷元件可以进一步形成在多个基底中的至少一个基底上，并且在选择性地分离缺陷元件之后，执行发光元件与至少一个基底分离的步骤。

27、发光元件可以包括第一半导体层、第二半导体层和设置在第一半导体层与第二半导体层之间的发射层，并且第一半导体层、发射层和第二半导体层可以沿着一个方向布置。

28、其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。

29、有益效果

30、根据实施例，可以通过使用超声波来分离形成在基底上的半导体元件，使得与使用机械力的分离表面相比，分离的半导体元件的分离表面可以是均匀的。因此，可以减小半导体元件的长度偏差。

31、此外，通过使用用于分离半导体元件的设备，可以制造均匀质量的发光元件，并且可以改善包括该发光元件的装置的可靠性。

32、根据实施例的效果不受上面例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。

技术特征：

1.一种用于将形成在基底上的半导体元件与所述基底分离的设备，所述设备包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中，

3.根据权利要求2所述的设备，其中，

4.根据权利要求3所述的设备，其中，

5.根据权利要求2所述的设备，其中，所述至少一个超声波发生器还包括设置在所述基体的所述容纳部中的第五超声波发生器。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，

7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述探针超声波发生器在所述基体上在至少一个方向上移动。

8.根据权利要求6所述的设备，所述设备还包括：

9.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：

10.根据权利要求9所述的设备，所述设备还包括：

11.根据权利要求10所述的设备，所述设备还包括：

12.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：

13.一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

15.根据权利要求14所述的方法，其中，布置所述多个基底，使得其上形成有所述发光元件的表面面对不同的方向。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，

17.根据权利要求13所述的方法，其中，

18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述发光元件与所述至少一个基底分离的步骤包括：在所述多个基底中的所述至少一个基底在一个方向上移动的同时施加所述超声波。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，

20.根据权利要求13所述的方法，其中，

技术总结
提供了一种半导体元件分离设备和使用该半导体元件分离设备制造发光装置的方法。一种用于将多个半导体元件与其上形成有半导体元件的基底分离的半导体元件分离设备包括：基体单元，包括容纳部，基底布置在容纳部中；以及至少一个超声波产生单元，用于将在一个方向上移动的超声波施加到布置在基体单元中的基底。

技术研发人员：金仁赫,金东均,郑载勳,郭珍午,柳熙娟,赵诚赞,崔贞仁,洪惠贞,姜锺赫,李东彦,赵显敏
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12