用于等离子体处理装置的静电卡盘组件的制作方法

本公开总体涉及用于工件等离子体处理的等离子体处理装置。更具体地，本公开涉及用于等离子体处理装置的静电卡盘组件。

背景技术：

1、各种类型的处理腔可用于处理不同类型的工件。该工件可包括例如玻璃板、薄膜、带状物、太阳能电池板、镜面、液晶显示器、半导体晶圆和类似的。许多不同类型的处理腔例如可用于在集成电路芯片制造过程中处理半导体晶圆。用该处理腔退火晶圆、进行化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体和化学蚀刻处理、热处理、表面工程和其他工艺。这些类型的处理腔通常包含用于将工件保持在腔内的工件支撑件。

2、在许多工艺中，需要控制处理过程中工件的一些参数以控制处理过程的均匀性。尽管已经做出了各种尝试来设计可以控制温度不均匀性的工件支撑件，仍然存在各种不足和缺陷。因此，需要改善的工件支撑件和等离子体处理装置和系统。

技术实现思路

技术特征：

1.一种静电卡盘，包括：

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述夹持电极与dc电源、ac电源或rf电源中的一个或多个连接。

3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述一个或多个夹持电极包括第一夹持电极和第二夹持电极。

4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中，所述第一夹持电极与负dc电压耦连，且所述第二夹持电极与正dc电压耦连。

5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述热控制系统包括用于循环热交换液体或热交换气体的一个或多个流体通道。

6.根据权利要求5所述的静电卡盘，其中，所述热交换气体包括氦气。

7.根据权利要求5所述的静电卡盘，其中，所述流体通道与释放孔的第一区域、释放孔的第二区域、释放孔的第三区域和释放孔的第四区域互相连接。

8.根据权利要求7所述的静电卡盘，其中，所述释放孔的第一区域沿径向最内侧定位，其中所述释放孔的第二区域沿径向从所述释放孔的第一区域向外定位，其中所述释放孔的第三区域沿径向从所述释放孔的第二区域向外定位，且沿径向从所述释放孔的第四区域向内定位。

9.根据权利要求7所述的静电卡盘，其中，所述释放孔的第二区域包括比所述释放孔的第一区域更多的孔，其中所述释放孔的第三区域包括比所述释放孔的第二区域更多的孔，其中所述释放孔的第四区域包括比所述释放孔的第三区域更多的孔。

10.根据权利要求5所述的静电卡盘，其中，所述密封带配置为密封所述工件支撑表面，使得所述热交换气体不能围绕工件边缘泄漏。

11.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述静电卡盘界定第一外边界且所述夹持层界定第二外边界，其中所述第一外边界和所述第二外边界之间的第一距离d1大于所述夹持层中的第一电极或第二电极的一匝或多匝之间界定的第二距离d2，其中d1大于约2毫米(mm)。

12.一种静电卡盘，包括：

13.根据权利要求12所述的静电卡盘，其中，所述rf偏压源包含多个rf偏压源，所述多个rf偏压源中的每个个rf偏压源与所述多个微电极中的至少一个微电极耦连。

14.根据权利要求12所述的静电卡盘，其中，所述一个或多个rf参数包含一个或多个rf功率、rf频率、rf相位。

15.根据权利要求12所述的静电卡盘，还包含设置在所述静电卡盘中的多个微电极下方的底板。

16.根据权利要求15所述的静电卡盘，其中，所述rf偏压源配置为向所述底板提供rf偏压功率。

17.根据权利要求12所述的静电卡盘，其中，所述夹持电源配置为向多个微电极中的每个微电极提供多个不同的dc电压。

18.根据权利要求12所述的静电卡盘，其中，所述夹持电源包括dc电源，所述dc电源通过转换元件与微电极的至少一个耦连。

19.根据权利要求18所述的静电卡盘，其中，所述控制器配置为使用脉冲宽度调制控制转换元件，以调节施加在与所述转换元件耦连的至少一个微电极上的电压。

20.根据权利要求12所述的静电卡盘，其中，所述rf偏压源包含夹持电源，所述夹持电源包括通过转换元件与至少一个所述微电极耦连的dc电源，所述控制器配置为通过使用脉冲宽度调制控制所述转换元件向至少一个所述微电极施加rf偏压。

技术总结
本发明公开了一种静电卡盘，包括工件支撑表面、夹持层、加热层、热控制系统和密封带。该密封带围绕静电卡盘的外周边，该外周边包括至少一部分的工件表面。该密封带具有大于约3毫米(mm)至约10mm的宽度。本发明还提供了包含上述静电卡盘的等离子处理装置和系统。

技术研发人员：龙茂林
受保护的技术使用者：玛特森技术公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15