半导体封装装置及其制造方法与流程

1.本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。


背景技术：

2.在半导体封装技术领域，随着技术与需求之演进，封装(package)的体积越来越小，但实现的功能与包含的芯片(chip)越来越多，相应的电性、传输带宽等需求便日益俱增。一个package内不同chip的功能需求不同，其相应之制程等级(如7nm、10nm)亦会不同，若用单一规格(如28nm)之基板整合，将造成良率损失，为此，一种解决方法是针对不同chip以相应之基板/载板分别整合，后续再以电性连接例如通过引线键合(wire-bond，亦称为打线)方式完成对接。
3.请参考图1，图1是现有技术中不同基板上的芯片通过打线连接的纵向截面结构示意图，两个芯片分别整合在两个基板上形成两个封装模块，其中，第一封装模块11上设置有第一芯片13，第二封装模块12上设置有第二芯片14，第一芯片13和第二芯片14再通过键合引线15以打线方式电连接。
4.请参考图2，图2是几种材质的数据传输速率与传输距离的关系示意图。从图中可以看出，随着距离的增加，不同材质能够实现的数据传输速率(或者说带宽)大不相同，在较长的距离，单模光纤的带宽最大，多模光纤其次，铜导线的带宽最小。在长距离下，铜导线不能实现所需要的带宽。
5.现有技术的半导体封装装置中，不同距离的芯片(chip)之间通常都是使用电性连接方式(例如铜导线)来传递信号，则在高数据传输速率的信号传递情景下，长距离的芯片间的信号传递可能会有较大的信号损耗与信号失真。
6.如上所述，现有技术的半导体封装装置，其芯片间都使用电性连接方式来传递信号，由于传输间的距离和带宽等变因，可能会存在信号损耗与信号失真，导致信号传递的效益降低。


技术实现要素：

7.本公开提出了半导体封装装置及其制造方法。
8.第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：第一线路，用于连接第一对芯片；第二线路，用于连接第二对芯片；所述第一线路的带宽小于所述第二线路的带宽。
9.在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置包括一载板，所述第一对芯片和所述第二对芯片都设置于所述载板上。
10.在一些可选的实施方式中，所述第二线路提供信号放大功能。
11.在一些可选的实施方式中，所述载板包括重布线层和有源中介层，所述载板上设置的芯片通过所述重布线层连接所述有源中介层，所述有源中介层中设置有电传输线路，所述电传输线路包括电信号放大器，所述第二线路包括所述电传输线路。
12.在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置包括基板和设置于所述基板上的
两个载板，所述第一对芯片设置于其中一个载板上，所述第二对芯片包括的两个芯片分别设置于所述两个载板上。
13.在一些可选的实施方式中，所述第二线路包括光传输线路。
14.在一些可选的实施方式中，所述光传输线路提供光信号放大功能。
15.在一些可选的实施方式中，所述载板包括重布线层和光学中介层，所述载板上设置的芯片通过所述重布线层连接所述光学中介层，所述光学中介层中设置有载板内光传输线路，所述光传输线路包括所述载板内光传输线路。
16.在一些可选的实施方式中，所述基板中设置有连接所述两个载板的光纤，所述光传输线路包括所述光纤。
17.在一些可选的实施方式中，所述第二线路的路径比所述第一线路的路径长。
18.第二方面，本公开提供了一种制造半导体封装装置的方法，包括：制作第一线路和第二线路，所述第一线路的带宽小于所述第二线路的带宽；利用所述第一线路连接第一对芯片，利用所述第二线路连接第二对芯片。
19.在一些可选的实施方式中，所述制作第一线路和第二线路包括：提供中介层，在所述中介层中形成电传输线路和/或光传输线路，所述电传输线路中包括电信号放大器；在所述中介层上形成重布线层，所述重布线层中设置有导电线路，利用所述电传输线路和/或光传输线路以及所述导电线路形成第一线路和第二线路。
20.在一些可选的实施方式中，所述利用所述电传输线路和/或光传输线路以及所述导电线路形成第一线路和第二线路包括：利用所述导电线路形成所述第一线路；利用所述导电线路和所述电传输线路形成所述第二线路。
21.在一些可选的实施方式中，所述利用所述电传输线路和/或光传输线路以及所述导电线路形成第一线路和第二线路包括：利用所述导电线路形成所述第一线路；利用所述导电线路和所述光传输线路形成所述第二线路。
22.为了解决现有技术的半导体封装装置其芯片间都使用电性连接方式来传递信号，由于传输间的距离和带宽等变因，可能会存在信号损耗与信号失真，导致信号传递的效益降低的问题，本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，考虑针对不同的芯片采用各自合适的信号传递方式，因而设置具有不同带宽的第一线路和第二线路来连接不同的芯片，对于短距离/低数据传输速率的芯片间使用较小带宽的第一线路连接，对于长距离/高数据传输速率的芯片间则使用较大带宽的第二线路连接，较大的带宽意味着较高的数据传输速率和较小的信号损耗以及较少的信号失真，以此解决由于传输间的距离和带宽等变因，可能会存在信号损耗与信号失真，导致信号传递的效益降低的问题，例如在高数据传输速率的信号传递情景下，采用较大带宽的线路，来避免长距离的信号传递可能会存在信号损耗和信号失真的问题。
