显示面板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.显示面板的应用日趋多样化，对显示面板形态的要求也越来越高。特别是对于无显示的边框区域，随着对屏占比的极致追求，边框被进一步压缩。边框一般由阵列基板行驱动电路(gate driver on array，goa)、阴极搭接、公共电源线及封装结构组成。有机发光半导体(organic electroluminescence display，oled)显示一般采用薄膜封装结构，确保oled器件的水氧阻隔性能。薄膜封装结构一般为无机/有机的叠层结构，在器件的边缘，无机层需要一定的长度，才能确保器件的封装特性。这对于追求极致窄边框的显示器件来说，是不利的。
3.综上所述，现有技术的显示面板中存在：在面板边缘的薄膜封装结构长度过长，显示面板的边框过宽的技术问题。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术的显示面板中存在：在面板边缘的薄膜封装结构长度过长，显示面板的边框过宽的技术问题。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种显示面板，包括显示区和环绕显示区的非显示区，非显示区包括公开区；
6.显示面板位于公开区的部分包括：依次层叠的基板、公共电极、绝缘层和隔离坝，绝缘层具有第一沟槽，第一沟槽位于隔离坝远离显示区的一侧；
7.公共电极在基板上的正投影为第一投影，第一沟槽和隔离坝在基板上的正投影为第二投影，第一投影与第二投影至少部分重合。
8.在本技术的一些实施例中，绝缘层包括平坦层和钝化层；
9.第一沟槽形成于平坦层；
10.钝化层位于平坦层远离基板的一侧且露出第一沟槽，部分钝化层遮蔽第一沟槽的部分开口。
11.在本技术的一些实施例中，公共电极包括：第一源漏极、第二源漏极层和第一导电层，第一导电层包覆钝化层远离基板的一侧，以及覆盖第一沟槽的侧壁和底部；
12.第二源漏极层设置于平坦层靠近基板的一侧并与第一沟槽底部的第一导电层接触，第一源漏极层设置于第二源漏极层靠近基板的一侧并与第二源漏极层接触。
13.在本技术的一些实施例中，公共电极包括：第一源漏极层、第二源漏极层和第一导电层，第一导电层设置于平坦层靠近基板的一侧，第二源漏极层设置于第一导电层靠近基板的一侧并与第一导电层接触，第一源漏极层设置于第二源漏极层靠近基板的一侧并与第
二源漏极层接触。
14.在本技术的一些实施例中，公共电极还包括第一栅极层和第二栅极层，第二栅极层设置于第一源漏极层靠近基板的一侧并与第一源漏极层接触，第一栅极层设置于第二栅极层靠近基板的一侧并与第二栅极层接触。
15.在本技术的一些实施例中，公共电极还包括第一栅极层和第二栅极层，第二栅极层设置于第一源漏极层靠近基板的一侧并与第一源漏极层接触、第二栅极层中开设有多个通孔，第一栅极层设置于第二栅极层靠近基板的一侧并与第二栅极层接触、第一栅极层通过通孔与第一源漏极层连接。
16.在本技术的一些实施例中，非显示区还包括位于显示区与公开区之间的搭接区；
17.显示面板位于搭接区的部分包括：依次层叠的基板、绝缘层、第一导电层和第二导电层；
18.绝缘层具有第二沟槽，至少部分第一导电层与至少部分第二导电层在第二沟槽内相搭接。
19.在本技术的一些实施例中，绝缘层具有第三沟槽，绝缘层包括平坦层和钝化层；
20.第三沟槽形成于平坦层；
21.钝化层位于平坦层远离基板的一侧且露出第三沟槽，部分钝化层遮蔽第三沟槽的部分开口。
22.在本技术的一些实施例中，第一导电层包覆钝化层远离基板的一侧、以及覆盖第三沟槽的侧壁和底部，第二导电层在第三沟槽处断开。
23.在本技术的一些实施例中，显示面板位于搭接区的部分还包括:第一源漏极层和第二源漏极层，第二源漏极层设置于第三沟槽靠近基板的一侧并通过第二沟槽与第一导电层搭接，第一源漏极层设置于第二源漏极层靠近基板的一侧并与第二源漏极层搭接。
