半导体装置以及半导体模块的制作方法

本公开涉及半导体装置以及具备半导体装置的半导体模块。

背景技术：

1、例如，专利文献1公开了一种集成电路，具备：电源；恒流源，其由电源供电，且具有与感温二极管的阳极连接的输出端子；pwm比较器，其具有非反转输入端子以及反转输入端子，在非反转输入端子施加有感温二极管的阳极的电压，在反转输入端子施加有载波生成电路的输出的载波信号(三角波信号)；以及作为绝缘机构的光耦合器，其与pwm比较器的输出端子连接，用于使高电压系统与低电压系统绝缘并且使信号从其一方向另一方传递。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2011－7580号公报

技术实现思路

1、用于解决课题的方案

2、本公开的一个实施方式的半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成在上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的俯视时的第一方向上，形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求5～7任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求5～9任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求5～10任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1～11任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1～11任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

16.一种半导体模块，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的半导体模块，其特征在于，

18.根据权利要求17所述的半导体模块，其特征在于，

技术总结
半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成在上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的俯视时的第一方向上形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。

技术研发人员：田中文悟
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12