附图说明
23.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
24.图1是现有技术中不同基板上的芯片通过打线连接的纵向截面结构示意图；
25.图2是几种材质的数据传输速率与传输距离的关系示意图；
26.图3a是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例3a的俯视方向的原理示意图；
27.图3b是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例3b的俯视方向的原理示意图；
28.图4是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例4a的纵向截面结构示意图；
29.图5是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例5a的纵向截面结构示意图；
30.图6是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例6a的纵向截面结构示意图；
31.图7是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例7a的纵向截面结构示意图。
32.附图标记/符号说明：
33.11-第一封装模块；12-第二封装模块；13-第一芯片；14-第二芯片；15-键合引线；20-第一载板；21-重布线层；211-导电线路；22-光学中介层；221-载板内光传输线路；23-有源中介层；231-电传输线路；232-电信号放大器；30-第二载板；40-模封层；41-电子元件；42-导通结构；50-基板；51-光纤；l1-近距离线路；l2-中距离线路；l3-长距离线路。
具体实施方式
34.下面结合附图和实施例说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
35.应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
36.此外，为了便于描述，本文中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本文中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
37.本文中所使用的术语“层”是指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以具有小于下层或上层结构的范围的程度。此外，层可以是均质或不均质连续结构的区域，其厚度小于连续结构的厚度。例如，层可以位于连续结构的顶表面和底表面之间或在其之间的任何一对水平平面之间。层可以水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。基板(substrate)可以是一层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以在其上、之上和/或之下具有一个或多个层。一层可以包括多层。例如，半导体层可以包括一个或多个掺杂或未掺杂的半导体层，并且可以具有相同或不同的材料。
38.本文中使用的术语“基板(substrate)”是指在其上添加后续材料层的材料。基板本身可以被图案化。添加到基板顶部的材料可以被图案化或可以保持未图案化。此外，基板可以包括各种各样的半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化镓、锗、砷化镓、磷化铟等。可替选地，基板可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料或蓝宝石晶片等。进一步可替选地，基板可以具有在其中形成的半导体装置或电路。
39.需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，
故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本公开可实施的范畴。
40.还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
41.另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
42.参考图3a，图3a是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例3a的俯视方向的原理示意图。
43.如图3a所示，本半导体封装装置3a，包括第一载板20，第一载板20上设置有多个芯片例如a1至a6。为实现芯片间的连接，半导体封装装置3a设置有：