24.在本技术的一些实施例中，显示面板还包括栅极驱动电极，第一导电层与第二导电层的搭接处在基板上的正投影为第三投影，栅极驱动电极在基板上的正投影为第四投影，第三投影与第四投影至少部分重合。
25.第二方面，本技术实施例提供一种显示装置，包括：如第一方面任意一项上述的显示面板。
26.第三方面，本技术实施例提供一种显示面板的制备方法，用于制备如第一方面上述的显示面板，显示面板的制备方法包括以下步骤：
27.提供基板；
28.在基板的一侧制备公共电极和绝缘层，并在绝缘层对应非显示区中的公开区的部分制备第一沟槽；
29.在绝缘层远离基板的一侧制备隔离坝；
30.其中，公共电极在基板上的正投影为第一投影，第一沟槽和隔离坝在基板上的正投影为第二投影，第一投影与第二投影至少部分重合。
31.在本技术的一些实施例中，在绝缘层上制备第二沟槽，并在绝缘层对应非显示区中的搭接区的部分制备第二沟槽，包括：
32.在基板的一侧制备公共电极和绝缘层，并在绝缘层对应非显示区中的公开区的部分制备第一沟槽，包括：
33.在基板的一侧依次制备平坦层和钝化层，钝化层的刻蚀选择比小于平坦层的刻蚀选择比；
34.刻蚀钝化层对应非显示区中公开区的部分，使得钝化层形成露出平坦层的第一凹部；
35.将刻蚀流体通过第一凹部与平坦层接触，形成与第一凹部连通的第二凹部。
36.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：通过将第一沟槽和隔离坝与公共电极叠层设计，一方面能够在相同的非显示区长度上增加公共电极的长度，降低其电阻，减小压降差，提高显示均一性；另一方面第一沟槽和隔离坝参与封装，可以缩短封装距离，锚定无机封装层，防止裂纹沿无机层生长，阻断裂纹的生长路径，提高产品信息信赖性。从而显示面板的非显示区缩小，显示区的面积得以扩大，提高显示面板的屏占比。本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
37.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
38.图1为本技术一个实施例中显示面板的结构示意图；
39.图2为本技术另一个实施例中显示面板的结构示意图；
40.图3为本技术又一个实施例中显示面板的结构示意图。
41.图中：
42.1-基板；2-绝缘层(21-平坦层、22-钝化层)；3-第一导电层；4-第二导电层；5-第一源漏极层；6-第二源漏极层；7-隔离坝；8-第一栅极层；9-第二栅极层。
具体实施方式
43.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
44.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
45.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、
“”
和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包
括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
46.本技术经过研究发现，现有技术的显示面板中存在：在面板边缘的薄膜封装结构长度过长，显示面板的边框过宽的技术问题。
47.本技术提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
48.第一个方面，本技术实施例提供了一种显示面板。如图1所示，图1为本技术一个实施例中显示面板的结构示意图。显示面板，包括显示区和环绕显示区的非显示区，非显示区包括公开区；显示面板位于公开区的部分包括：依次层叠的基板1、公共电极、绝缘层2和隔离坝7，绝缘层具有第一沟槽，第一沟槽位于隔离坝远离显示区的一侧；公共电极在基板1上的正投影为第一投影，第一沟槽和隔离坝7在基板1上的正投影为第二投影，第一投影与第二投影至少部分重合。
