用于半导体处理室的气箱的制作方法

本技术涉及用于半导体制造的部件和设备。更具体地，本技术涉及处理室分配部件和其他半导体处理装备。

背景技术：

1、通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的处理，集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成和去除材料的受控方法。腔室部件通常将处理气体输送到基板用于沉积膜或去除材料。为了促进对称性和均匀性，许多腔室部件可以包括规则的特征图案(诸如孔)用于以可以增加均匀性的方式提供材料。然而，这可能会限制调谐用于晶片上调整的配方的能力。

2、因此，需要可用于产生高质量器件和结构的改进系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。

技术实现思路

1、示例性半导体处理室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱的第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。

2、在一些实施例中，第一板进一步在第一板的第一表面内界定凹陷通道。凹陷通道可以围绕中心孔延伸。凹陷通道可以从第一位置延伸到多个第二位置，以流体地接入从第一板的第一表面延伸的多个孔。气箱可以包括盖板，该盖板覆盖凹陷通道并且在第一板内形成第二气室。在第二表面中界定的环形凹槽可以包括阶梯状凹槽。第二板可以与环形凹槽的阶梯特征耦接。第二板可以界定多个出口孔，该多个出口孔提供来自第一气室的流体通路。第一板可以界定环形通道，该环形通道围绕中心孔延伸穿过第一板。第一板可以界定多个横向通道，该多个横向通道从环形通道延伸到半导体处理室气箱的外边缘。横向通道可以不与延伸穿过第一板的多个孔中的任何孔相交。第一板可以界定多个旁路孔，该多个旁路孔从横向通道延伸穿过半导体处理室气箱的第二表面。

3、本技术的一些实施例可以包含半导体处理室，该半导体处理室包括歧管，该歧管为多个流体提供至腔室的流体通路。腔室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。

4、在一些实施例中，歧管可以包括内部区域，该内部区域与第一流体输送通道耦接。歧管可以包括外部区域，该外部区域围绕内部区域延伸，并且该外部区域与内部区域流体隔离。外部区域可以与第二流体输送通道耦接。第一板可以界定环形通道，该环形通道围绕中心孔延伸穿过第一板。环形通道可以与歧管的外部区域流体耦接。第一板可以在第一板的第一表面内界定凹陷通道。凹陷通道可以围绕中心孔延伸。凹陷通道可以从第一位置延伸到多个第二位置，以流体地接入从第一板的第一表面延伸的多个孔。腔室可以包括盖板，该盖板覆盖凹陷通道并且在第一板内形成第二气室。系统可以包括基板支撑件。系统可以包括阻挡板，该阻挡板位于气箱与基板支撑件之间。可以在气箱与阻挡板之间界定第一容积。第一容积可以从中心孔和从多个外围孔流体地接入。腔室可以包括面板，并且面板可以位于阻挡板与基板支撑件之间。可以在阻挡板与面板之间界定第二容积。第二容积可以从延伸穿过气箱的横向通道流体地接入。

5、这样的技术可以提供优于传统系统和技术的许多好处。例如，本技术的实施例可以允许前驱物在基板的内部和外部区域上方的受控稀释和分配。此外，腔室和部件可以允许将不同比例的前驱物和惰性气体提供给基板的内部和外部区域。结合以下描述和附图来更详细地描述这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。

技术特征：

1.一种半导体处理室气箱，包括：

2.如权利要求1所述的半导体处理室气箱，其中所述第一板进一步在所述第一板的所述第一表面内界定凹陷通道，所述凹陷通道围绕所述中心孔延伸。

3.如权利要求2所述的半导体处理室气箱，其中所述凹陷通道从第一位置延伸到多个第二位置，以流体地接入从所述第一板的所述第一表面延伸的所述多个孔。

4.如权利要求3所述的半导体处理室气箱，进一步包括：

5.如权利要求1所述的半导体处理室气箱，其中在所述第二表面中界定的所述环形凹槽包括阶梯状凹槽，其中所述第二板与所述环形凹槽的阶梯特征耦接。

6.如权利要求1所述的半导体处理室气箱，其中所述第二板界定多个出口孔，所述多个出口孔提供来自所述第一气室的流体通路。

7.如权利要求1所述的半导体处理室气箱，其中所述第一板进一步界定环形通道，所述环形通道围绕所述中心孔延伸穿过所述第一板。

8.如权利要求7所述的半导体处理室气箱，其中所述第一板进一步界定多个横向通道，所述多个横向通道从所述环形通道延伸到所述半导体处理室气箱的外边缘。

9.如权利要求7所述的半导体处理室气箱，其中所述横向通道不与延伸穿过所述第一板的所述多个孔中的任何孔相交。

10.如权利要求7所述的半导体处理室气箱，其中所述第一板进一步界定多个旁路孔，所述多个旁路孔从所述横向通道延伸穿过所述半导体处理室气箱的所述第二表面。

11.一种半导体处理室，包括：

12.如权利要求11所述的半导体处理室，其中所述歧管包括内部区域，所述内部区域与第一流体输送通道耦接。

13.如权利要求12所述的半导体处理室，其中所述歧管包括外部区域，所述外部区域围绕所述内部区域延伸，并且所述外部区域与所述内部区域流体隔离，其中所述外部区域与第二流体输送通道耦接。

14.如权利要求13所述的半导体处理室，其中所述第一板进一步界定环形通道，所述环形通道围绕所述中心孔延伸穿过所述第一板，并且其中所述环形通道与所述歧管的所述外部区域流体耦接。

15.如权利要求11所述的半导体处理室，其中所述第一板进一步在所述第一板的所述第一表面内界定凹陷通道，所述凹陷通道围绕所述中心孔延伸。

16.如权利要求15所述的半导体处理室，其中所述凹陷通道从第一位置延伸到多个第二位置，以流体地接入从所述第一板的所述第一表面延伸的所述多个孔。

17.如权利要求16所述的半导体处理室，进一步包括：

18.如权利要求11所述的半导体处理室，进一步包括：

19.如权利要求18所述的半导体处理室，其中在所述气箱与所述阻挡板之间界定第一容积，并且所述第一容积可从所述中心孔和从所述多个外围孔流体地接入。

20.如权利要求19所述的半导体处理室，进一步包括面板，其中：

技术总结
示例性半导体处理室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱的第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。

技术研发人员：R·拉杰夫,Y·杨,A·A·坎古德,K·乔希
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13