44.第一线路，用于连接第一对芯片；
45.第二线路，用于连接第二对芯片；
46.其中，第一线路的带宽小于第二线路的带宽。
47.这里，第一对芯片和第二对芯片相比，可能第一对芯片间的距离小于第二芯片间的距离，和/或，也可能第一对芯片间所需要的数据传输速率低于第二对芯片间所需要的数据传输速率。
48.如图3a所示，举例来说：第一对芯片可能包括芯片a1和a2，第二对芯片可能包括芯片a1和a6，第二对芯片和第一对芯片都设置在第一载板20上，且第二对芯片间的距离大于第一对芯片间的距离。此时，第一线路可能是图3a中所示的近距离线路l1，第二线路可能是图3a中所示的中距离线路l2；中距离线路l2的路径长于近距离线路l1的路径。
49.这里，第一线路(如近距离线路l1)可能是低带宽的电性连接线路，第二线路(如中距离线路l2)可能是高带宽的电性连接线路。可选的，可以通过设计阻抗匹配、线宽/线距、输入/输出(i/o)等方式来使第二线路的带宽大于第一线路的带宽。可选的，第二线路也可能是具有信号放大功能的电性连接线路，利用信号放大功能来增大带宽能力。可选的，第二线路的路径比第一线路的路径长。
50.本公开的本半导体封装装置，可以用于晶圆级封装，也可延伸用于系统级封装。其中所说的芯片，例如可以是裸芯片(die)，也可以是小芯片(chiplet)，具体的，例如可以是专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、存储器(memory)、输入/输出(i/o)等。
51.参考图3b，图3b是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例3b的俯视方向的原理示意图。图3b所示的半导体封装装置3b类似于图3a所示的半导体封装装置3a，不同之处在于：
52.本半导体封装装置3b包括两个载板，即，在第一载板20之外还包括第二载板30，第二载板30上设置有多个芯片(chip)例如芯片b1至b6。第一载板20和第二载板30设置在基板50上。为了实现芯片间的连接，半导体封装装置3b设置有：
53.第一线路，用于连接第一对芯片；
54.第二线路，用于连接第二对芯片；
55.其中，第一线路的带宽小于第二线路的带宽。
56.这里，第一对芯片和第二对芯片相比，可能第一对芯片间的距离小于第二芯片间的距离，和/或，也可能第一对芯片间所需要的数据传输速率低于第二对芯片间所需要的数据传输速率。
57.如图3b所示，在一个示例中：第一对芯片可能包括芯片a1和a2，第二对芯片可能包括芯片a4和b4，第一对芯片设置于第一载板20上，第二对芯片包括的两个芯片a4和b4则分别设置于第一载板20和第二载板30上，第二对芯片间的距离大于第一对芯片间的距离。此时，第一线路可能是图3b中所示的近距离线路l1，第二线路可能是图3b中所示的长距离线路l3；长距离线路l3的路径长于近距离线路l1的路径。在另一个示例中：第一对芯片可能包括芯片a1和a2，第二对芯片可能包括芯片a1和b4，第一对芯片设置于第一载板20上，第二对芯片包括的两个芯片a1和b4则分别设置于第一载板20和第二载板30上，第二对芯片间的距离大于第一对芯片间的距离。
58.如图3b所示，在另一个示例中：第一对芯片也可能包括芯片a1和a6，第二对芯片可能包括芯片a4和b4，第一对芯片设置于第一载板20上，第二对芯片包括的两个芯片a4和b4则分别设置于第一载板20和第二载板30上，第二对芯片间的距离大于第一对芯片间的距离。这里，第一线路可能是图3b中所示的中距离线路l2，第二线路可能是图3b中所示的长距离线路l3；长距离线路l3的路径长于中距离线路l2的路径。在另一个示例中：第一对芯片也可能包括芯片a1和a6，第二对芯片可能包括芯片a1和b4，第一对芯片设置于第一载板20上，第二对芯片包括的两个芯片a1和b4则分别设置于第一载板20和第二载板30上，第二对芯片间的距离大于第一对芯片间的距离。
59.这里，第一线路可能是电性连接线路，可以不具有信号放大功能(如近距离线路l1)，也可以具有信号放大功能(如中距离线路l2)。这里，第二线路(如长距离线路l3)可能包括光传输线路。可选的，光传输线路可能包括设置于载板内的载板内光传输线路，和设置于基板50中的、连接两个载板的光纤(fiber)51；光纤51作为载板间光传输线路。此时，第二线路可能还包括设置于载板内的导电线路，导电线路用于连接载板上的芯片和载板内光传输线路。这里，光纤51例如可以是多模光纤(multi-modefiber)或者单模光纤(singlemodefiber)。可选的，光传输线路也可以进一步提供光信号放大功能，利用光信号放大功能来增大第二线路的带宽能力。可选的，第二线路的路径比第一线路的路径长。
60.下面，结合图4-6，进一步说明如图3a和3b中所示的近距离线路l1、中距离线路l2以及长距离线路l3的具体实现方式。
61.参考图4，图4是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例4a的纵向截面结构示意图。图4示出了近距离线路l1的具体实现方式。
