本公开涉及半导体,具体涉及半导体封装结构及其制造方法。
背景技术:
1、目前晶片5side封装,例如m-series、ewlb(embedded wafer level bga,嵌入式晶圆级球栅阵列),由于晶片的一面未封装,且晶片与模封材间的接面为异质材料接面,导致后续可靠度的测试中,例如为emc (epoxy molding compound,环氧模塑化合物)的模封材与晶片侧表面之间的结合处容易产生分层(delamination)。在一种情形中,晶片若为感光材料,未封装的一面易受到光的影响而干扰电性传输。
技术实现思路
1、本公开提供了半导体封装结构及其制造方法。
2、第一方面,本公开提供了一种半导体封装结构,包括:
3、电子元件,具有主动面、与所述主动面相对的背面以及延伸于所述主动面和所述背面之间的侧表面;
4、遮光层,覆盖所述主动面、所述背面以及所述侧表面,所述遮光层用于减少外部光穿透至所述电子元件,所述遮光层上表面与所述遮光层侧壁的连接部分包括曲面结构。
5、在一些可选的实施方式中,所述遮光层不包括填充粒子。
6、在一些可选的实施方式中,还包括:
7、基板,所述电子元件设于所述基板上;
8、填充材,设于所述遮光层与所述基板之间。
9、在一些可选的实施方式中,还包括:
10、外部电连接件,设于所述主动面,所述外部电连接件与所述遮光层之间包括缝隙。
11、第二方面,本公开提供了一种半导体封装结构,包括:
12、电子元件,具有主动面、与所述主动面相对的背面以及延伸于所述主动面和所述背面之间的侧表面;
13、封装层,覆盖所述主动面、所述背面以及所述侧表面,所述封装层上表面与所述封装层侧壁的连接部分包括曲面结构。
14、在一些可选的实施方式中,所述封装层包括遮光材料。
15、在一些可选的实施方式中,还包括:
16、基板,所述电子元件设于所述基板上;
17、填充材,设于所述封装材与所述基板之间。
18、在一些可选的实施方式中,还包括:
19、外部电连接件,设于所述主动面,所述外部电连接件与所述封装层之间包括缝隙。
20、第三方面,本公开提供了一种制造半导体封装结构的方法,包括:
21、提供电子元件,所述电子元件具有主动面、与所述主动面相对的背面以及延伸于所述主动面和所述背面之间的侧表面,所述主动面具有第一外部电连接件;
22、采用印刷工艺形成包覆电子元件的遮光层;
23、薄化所述遮光层,以露出部分所述第一外部电连接件;
24、在部分所述第一外部电连接件上形成第二外部电连接件,所述第一外部电连接件和所述第二外部电连接件共同形成外部电连接件。
25、第四方面,本公开提供了一种制造半导体封装结构的方法,包括:
26、提供电子元件,所述电子元件具有主动面、与所述主动面相对的背面以及延伸于所述主动面和所述背面之间的侧表面,所述主动面具有第一外部电连接件;
27、采用模塑工艺形成包覆电子元件的封装层;
28、薄化所述封装层,以露出部分所述第一外部电连接件;
29、在部分所述第一外部电连接件上形成第二外部电连接件,所述第一外部电连接件和所述第二外部电连接件共同形成外部电连接件。
30、本公开提供的半导体封装结构及其制造方法,采用印刷方式形成六面封装,可以有效对电子元件进行遮光。另外,还可以采用遮光材料进行封装,进一步提高遮光效果。
1.一种半导体封装结构,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述遮光层不包括填充粒子。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构,还包括:
4.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构,还包括:
5.一种半导体封装结构,包括:
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构,其中,所述封装层包括遮光材料。
7.根据权利要求5或6所述的半导体封装结构,还包括:
8.根据权利要求5或6所述的半导体封装结构,还包括:
9.一种制造半导体封装结构的方法,包括:
10.一种制造半导体封装结构的方法,包括: