用于激光室的密封机构的电磁屏蔽件的制作方法

本公开涉及一种用于激光室的密封机构的电磁屏蔽件。激光室可以是准分子激光器(例如，在深紫外(duv)光学系统中使用的准分子激光器)的一部分。

背景技术：

1、光刻是在诸如硅晶片之类的衬底上图案化半导体电路系统的过程。光刻光源(或光源)提供被用来对晶片上的光刻胶进行曝光的深紫外(duv)光。在光刻中使用的一种类型的气体放电光源被称为准分子光源或激光器。准分子光源通常使用一种或多种稀有气体(诸如氩气、氪气或氙气)和反应性物质(诸如氟气或氯气)的组合。准分子光源得名于这样一个事实：在电刺激(供应的能量)和(气体混合物的)高压的适当条件下产生一种被称为准分子的伪分子，该准分子仅在激励状态下存在并且产生在紫外线范围内的经放大的光。准分子光源产生波长在深紫外(duv)范围内的光束，并且该光束被用来在光刻装置中对半导体衬底(或晶片)进行图案化。可以使用单个气体放电室或使用多个气体放电室来构建准分子光源。

技术实现思路

1、一方面，一种用于光源的装置，包括：限定通道的电绝缘体；围绕电绝缘体的至少一部分的衬垫；以及在通道和衬垫之间的屏蔽件。通道被配置为接纳电导体。衬垫包括非金属材料。

2、实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

3、屏蔽件可以被配置为减少由电导体中的电流所产生的磁场。屏蔽件可以被配置为阻挡磁场，使得在衬垫附近基本上不存在电场。

4、屏蔽件可以包括磁性金属。

5、屏蔽件可以包括μ金属。

6、衬垫可以包括弹性体材料。

7、电绝缘体可以包括基部和从基部延伸的杆部，并且通道可以穿过杆部和基部。屏蔽件可以围绕杆部的外侧的一部分。杆部可以是圆柱体，通道可以穿过圆柱体，并且基部可以从杆部正交地延伸。通道可以与圆柱体同心，并且基部可以与圆柱体同心。

8、电绝缘体可以是大致圆柱形主体，并且屏蔽件可以围绕圆柱形主体的外侧的一部分。

9、屏蔽件可以包括铁氧体或铁合金。

10、另一方面，放电室包括：外壳；在外壳中的电极；穿过外壳并电连接到电极的电导体；围绕电导体的一部分的电绝缘体；围绕电绝缘体的衬垫；和在电绝缘体周围的屏蔽件。屏蔽件被配置为阻挡或衰减磁场。

11、实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

12、屏蔽件可以被布置在电绝缘体和衬垫之间。

13、衬垫可以包括电绝缘材料。电绝缘材料可以包括弹性体。衬垫可以包括o形环。

14、外壳可以包括内壁，并且内壁可以包括导电材料。

15、放电室还可以包括在外壳中的第二电极。外壳可以被配置为包含气态增益介质。气态增益介质可以包括氟。衬垫可以包括氟化材料。

16、屏蔽件可以被配置为阻挡或衰减由在电导体中流动的时变电流所产生的瞬态磁场。

17、放电室可以包括：n个电绝缘体；n个衬垫；以及n个电导体，其中n是大于一的整数。n个电绝缘体中的每一个电绝缘体可以围绕电导体中的一个电导体，n个衬垫中的每一个衬垫可以围绕n个电绝缘体中的一个电绝缘体，并且n个衬垫中的至少一个衬垫可以完全是金属的。

18、放电室可以被配置用于在深紫外(duv)光源中使用。

19、在一些实现方式中，衬垫在凹槽中，并且屏蔽件在电绝缘体和凹槽之间。

20、在另一方面，深紫外(duv)光源包括被配置为产生第一脉冲duv光束的第一室。第一室包括：第一外壳；在第一外壳中的第一电极组件；第一绝缘体，其包括被配置为接收第一电导体的第一通道；围绕第一绝缘体的一部分的第一衬垫；以及围绕第一通道的一部分的第一屏蔽件。第一电导体被配置为电连接到第一电极组件。第一屏蔽件被配置为阻挡或衰减磁场。

