半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及程序与流程

本公开文本涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及程序。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在形成于衬底上的凹状结构的内表面形成氧化层的处理(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开2016/125606号

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本公开文本的目的在于提供能够使在形成于衬底上的凹状结构的内表面形成的氧化层的厚度成为所期望的厚度的分布的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本公开文本的一方式，提供下述技术，其具有：

5、(a)对形成于衬底上的凹状结构的内表面进行氮化，将前述内表面的至少一部分改性为氮化层的工序；和

6、(b)对包含前述氮化层的前述内表面进行氧化，将前述内表面改性为氧化层的工序，

7、在(a)中，将前述内表面的前述氮化层的厚度的分布设为：使得前述内表面的前述氧化层的厚度的分布成为所期望的分布。

8、发明的效果

9、根据本公开文本，可提供能够使在形成于衬底上的凹状结构的内表面形成的氧化层的厚度为所期望的厚度的分布的技术。

技术特征：

1.半导体器件的制造方法，其具有：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，将含氮气体激发而生成氮化种，将所述氮化种供给至所述衬底。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，利用等离子体或热将所述含氮气体激发。

4.如权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含氮气体为不含氢的气体。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，使所述氮化层的厚度的分布成为随着从所述凹状结构的开口部朝向底部而逐渐变薄的分布。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，将所述内表面的整面改性为所述氮化层。

7.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，将所述凹状结构的开口部附近的所述内表面改性为所述氮化层，不将所述凹状结构的底部附近的所述内表面改性为所述氮化层。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中被氮化的所述内表面含有硅。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，将含氧气体激发而生成氧化种，将所述氧化种供给至所述衬底。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，利用等离子体或热将所述含氧气体激发。

11.如权利要求9或10所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含氧气体为含有氢的气体。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，通过调整所述含氧气体中包含的氢相对氧的比率，从而控制所述氧化层的厚度的分布。

13.如权利要求1～12中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，遍及所述氮化层的厚度方向的整体将所述氮化层改性为所述氧化层。

14.如权利要求1～13中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，使所述氧化层的厚度的分布成为随着从所述凹状结构的开口部朝向底部而逐渐变厚、在所述底部处变得最厚的分布。

15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，将所述氮化层的厚度的分布设为：使得所述氧化层的厚度的分布成为随着从所述凹状结构的开口部朝向底部而逐渐变厚、在所述底部处变得最厚的分布。

16.如权利要求1～13中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，使所述氧化层的厚度的分布成为在所述内表面的整面变得均匀的分布。

17.如权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，将所述氮化层的厚度的分布设为：使得所述氧化层的厚度的分布成为在所述内表面的整面变得均匀的分布。

18.衬底处理方法，其具有：

19.衬底处理装置，其具有：

20.程序，其通过计算机使衬底处理装置在所述衬底处理装置的处理室内执行：

技术总结
本发明具有：(a)对形成于衬底上的凹状结构的内表面进行氮化，将内表面的至少一部分改性为氮化层的工序；和(b)对包含氮化层的内表面进行氧化，将内表面改性为氧化层的工序，其中，在(a)中，将内表面的氮化层的厚度的分布设为：使得内表面的氧化层的厚度的分布成为所期望的分布。

技术研发人员：坪田康寿,舟木克典,上田立志,竹岛雄一郎,市村圭太,井川博登,山角宥贵,岸本宗树
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17