62.半导体封装装置4a包括第一载板20，第一载板20上设置有芯片a1和a2，第一载板20包括重布线层(redistribution layer，rdl)21。rdl21中设置有电连接芯片a1和a2的导电线路211，作为连接距离较近的第一对芯片a1和a2的近距离线路l1。即，近距离直接用rdl进行电性连接。
63.参考图5，图5是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例5a的纵向截面结构示意图。图5示出了中距离线路l2的具体实现方式。
64.半导体封装装置5a包括第一载板20，第一载板20上设置有芯片a1和a6，第一载板20包括rdl21以及有源中介层(active interposer)23。第一载板20上设置的芯片a1和a6通过rdl21连接有源中介层23。这里，有源中介层23中可以设置有电传输线路231。芯片a1和a6通过中距离线路l2连接。中距离线路l2可以包括电传输线路231，以及rdl21中设置的用来连接电传输线路231与芯片a1或a6的导电线路211。即，中距离使用有源中介层进行连接。
65.可选的，可以通过设计阻抗匹配、线宽/线距、输入/输出(i/o)等方式来使中距离线路l2得带宽大于近距离线路l1的带宽。
66.可选的，电传输线路231中包括电信号放大器232，利用信号放大功能来增大带宽能力。此时，中距离线路l2是具有信号放大功能的电性连接线路。为了提供信号放大功能，第一载板20中还可以设置有ivr(集成电压调节器)相关元件。
67.这里，有源中介层23区别于普通的中介层的特点在于，其中可能设置有一些有源器件例如电信号放大器232等，因此称为有源中介层。
68.这里，芯片a1和a6之间的距离相对于实施例4a中芯片a1和a2之间的距离较长，电信号在较长距离传递时可能会存在的信号强度变弱或失真等问题，为此，使用有源中介层进行电信号传输(或者同时进行适当放大)，来缓解上述问题的发生。
69.根据芯片之间的距离，较长距离才使用有源中介层，而短距离使用rdl，可利用上述分工带来以下好处：rdl层数不用做的太厚，另外有源中介层也只针对特定芯片之间来置入放大器，设计上较为简便。
70.参考图6，图6是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例6a的纵向截面结构示意图。图6示出了长距离线路l3的具体实现方式。
71.半导体封装装置6a包括两个载板，即第一载板20和第二载板30，第一载板20上设置有芯片a4，第二载板30上设置有芯片b4。两个载板结构类似，以第一载板20为例，第一载板20包括rdl21以及光学中介层(optical interposer)22，第一载板20上设置的芯片a4通过rdl21连接光学中介层22，光学中介层22中设置有载板内光传输线路221，载板内光传输线路221包括光电转换器。第二载板30的结构类似，不再详述。第一载板20和第二载板30之间可以设置有光纤51，作为载板间光传输线路，光纤51可以设置在承载两个载板的基板50中。这里，载板内光传输线路221和作为载板间光传输线路的光纤51连接，构成光传输线路。
72.芯片a4和b4通过长距离线路l3连接。长距离线路l3可以包括由载板内光传输线路221和光纤51构成的该光传输线路，以及rdl21中设置的用来连接载板内光传输线路221与芯片a4或b4的导电线路211。
73.可选的，光传输线路中还可以包括光信号放大器，以提供光信号放大功能，利用信号放大功能来增大带宽能力。
74.这里，光学中介层22区别于普通的中介层的特点在于，其中设置有用于光传输的线路和电子元件，因此称为光学中介层。
75.需要说明的是，在其它一些实施例中，长距离线路l3也可以用于连接同一个载板上的两个芯片，此时长距离线路l3中的光传输线路，可以仅包括载板内光传输线路221，而不包括作为载板间光传输线路的光纤51。
76.这里，芯片a4和b4之间的传输距离很长，但又需要高数据速率的传递沟通，依然使用电信号来传输的话，可能其信号的损耗与失真会相对于实施例4a和5a会更大，为此，本实
施例在光学中介层内埋光电转换器，将电信号转换成光信号，利用光传输线路来进行信号传递，从而缓解上述问题的发生。
77.这里，rdl层数不用做的太厚，光学中介层也可以只针对特定芯片之间来埋入光电转换器，设计上较为简便。
78.请继续参考图4-6，从图4-6可知，本公开的一些实施例中，第一载板20可能是多层结构，依次包括以下各层：rdl21、光学中介层22和有源中介层23。光学中介层22中提供载板内光传输线路221，有源中介层23中提供电传输电路231，rdl21中则提供导电线路211。另外，承载第一载板20和第二载板30的基板50中，还可能提供连接两个载板的光纤51，作为载板间光传输线路。
79.这里，可以根据需要，利用这些线路如导电线路211、电传输电路231、载板内光传输线路221、光纤51中的部分或全部，来形成不同芯片之间的连接线路。例如，形成第一线路来连接第一对芯片，形成带宽大于第一线路的第二线路来连接第二对芯片。
80.在一些可选的实施方式中，例如可以利用前文所述的近距离线路l1作为第一线路，利用前文所述的中距离线路l2作为第二线路。
