技术特征：
1.一种集成芯片，包括：一栅极电极，设置于一基底上方；一栅极介电层，设置于该栅极电极上方，该栅极介电层包括一铁电材料；一主动结构，设置于该栅极介电层上方，且该主动结构包括一半导体材料；一源极接点和一漏极接点，设置于该主动结构上方；以及一覆盖结构，设置于该主动结构上方及该源极接点与该漏极接点之间，其中该覆盖结构包括一第一金属材料。2.如权利要求1所述的集成芯片，其中该主动结构包括交替堆叠的多个混合层和多个第一主动层的一堆叠物，其中该多个混合层包括一第一材料和一第二材料的一混合物，其中该多个第一主动层包括不同于该第一材料和该第二材料的一第三材料，其中该主动结构的一最底层为该多个混合层的其中一层，且其中该主动结构的一最顶层设置于交替堆叠的该多个混合层和该多个第一主动层的该堆叠物上方，且该主动结构的该最顶层包括该第一材料。3.如权利要求1所述的集成芯片，其中该主动结构包括多个第一主动层、多个第二主动层和多个第三主动层的一堆叠物，该多个第一主动层包括一第一金属氧化物材料，该多个第二主动层包括一第二金属氧化物材料，且该多个第三主动层包括一第三金属氧化物材料。4.如权利要求1所述的集成芯片，其中该覆盖结构包括一第一层及设置于该第一层上方的一第二层，该第一层包括该第一金属材料，该第二层包括一第二金属材料。5.如权利要求1所述的集成芯片，其中该主动结构包括一下部，该下部包括一第一材料、一第二材料和一第三材料的一混合物，且其中该主动结构包括设置于该下部上方的一上部，该上部包括该第一材料。6.如权利要求5所述的集成芯片，其中该覆盖结构直接接触该主动结构的一扩散区，其中该扩散区包括该第一金属材料和该第一材料。7.一种集成芯片，包括：一栅极电极，设置于一基底上方；一栅极介电层，设置于该栅极电极上方，其中该栅极介电层包括一铁电材料；一主动结构，设置于该栅极介电层上方；一源极接点和一漏极接点，设置于该主动结构上方；以及一覆盖结构，设置于该主动结构上方及该源极接点与该漏极接点之间，其中该覆盖结构包括一第一金属材料，该第一金属材料比该主动结构中的金属具有对氧的更高亲和力。8.如权利要求7所述的集成芯片，其中该主动结构包括一第一材料、不同于该第一材料的一第二材料及不同于该第一材料和该第二材料的一第三材料，其中该第一材料和该第二材料直接接触该栅极介电层，其中该第三材料通过该第一材料和该第二材料与该栅极介电层间隔开，且其中该覆盖结构直接接触该第一材料，但是不接触该第二材料或该第三材料。9.一种集成芯片的形成方法，包括：在一基底上方形成一栅极电极；在该栅极电极上方形成一栅极介电层，该栅极介电层包括一铁电材料；在该栅极介电层上方形成一主动结构；
在该主动结构上方形成一第一金属层；移除该第一金属层的一周边部分，以在该主动结构上方形成一覆盖结构；以及在该主动结构上方形成一源极接点和一漏极接点，其中该覆盖结构横向设置于该源极接点与该漏极接点之间。10.如权利要求9所述的集成芯片的形成方法，其中形成该主动结构的步骤包括：通过同时活化两前驱物，以在该栅极介电层上方形成一混合层，使得该混合层包括一第一材料和一第二材料的一混合物；在该混合层上方形成一第一主动层，该第一主动层包括不同于该第一材料和该第二材料的一第三材料；以及重复形成该混合层和该第一主动层的步骤，以在该栅极介电层上方形成彼此交替堆叠的多个混合层和多个第一主动层的一堆叠物；以及在该多个混合层和该多个第一主动层的该堆叠物上方形成一最顶部主动层，该最顶部主动层包括该第一材料。
技术总结
在一些实施例中，本发明实施例有关于集成芯片，集成芯片包含设置于基底上方的栅极电极以及设置于栅极电极上方的栅极介电层。栅极介电层包含铁电材料。主动结构设置于栅极介电层上方，且主动结构包含半导体材料。源极接点和漏极接点设置于主动结构上方。覆盖结构设置于主动结构上方及源极接点与漏极接点之间，其中覆盖结构包含第一金属材料。覆盖结构包含第一金属材料。覆盖结构包含第一金属材料。
技术研发人员：黄彦杰 陈海清 林仲德
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.10
技术公布日：2022/7/14