49.通过将第一沟槽和隔离坝与公共电极叠层设计，一方面能够在相同的非显示区长度上增加公共电极的长度，降低其电阻，减小压降差，提高显示均一性；另一方面第一沟槽和隔离坝参与封装，可以缩短封装距离，锚定无机封装层，防止裂纹沿无机层生长，阻断裂纹的生长路径，提高产品信息信赖性。从而显示面板的非显示区缩小，显示区的面积得以扩大，提高显示面板的屏占比。
50.在本技术的一些实施例中，非显示区还包括位于显示区与公开区之间的搭接区；显示面板位于搭接区的部分包括：依次层叠的基板1、绝缘层2、第一导电层3和第二导电层4；
51.绝缘层2具有第二沟槽，至少部分第一导电层3与至少部分第二导电层4在第二沟槽内相搭接。
52.通过在搭接区的绝缘层2上开设第二沟槽，将第一导电层3与第二导电层4在第二沟槽内相搭接，相较于第一导电层3与第二导电层4在平面上搭接，本实施例能够在相同的非显示区长度上增加第一导电层3与第二导电层4的接触面积；从而在保证第一导电层3与第二导电层4的接触面积的情况下，非显示区的宽度能够变小，显示区的面积得以扩大，提高显示面板的屏占比。
53.在本技术的一些实施例中，绝缘层2具有第三沟槽，绝缘层2包括平坦层21和钝化层22；第三沟槽形成于平坦层21；钝化层22位于平坦层21远离基板1的一侧且露出第三沟槽，部分钝化层22遮蔽第三沟槽的部分开口。
54.在本实施例中，第一导电层3为阳极层，第二导电层4为阴极层。第一导电层3设置于平坦层21远离基板1一侧的表面，第二导电层4设置于第一导电层3远离基板1的一侧，第一导电层3与第二导电层4之间设置有像素定义层5。第一导电层3与第二导电层4相搭接，且至少部分搭接处位于第二沟槽中。
55.在一些实施例中，平坦层21在搭接区开设有多个第二沟槽，至少部分第二沟槽为搭接槽，至少部分第一导电层3覆盖搭接槽的侧壁和底部，至少部分第二导电层4于搭接槽中保形地覆盖第一导电层3远离基板1的一侧，即第一导电层3与第二导电层4直接接触完成搭接。其中，在部分区域，第一导电层3中设置有放气孔，第二导电层4与放气孔周围的第一导电层3并不直接接触，形成一容纳空间，容纳空间中填充有像素定义层。
56.第三沟槽为隔离槽，平坦层21形成隔离槽，钝化层22设置于平坦层21远离基板1的一侧且露出隔离槽。部分钝化层22遮蔽隔离槽的部分开口，即钝化层22在基板1上的正投影与隔离槽的开口在基板1上的正投影部分重合。
57.与搭接槽类似，隔离槽可以扩大封装层与第一导电层3或者第二导电层4的接触面积，缩小封装结构占据的宽度，从而缩小非显示区的宽度，锚定无机封装层，防止裂纹沿无机层生长，阻断裂纹的生长路径，提高产品信息信赖性。
58.在本技术的一些实施例中，第一导电层3包覆钝化层22远离基板1的一侧、以及覆盖第三沟槽的侧壁和底部，第二导电层4在第三沟槽处断开。
59.在本实施例中，与搭接槽不同的是，在隔离槽中，第一导电层3仍然覆盖隔离槽的侧壁和底部，但在隔离槽的开口处，第一导电层3包覆钝化层22并遮蔽隔离槽的部分开口。而与第一导电层3搭接的第二导电层4由于热蒸镀的垂直性，在隔离槽处断开，第二导电层4在隔离槽处仅覆盖第一导电层3远离基板1一侧的表面，并不与第一导电层3的侧面接触。
60.在本技术的一些实施例中，显示面板位于搭接区的部分还包括:第二源漏极层6和第一源漏极层5，第二源漏极层6设置于第三沟槽靠近基板1的一侧并通过第二沟槽与第一导电层3搭接，第一源漏极层5设置于第二源漏极层6靠近基板1的一侧并与第二源漏极层6搭接。