81.在另一些可选的实施方式中，例如可以前文所述的长距离线路l3作为第二线路，利用前文所述的近距离线路l1作为第一线路，或者，利用前文所述的中距离线路l2作为第一线路。
82.另外，需要说明的是，第一载板20中的三层结构，即rdl21、光学中介层22和有源中介层23，彼此的配置关系如图5所示，是光学中介层22介于rdl21和有源中介层23之间。在一些可选的实施方式中，也可以是有源中介层23介于rdl21和光学中介层22之间。在另一些可选的实施方式中，光学中介层22和有源中介层23也可以是由一个中介层来实现，即在一个中介层中提供光传输线路和电传输线路，实现光学中介层22和有源中介层23的功能。这里，rdl21、光学中介层22和有源中介层23一起组成一种具有光电转换功能的混合式中介层(hybrid interposer)。
83.参考图7，图7是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例7a的纵向截面结构示意图。图7所示的半导体封装装置7a类似于图5所示的半导体封装装置5a，不同之处在于：
84.半导体封装装置7a还包括模封层40和基板50，第一载板20设置在模封层40上，模封层40设置在基板50上。模封层40可通过一些凸块(bump)与基板50电连接。模封层40中可能封装有一些电子元件41，以及可能设置有一些导通结构42。
85.需要说明的是，前文所述的光传输线路、电传输线路可能会需要用到一些电子元件41，为了实现其它功能可能也需要用到一些电子元件41，这些电子元件41就可以封装在模封层40中。这里，电子元件41例如可以包括裸芯片(die)、电源管理芯片(power management ic，pmic)、深沟槽电容器(deep trench capacitor，dtc)等。这里，模封层40例如可以采用环氧树脂(epoxy resin)等模封材料形成。这里，模封层40中的一些电子元件尤其是光学电子元件，例如可以通过硅通孔(through silicon via，tsv)技术进行堆叠封装，以减少占用空间，减小封装尺寸。
86.这里，导通结构42例如可以包括但不限于通孔(via)、导电柱(pillar)等。第一载板20可以通过导通结构42电连接基板50。
87.为了便于理解和实施本公开，本公开的一个实施例还提供一种制造半导体封装装
置的方法，该方法包括步骤：
88.s1、制作第一线路和第二线路，第一线路的带宽小于第二线路的带宽；
89.s2、利用第一线路连接第一对芯片，利用第二线路连接第二对芯片。
90.在一些可选的实施方式中，步骤s1可包括：提供中介层，在中介层中形成电传输线路和/或光传输线路，电传输线路中包括电信号放大器；在中介层上形成重布线层rdl，rdl中设置有导电线路，利用电传输线路和/或光传输线路以及导电线路形成第一线路和第二线路。
91.在一些可选的实施方式中，步骤s1中利用电传输线路和/或光传输线路以及导电线路形成第一线路和第二线路可包括：利用导电线路形成第一线路；利用导电线路和电传输线路形成第二线路。
92.在一些可选的实施方式中，步骤s1中利用电传输线路和/或光传输线路以及导电线路形成第一线路和第二线路可包括：利用导电线路形成第一线路；利用导电线路和光传输线路形成第二线路。
93.综上，为了解决现有技术的半导体封装装置其芯片间都使用电性连接方式来传递信号，由于传输间的距离和带宽等变因，可能会存在信号损耗与信号失真，导致信号传递的效益降低的问题，本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，考虑针对不同的芯片采用各自合适的信号传递方式，因而设置具有不同带宽的第一线路和第二线路来连接不同的芯片，对于短距离/低数据传输速率的芯片间使用较小带宽的第一线路连接，对于长距离/高数据传输速率的芯片间则使用较大带宽的第二线路连接，较大的带宽意味着较高的数据传输速率和较小的信号损耗以及较少的信号失真，以此解决由于传输间的距离和带宽等变因，可能会存在信号损耗与信号失真，导致信号传递的效益降低的问题，例如在高数据传输速率的信号传递情景下，采用较大带宽的线路，来避免长距离的信号传递可能会存在信号损耗和信号失真的问题。
94.尽管已参考本公开的特定实施例描述并说明本公开，但这些描述和说明并不限制本公开。所属领域的技术人员可清楚地理解，可进行各种改变，且可在实施例内替代等效元件而不脱离如由所附权利要求书限定的本公开的真实精神和范围。图示可能未必按比例绘制。归因于制造过程中的变量等等，本公开中的技术再现与实际实施之间可能存在区别。可存在未特定说明的本公开的其它实施例。应将说明书和图示视为说明性的，而非限制性的。可作出修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或过程适应于本公开的目标、精神以及范围。所有此些修改都落入在此所附权利要求书的范围内。虽然已参考按特定次序执行的特定操作描述本文中所公开的方法，但应理解，可在不脱离本公开的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并不限制本公开。