一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏的制作方法

本发明涉及纳米银导电膜技术领域，具体地，涉及一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏。

背景技术

目前，随着科技的不断发展，触摸屏作为一种简单、便捷的人机交互方式，已经广泛应用于我们日常生活的各个领域，同时随着人们要求的不断提高，触摸屏正向着大尺寸、高解析度、轻、薄、可弯曲、低成本等方向发展。银纳米线因其具有金属银的高导电性、绝佳的柔韧性，是超大尺寸、柔性触摸屏的透明电极材料的最佳选择。而传统的纳米银电容屏设计比例基本是16:9，这对于触摸屏来说，TX方向的纳米银通道会比RX方向的纳米银通道长1.78倍，相应的其阻值也会增大。而阻值的不均匀会造成测试数据的不均匀，影响产品的体验效果。TX阻值的增大，也会让产品的使用寿命降低。因此，本领域技术人员亟需寻找一种新的技术方案来解决上述问题。

技术实现要素：

为克服相关技术中存在的问题，本发明公开提供一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏。

本发明公开的第一方面，提供一种纳米银导电膜，所述纳米银导电膜包括：基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层，所述TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在所述基层的上下两面；

所述TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道，所述RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道；

其中，所述沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域，每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。

可选的，所述每个neck区域中包括2个拓宽部分和1个非拓宽部分，所述1个非拓宽部分位于所述2个拓宽部分的中间。

可选的，所述非拓宽部分的宽度为a，其中1mm≤a≤2mm。

可选的，所述非拓宽部分的宽度为a，其中a为2mm。

可选的，所述拓宽部分的宽度为b，其中，a≤b≤3mm。

可选的，所述拓宽部分的宽度为b，其中，b为2.5mm。

可选的，所述拓宽部分和非拓宽部分的长度相等。

本发明公开的第二方面，提供一种纳米银电容屏，所述纳米银电容屏包括基板和设置于所述基板上的如本发明公开第一方面所述的纳米银导电膜。

综上所述，本发明涉及一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏，该纳米银导电膜包括：基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层，该TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在该基层的上下两面；该TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道，该RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道；其中，该沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域，每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。能够通过在TX方向的纳米银膜层导电通道的neck区域设置拓宽部分，增大沿TX方向的纳米银导电通道的宽度，减小TX方向的纳米银膜层中的阻抗值，从而增强纳米银导电膜中的阻值均匀性，提高用户的体验效果，延长使用寿命。

本发明公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是根据一示例性实施例示出的一种TX方向的纳米银膜层的结构示意图；

图2是根据一示例性实施例示出的一种RX方向的纳米银膜层的结构示意图；

图3是根据一示例性实施例示出的一种TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层贴合后的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

本发明公开实施例提供一种纳米银导电膜，该纳米银导电膜包括：基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层，该TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在该基层的上下两面。

其中，图1是根据一示例性实施例示出的一种TX方向的纳米银膜层的结构示意图，如图1所示，该TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道110；其中，该沿TX方向的纳米银导电通道110中包括若干宽度相同的neck区域120，每个neck区域120中包括拓宽部分和非拓宽部分。图2是根据一示例性实施例示出的一种RX方向的纳米银膜层的结构示意图，如图2所示，该RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道。其中，每个neck区域中包括2个拓宽部分和1个非拓宽部分，该1个非拓宽部分位于该2个拓宽部分的中间，且拓宽部分和非拓宽部分的长度相等。本发明公开实施例中，通过在沿TX方向的纳米银导电通道110的每个neck区域120中设置拓宽部分，增大沿TX方向的纳米银导电通道110宽度，即减小了沿TX方向的纳米银导电通道110的阻抗值。

示例地，在本发明公开实施例中，将TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在基层的上下两面，使TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层相贴合，如此，沿TX方向的纳米银导电通道和沿RX方向的导电通道之间重合的部分，会形成一个无效电容，当用户触摸无效电容区域时，纳米银膜层上的电容不会发生改变，因此无效电容的部分面积越小越好。如图3所示，为TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层贴合后的结构示意图，其中，RX方向的导电通道通过虚线表示，沿TX方向的纳米银导电通道通过实线表示，TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层相贴合后，形成无效电容区域320。可见，无效电容区域320为RX方向的导电通道的neck区域和TX方向的纳米银膜层neck区域中的非拓宽部分重叠而成。

另外，TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层相贴合后，形成GAP区域310，TX方向的纳米银导电通道中neck区域的拓宽部分，不能覆盖该GAP区域310，需要为GAP区域310保留一定的宽度，其中，GAP区域310的宽度最小为1mm。因此，沿TX方向的纳米银导电通道中的拓宽部分的宽度有一定的限制。

具体的，在本发明的一些实施例中，所述非拓宽部分的宽度为a，其中1mm≤a≤2mm，所述拓宽部分的宽度为b，其中，a≤b≤3mm。本发明在非拓宽部分的宽度为一定数值的情况下，增加拓宽部分的宽度，使拓宽部分的宽度大于等于非拓宽部分的宽度且小于等于3mm，从而增大沿TX方向的纳米银导电通道的宽度，减小TX方向的纳米银膜层中的阻抗值，增强纳米银导电膜中的阻值均匀性，提高用户的体验效果，延长使用寿命。

具体的，作为本发明实施例neck区域非拓宽部分宽度为2mm的纳米银导电膜，若neck区域拓宽部分宽度为2mm，测试得到沿TX方向的纳米银通道阻抗值为c，电容值为d，数据平整度为15.27％。其中，数据平整度＝(最大值-最小值)/(2*平均值)，最大值为该纳米银膜层中所有无效电容区域电容值中的最大电容值，最小值为该纳米银膜层中所有无效电容区域电容值中的最小电容值，平均值为该纳米银膜层中所有无效电容区域电容值中的平均电容值。

具体的，作为本发明实施例neck区域非拓宽部分宽度为2mm的纳米银导电膜，将neck区域拓宽部分宽度为2.5mm，可使沿TX方向的纳米银通道阻抗值降低6.4％，电容值上升20％，数据平整度为11.6％。其中，阻抗值降低＝(设置拓宽区域后的阻抗值-c)/c。

具体的，作为本发明实施例neck区域非拓宽部分宽度为2mm的纳米银导电膜，将neck区域拓宽部分宽度为3mm，可使沿TX方向的纳米银通道阻抗值降低12.8％，电容值上升27％，数据平整度为13.24％。

综上所述，本发明涉及一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏，该纳米银导电膜包括：基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层，该TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在该基层的上下两面；该TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道，该RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道；其中，该沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域，每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。能够通过在TX方向的纳米银膜层导电通道的neck区域设置拓宽部分，增大沿TX方向的纳米银导电通道的宽度，减小TX方向的纳米银膜层中的阻抗值，从而增强纳米银导电膜中的阻值均匀性，提高用户的体验效果，延长使用寿命。

以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。