61.在本实施例中，平坦层21包括第一平坦层和位于第一平坦层远离基板1一侧的第二平坦层，第二源漏极层6设置于第一平坦层远离基板1的一侧。至少一个搭接槽的深度与第二源漏极层6的厚度之和大于第二平坦层的厚度，第一导电层3通过该搭接槽与第二源漏极层6搭接。至少一个隔离槽的深度与第二源漏极层6的厚度之和小于第二平坦层的厚度，可以将隔离槽与第二源漏极层6叠层设计，隔离槽与第二源漏极层6之间还存在厚度减薄过的第二平坦层，隔离槽内的第一导电层3延伸出隔离槽通过搭接槽与第二源漏极层6搭接。隔离槽的开口在基板1上的正投影与第二源漏极层6在基板上的正投影至少部分重合，上述叠层设计能够减小搭接区的宽度从而减小非显示区的整体宽度。
62.在本技术的一些实施例中，显示面板还包括栅极驱动电极6，第一导电层3与第二导电层4的搭接处在基板1上的正投影为第三投影，栅极驱动电极6在基板1上的正投影为第四投影，第三投影与第四投影至少部分重合。
63.在本实施例中，搭接处指代的是第一导电层3与第二导电层4直接接触的位置，搭接区指代的是非显示区的其中一个子分区。栅极驱动电极6位于绝缘层2与基板1之间。栅极驱动电极6在基板1上的正投影与搭接处在基板上的正投影至少部分重合，可以缩小搭接区的宽度，从而缩小非显示区的宽度。
64.在本技术的一些实施例中，非显示区还包括位于搭接区远离显示区一侧的公共区，显示面板位于公共区的部分包括：依次层叠的基板1、公共电极、绝缘层2和隔离坝7，绝缘层2具有第一沟槽，第一沟槽设置于第二沟槽远离显示区的一侧，隔离坝7设置于第二沟槽与第一沟槽之间。
65.在本实施例中，在搭接区远离显示区的一侧还包括公共区，公共区设置有隔离坝7，绝缘层2设置有第一沟槽，第一沟槽位于隔离坝7远离第二沟槽的一侧。
66.在本技术的一些实施例中，绝缘层2包括平坦层21和钝化层22；
67.第一沟槽形成于平坦层21；
68.钝化层22位于平坦层21远离基板1的一侧且露出第一沟槽，部分钝化层22遮蔽第一沟槽的部分开口。
69.在本实施例中，与搭接区不同的是，公开区未设置第二导电层4，第一导电层3与第二导电层4无需在公开区内进行搭接，公开区未设置搭接槽。相较于搭接区的平坦层厚度，平坦层的厚度较小，第一沟槽的深度不小于平坦层的厚度，以至于第一沟槽露出其他膜层。第一沟槽部分或者全部为隔离槽，平坦层21形成隔离槽，钝化层22设置于平坦层21远离基板1的一侧且露出隔离槽。部分钝化层22遮蔽隔离槽的部分开口，即钝化层22在基板1上的正投影与隔离槽的开口在基板1上的正投影部分重合。
70.隔离槽可以扩大封装层与第一导电层3或者平坦层的接触面积，缩小封装结构占据的宽度，从而缩小非显示区的宽度，锚定无机封装层，防止裂纹沿无机层生长，阻断裂纹的生长路径，提高产品信息信赖性。
71.在本技术的一些实施例中，公共电极至少包括：第一源漏极层5、第二源漏极层6和第一导电层3，第一导电层3包覆钝化层22远离基板1的一侧，以及覆盖第一沟槽的侧壁和底部；
72.第二源漏极层6设置于平坦层21靠近基板1的一侧并与第一沟槽底部的第一导电层3接触，第一源漏极层5设置于第二源漏极层6靠近基板1的一侧并与第二源漏极层6接触。
73.在本实施例中，第一源漏极层5、第二源漏极层6和第一导电层3在公开区层叠设置形成公共电极。与搭接区类似，第一导电层3包覆钝化层22远离基板1的一侧、以及覆盖第一沟槽的侧壁和底部，第二源漏极层6平整的铺设于平坦层靠近基板1的一侧，在第一沟槽的底部，第二源漏极层6与第一导电层3搭接。第一源漏极层5平整的铺设于第二源漏极层6靠近基板1的一侧，第一源漏极层5与第二源漏极层6之间全接触。由于三层导电层形成公共电极，降低了公共电极的电阻，从而降低了显示面板的功耗。
74.在本技术的一些实施例中，公共电极至少包括：第一源漏极层5、第二源漏极层6和第一导电层3，第一导电层3设置于平坦层21靠近基板1的一侧，第二源漏极层6设置于第一导电层3靠近基板1的一侧并与第一导电层3接触，第一源漏极层5设置于第二源漏极层6靠近基板1的一侧并与第二源漏极层6接触。
