半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了如下半导体装置，该半导体装置具有：半导体芯片；绝缘基板，其在主面接合有半导体芯片；以及基座，其在主面接合有绝缘基板的另一主面。在基座的另一主面设置凸部，在凸部的外周设置环状的槽。环状的由弹性体构成的密封材料沿槽插入。具有开口部的壳体以开口部的外缘与密封材料接触的方式配置。

2、专利文献1：日本特开2015-73012号公报

技术实现思路

1、就专利文献1那样的半导体装置而言，将密封材料夹入至基座板和冷却器之间，通过确保充分的挤压变形量而防止冷却水的泄露。在将基座板固定于冷却器时，通过对密封材料施加荷重而得到密封材料的挤压变形量。此时，如果未遍及密封材料整周均匀地施加荷重，则挤压变形量产生波动，存在冷却水泄露的风险。另外，存在部件由于压缩而破裂的风险。特别地，根据基座板或冷却器的与密封材料的接触面的翘曲形状，基座板和冷却器之间的间隙变得不均匀，存在密封材料的挤压变形量产生波动的风险。

2、本发明的目的在于得到能够对密封材料的挤压变形量的波动进行抑制的半导体装置及半导体装置的制造方法。

3、第1公开所涉及的半导体装置具有：基座板，其具有上表面和与该上表面相反侧的背面，在该背面形成有环状的槽；基板，其设置于该基座板的该上表面；以及半导体芯片，其设置于该基板的上表面，该基座板具有以向该上表面侧凸出的方式翘曲的凸翘曲部，就该槽中的形成于该凸翘曲部的部分而言，越远离该凸翘曲部中的翘曲最大的最大翘曲部则越深。

4、第2公开所涉及的半导体装置具有：基座板，其具有上表面和与该上表面相反侧的背面，在该背面形成有环状的槽；基板，其设置于该基座板的该上表面；以及半导体芯片，其设置于该基板的上表面，该基座板具有以向该背面侧凸出的方式翘曲的凹翘曲部，该槽中的形成于该凹翘曲部的部分的深度是固定的。

5、第3公开所涉及的半导体装置具有：基座板，其具有上表面和与该上表面相反侧的背面，在该背面形成有环状的槽；基板，其设置于该基座板的该上表面；半导体芯片，其设置于该基板的上表面；密封材料，其被容纳于该槽；以及冷却器，其以将该槽覆盖的方式固定于该基座板的该背面，该基座板具有应力产生部，该应力产生部在使该基座板以向该背面侧凸出的方式翘曲的方向上产生了应力，该槽中的形成于该应力产生部的部分的深度是固定的。

6、在第4公开所涉及的半导体装置的制造方法中，在基座板的上表面搭载基板，该基座板具有该上表面和与该上表面相反侧的背面，在该背面形成有环状的槽，在该基板的上表面搭载半导体芯片，该基座板具有以向该背面侧凸出的方式翘曲的凹翘曲部，在密封材料被容纳于该槽的状态下，以将该槽覆盖的方式将冷却器固定于该基座板的该背面，由此使该凹翘曲部的翘曲降低，该槽中的形成于该凹翘曲部的部分的深度是固定的。

7、发明的效果

8、在本发明涉及的半导体装置及半导体装置的制造方法中，与基座板的翘曲的方向对应地对槽的深度进行设定。因此，能够对密封材料的挤压变形量的波动进行抑制。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，具有：

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

13.一种半导体装置，其特征在于，具有：

14.一种半导体装置，其特征在于，具有：

15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

技术总结
本发明涉及的半导体装置具有：基座板，其具有上表面和与上表面相反侧的背面，在背面形成有环状的槽；基板，其设置于基座板的上表面；以及半导体芯片，其设置于基板的上表面，基座板具有以向上表面侧凸出的方式翘曲的凸翘曲部，就槽中的形成于凸翘曲部的部分而言，越远离凸翘曲部中的翘曲最大的最大翘曲部则越深。

技术研发人员：近藤胜彦,佐佐木太志
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15