半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、在专利文献1中记载了igbt单元的至少一部分包含第二导电型的电浮置的阻挡区。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019-91892号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、如果这样的阻挡区与设置在半导体基板的阱区相接，则导通特性降低。

3、技术方案

4、在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置具备：有源部，其具有晶体管部和二极管部；以及耐压结构部，其设置在有源部的外周，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；以及第二导电型的沟槽底部，其设置在沟槽部的下端，在俯视时，二极管部设置在靠近耐压结构部的晶体管部与耐压结构部之间。

5、沟槽底部可以电浮置。

6、沟槽底部的掺杂浓度可以大于漂移区的掺杂浓度且小于基区的掺杂浓度。

7、沟槽底部的掺杂浓度可以是1e12cm-3以上且1e13cm-3以下。

8、沟槽底部可以不设置在二极管部。

9、半导体装置在耐压结构部中，在半导体基板的背面侧还可以具备第一导电型的阴极区。

10、半导体装置在有源部还可以具备：发射电极，其设置在半导体基板的上方；以及第二导电型的阱区，其从二极管部的至少一部分遍及耐压结构部而设置在半导体基板，在二极管部中，阱区可以与发射电极分离。

11、半导体装置在半导体基板的正面还可以具备覆盖阱区的层间绝缘膜，在二极管部，层间绝缘膜在俯视时可以从阱区向半导体基板的内侧延伸10μm以上且30μm以下。

12、晶体管部还可以具有设置在沟槽底部的上方的第一导电型的蓄积区，蓄积区可以不设置在二极管部。

13、晶体管部和二极管部还可以具有设置在漂移区的上方的第一导电型的蓄积区。

14、半导体装置可以在蓄积区与沟槽底部之间还具备漂移区。

15、应予说明，上述
技术实现要素：
并未列举本发明的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够另外成为发明。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：有源部，其具有晶体管部和二极管部；以及耐压结构部，其设置在有源部的外周，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；以及第二导电型的沟槽底部，其设置在沟槽部的下端，在俯视时，二极管部设置在靠近耐压结构部的晶体管部与耐压结构部之间。

技术研发人员：伊仓巧裕,野口晴司,樱井洋辅,浜崎竜太郎
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13