75.如图2所示，图2为本技术另一个实施例中显示面板的结构示意图。在本实施例中，第一源漏极层5、第二源漏极层6和第一导电层3在公开区层叠设置形成公共电极。与搭接区不同，第一导电层3平整的铺设于平坦层靠近基板1的一侧，第一沟槽中封装层直接包覆钝化层22远离基板1的一侧并覆盖第一沟槽的侧壁和底部。第二源漏极层6平整的铺设于第一导电层3靠近基板1的一侧，第二源漏极层6与第一导电层3之间全接触，第一源漏极层5平整的铺设于第二源漏极层6靠近基板1的一侧，第一源漏极层5与第二源漏极层6之间全接触。由于形成公共电极的三个导电层相互之间的接触面变大，进一步降低了公共电极的电阻，从而进一步降低了显示面板的功耗。
76.在本技术的一些实施例中，公共电极在基板1上的正投影为第一投影，第一沟槽和隔离坝7在基板上的正投影为第二投影，第一投影与第二投影至少部分重合。
77.在本实施例中，第一沟槽和隔离坝7中至少一者与公共电极进行叠层设计，第一投影与第二投影至少部分重合，从而减小公共区的宽度，减小非显示区的整体宽度。
78.在本技术的一些实施例中，公共电极还包括第一栅极层8和第二栅极层9，第二栅
极层9设置于第一源漏极层5靠近基板1的一侧并与第一源漏极层5接触，第一栅极层8设置于第二栅极层9靠近基板1的一侧并与第二栅极层9接触。
79.在本实施例中，第一栅极层8、第二栅极层9、第一源漏极层5、第二源漏极层6和第一导电层3在公开区层叠设置形成公共电极。第二栅极层9平整的铺设于第一源漏极层5靠近基板1的一侧，第一源漏极层5与第二栅极层9之间全接触，第一栅极层8平整的铺设于第二栅极层9靠近基板1的一侧，第一栅极层8与第二栅极层9之间全接触。由于形成公共电极的导电层数量变多，进一步降低了公共电极的电阻，从而进一步降低了显示面板的功耗。
80.在本技术的一些实施例中，公共电极还包括第一栅极层8和第二栅极层9，第二栅极层9设置于第一源漏极层5靠近基板1的一侧并与第一源漏极层5接触、第二栅极层9中开设有多个通孔，第一栅极层8设置于第二栅极层9靠近基板1的一侧并与第二栅极层9接触、第一栅极层8通过通孔与第一源漏极层5连接。
81.如图3所示，图3为本技术又一个实施例中显示面板的结构示意图。在本实施例中，第一栅极层8、第二栅极层9、第一源漏极层5、第二源漏极层6和第一导电层3在公开区层叠设置形成公共电极。第二栅极层9铺设于第一源漏极层5靠近基板1的一侧且第二栅极层9中包括多个通孔，第一源漏极层5与第二栅极层9之间接触，第一栅极层8平整的铺设于第二栅极层9靠近基板1的一侧，第一栅极层8与第二栅极层9之间接触，多个通孔中填充有第一栅极层8或者第一源漏极层5，第一栅极层8通过通孔与第一源漏极层5电性连接。
82.在另一个实施例中，第一栅极层8、第二栅极层9、第一源漏极层5、第二源漏极层6和第一导电层3在公开区层叠设置形成公共电极。第二栅极层9包括多个柱状结构，设置于第一源漏极层5靠近基板1的一侧，第一源漏极层5与第二栅极层9之间接触，第一栅极层8平整的铺设于第二栅极层9靠近基板1的一侧，第一栅极层8与第二栅极层9之间接触，多个柱状结构的间隙中填充有第一栅极层8或者第一源漏极层5，第一栅极层8通过上述填充材料与第一源漏极层5电性连接。上述实施例中不仅介绍了第二栅极层9正面铺设的实施例，还包括对第二栅极层9图案化，图案化后的第二栅极层9在不影响公共电极导电性能的情况下，可以缓解公共电极受到的应力，提高显示面板的结构稳定性。
83.基于同一发明构思，第二方面，本技术实施例提供一种显示装置，显示面板，包括如第一方面中上述任意一个实施例中的显示面板。
84.基于同一发明构思，第三方面，本技术实施例提供一种显示装置的制备方法，用于如第一方面中上述任意一个实施例中的显示面板。显示面板的制备方法，包括：
85.提供基板1；
86.在基板1的一侧制备公共电极和绝缘层2，并在绝缘层2对应非显示区中的公开区的部分制备第一沟槽；
87.在绝缘层2远离基板的一侧制备隔离坝7；
88.其中，公共电极在基板上的正投影为第一投影，第一沟槽和隔离坝在基板上的正投影为第二投影，第一投影与第二投影至少部分重合。