21、实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

22、duv光源还可以包括被配置为产生第二脉冲duv光束的第二室。第二室可以包括：第二外壳；在第二外壳中的第二电极组件；第二绝缘体，其包括被配置为接纳第二电导体的第二通道；围绕第二绝缘体的一部分的第二衬垫；以及围绕第二通道的一部分的第二屏蔽件。第二电导体可以被配置为电连接到第二电极组件。第一屏蔽件可以被配置为阻挡或衰减磁场。第一屏蔽件可以与第一衬垫同心，并且第二屏蔽件可以与第二衬垫同心。第一脉冲光束可以包括种子光束，第二室可以被定位成接收种子光束，并且第二脉冲光束可以基于种子光束。第一脉冲光束和第二脉冲光束可以朝向公共射束组合器发射。第一衬垫和第二衬垫可以包括弹性体材料。第一电极组件可以包括第一阳极和第一阴极，并且第一电导体可以被配置为电连接到第一阴极。第二电极组件可以包括第二阳极和第二阴极，并且第二电导体可以被配置为电连接到第二阴极。

23、duv光源还可以包括在第一外壳外部的电源。电源可以被配置为电连接到电导体，并且在操作使用中，电源可以向电导体提供高压激励脉冲。

24、在一些实现方式中，第一屏蔽件被同心地布置在第一衬垫和第一绝缘体之间，并且第二屏蔽件被同心地布置在第二衬垫和第一绝缘体之间。

25、另一方面，一种操作激光器的方法，包括：在绝缘体和组件之间提供屏蔽件，绝缘体穿过激光器的放电室的壁并且限定通道；在通道中放置电导体；并且在电导体中传导时变电流以对激光器的放电室中的电极充电。屏蔽件阻挡在电导体周围形成的磁场，使得在组件附近基本上不存在电场。

26、实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

27、组件可以包括弹性衬垫。

28、该方法还可以包括向放电室提供气态增益介质。组件可以是衬垫，该衬垫被配置为对室进行密封并防止气态增益介质从室中逸出。屏蔽件可以阻挡在电导体周围形成的磁场，使得在组件附近基本上不存在电场并且在组件处基本上不形成气态增益介质的等离子体。

29、另一方面，一种光源，包括：放电室；在放电室中的电极；电绝缘结构，其包括：在放电室中的基部，基部在电极和放电室的外壁之间延伸；以及从基部延伸并穿过放电室的外壁的多个杆部；多个衬垫，每个衬垫围绕杆部之一，并且衬垫中的至少一个衬垫包括围绕杆部中的相应一个杆部的非金属材料；以及屏蔽件，其被布置在至少一个非金属衬垫中的每一个非金属衬垫与杆部中的相应一个杆部之间。每个杆部包括穿过杆部和基部的通道，并且每个通道被配置为接纳电连接到电极的电导体。

30、实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

31、多个衬垫可以包括至少一个金属衬垫，并且至少一个金属衬垫中的每一个金属衬垫可以围绕杆部中的相应一个杆部，而在金属衬垫和杆部中的相应一个杆部之间没有屏蔽件。

32、上述任何技术的实现方式可以包括系统、方法、过程、设备或装置。在附图和下面的描述中阐述了一种或多种实现方式的细节。其他特征将从描述和附图以及权利要求中显而易见。