89.在本技术的一些实施例中，提供了另一种显示面板的制备方法或一种显示面板的展开/扩展制备方法。该方法，包括如下步骤：
90.在基板1的一侧制备公共电极和绝缘层2，并在绝缘层2对应非显示区中的公开区的部分制备第一沟槽中，包括：
91.在基板1的一侧依次制备平坦层21和钝化层22，钝化层22的刻蚀选择比小于平坦层21的刻蚀选择比；
92.刻蚀钝化层22对应非显示区中公开区的部分，使得钝化层22形成露出平坦层21的第一凹部；
93.将刻蚀流体通过第一凹部与平坦层21接触，形成与第一凹部连通的第二凹部。
94.在一些实施例中，第一凹部与第二凹部连通形成第一沟槽。第一凹部的结构形成可以利用刻蚀或是激光的方式，如干刻；第二凹部的结构形成可以利用刻蚀流体，在本实施例中，通过控制不同的刻蚀气体流量，可以得到底切结构的凹槽。第一沟槽的结构一般由两层或两层以上的膜层组成，上层形成屋檐，下层形成底切的内凹形状。一般的，上层结构为无机层或者金属，合金或者有机层，下层为有机层或者无机层等。
95.在另一个实施例中，第一凹部和第二凹部可以利用同一种刻蚀流体制得，由于钝化层22的刻蚀选择比小于平坦层21的刻蚀选择比，依然可以刻蚀出具有底切结构的凹槽。
96.在本实施例中，第二沟槽的上层结构为钝化层22，下层结构为平坦层21。刻蚀钝化层22的气体为三氟甲烷(chf3)等气体，刻蚀下层平坦层21时，刻蚀气体主要为氧气(o2)，此时，钝化层22可以作为硬掩模板，刻蚀平坦层21形成底切结构。该底切结构侧蚀量为0.2-2um，优选0.3-0.5um,深度为1-3um,优选1.2-2um。底切结构的开口尺寸为3-20um，优选的5-10um。
97.第三沟槽的制备方法与第一沟槽同理，此处不做重复介绍。
98.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：1、通过将第一沟槽和隔离坝与公共电极叠层设计，一方面能够在相同的非显示区长度上增加公共电极的长度，降低其电阻，减小压降差，提高显示均一性；另一方面第一沟槽和隔离坝参与封装，可以缩短封装距离，锚定无机封装层，防止裂纹沿无机层生长，阻断裂纹的生长路径，提高产品信息信赖性。从而显示面板的非显示区缩小，显示区的面积得以扩大，提高显示面板的屏占比。
99.2、通过在搭接区的绝缘层2上开设第二沟槽，将第一导电层3与第二导电层4在第二沟槽内相搭接，相较于第一导电层3与第二导电层4在平面上搭接，本实施例能够在相同的非显示区长度上增加第一导电层3与第二导电层4的接触面积；从而在保证第一导电层3与第二导电层4的接触面积的情况下，非显示区的宽度能够变小，显示区的面积得以扩大，提高显示面板的屏占比。
100.3、叠层设计能够减小搭接区的宽度从而减小非显示区的整体宽度。
101.4、多个导电层形成公共电极，降低了公共电极的电阻，从而降低了显示面板的功耗。
102.5、图案化至少一个导电层，在不影响公共电极导电性能的情况下，可以缓解公共电极受到的应力，提高显示面板的结构稳定性
103.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
104.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
105.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
106.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
107.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
108.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
109.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。