1.一种用于光源的装置，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述屏蔽件被配置为减少由所述电导体中的电流所产生的磁场。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述屏蔽件被配置为阻挡所述磁场，使得在所述衬垫附近基本上不存在电场。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述屏蔽件包括磁性金属。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述屏蔽件包括μ金属。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述衬垫包括弹性体材料。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述电绝缘体包括基部和从所述基部延伸的杆部，并且所述通道穿过所述杆部和所述基部。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述屏蔽件围绕所述杆部的外侧的一部分。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述杆部是圆柱体，所述通道穿过所述圆柱体，并且所述基部从所述杆部正交地延伸。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述通道与所述圆柱体同心，并且所述基部与所述圆柱体同心。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述电绝缘体是大致圆柱形主体，并且所述屏蔽件围绕所述圆柱形主体的外侧的一部分。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述屏蔽件包括铁氧体或铁合金。

13.一种放电室，包括：

14.根据权利要求13所述的放电室，其中所述屏蔽件被布置在所述电绝缘体和所述衬垫之间。

15.根据权利要求13所述的放电室，其中所述衬垫包括电绝缘材料。

16.根据权利要求15所述的放电室，其中所述电绝缘材料包括弹性体。

17.根据权利要求15所述的放电室，其中所述衬垫包括o形环。

18.根据权利要求13所述的放电室，其中所述外壳包括内壁，并且所述内壁包括导电材料。

19.根据权利要求13所述的放电室，还包括在所述外壳中的第二电极。

20.根据权利要求19所述的放电室，其中所述外壳包含气态增益介质。

21.根据权利要求20所述的放电室，其中所述气态增益介质包括氟。

22.根据权利要求21所述的放电室，其中所述衬垫包括氟化材料。

23.根据权利要求13所述的放电室，其中所述屏蔽件被配置为阻挡或衰减由在所述电导体中流动的时变电流所产生的瞬态磁场。

24.根据权利要求13所述的放电室，其中所述室包括：

25.根据权利要求13所述的放电室，其中所述放电室被配置用于在深紫外(duv)光源中使用。

26.根据权利要求13所述的放电室，其中所述衬垫位于凹槽中，并且所述屏蔽件在所述电绝缘体和所述凹槽之间。

27.一种深紫外(duv)光源，包括：

28.根据权利要求27所述的duv光源，还包括被配置为产生第二脉冲duv光束的第二室，所述第二室包括：

29.根据权利要求28所述的duv光源，其中所述第一屏蔽件与所述第一衬垫同心，并且所述第二屏蔽件与所述第二衬垫同心。

30.根据权利要求28所述的duv光源，其中所述第一脉冲光束包括种子光束，所述第二室被定位成接收所述种子光束，并且所述第二脉冲光束基于所述种子光束。

31.根据权利要求28所述的duv光源，其中所述第一脉冲光束和所述第二脉冲光束朝向公共射束组合器发射。

32.根据权利要求30所述的duv光源，其中所述第一衬垫和所述第二衬垫包括弹性体材料。

33.根据权利要求28所述的duv光源，其中所述第一电极组件包括第一阳极和第一阴极，并且所述第一电导体被配置为电连接到所述第一阴极。

34.根据权利要求30所述的duv光源，其中

35.根据权利要求27所述的duv光源，还包括在所述第一外壳外部的电源，其中所述电源被配置为电连接到所述电导体，并且在操作使用中，所述电源向所述电导体提供高压激励脉冲。

36.根据权利要求28所述的duv光源，其中所述第一屏蔽件被同心地布置在所述第一衬垫和所述第一绝缘体之间，并且所述第二屏蔽件被同心地布置在所述第二衬垫和所述第一绝缘体之间。

37.一种操作激光器的方法，所述方法包括：

38.根据权利要求37所述的方法，其中所述组件包括弹性衬垫。

39.根据权利要求37所述的方法，还包括：

40.一种光源，包括：

41.根据权利要求40所述的光源，其中所述多个衬垫包括至少一个金属衬垫，并且所述至少一个金属衬垫中的每一个金属衬垫围绕所述杆部中的相应一个杆部，而在所述金属衬垫和所述杆部中的所述相应一个干部之间没有屏蔽件。