半导体装置及其制造方法与流程

本实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、半导体装置的多层布线等中使用的布线或通路接触有时具有覆盖布线的槽的内壁或通路孔的内壁的阻挡金属、和填充于阻挡金属的内侧的布线材料。阻挡金属是为了抑制布线材料向半导体装置扩散而设置的，但为了降低布线电阻或接触电阻，要求低电阻化。此外，阻挡金属或布线的材料为了降低半导体装置的制造成本，要求为廉价。

技术实现思路

1、本发明所要解决的课题是提供能够降低布线电阻或接触电阻、并且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。

2、本实施方式的半导体装置具备第一导电层。布线被设置于第一导电层的上方。接触件被设置于第一导电层与布线之间。布线具备：第一金属层，其设置于第一导电层的上方，包含六方晶系晶体的钛(ti)；第二金属层，其设置于第一金属层上，包含体心立方晶格结构的钽(ta)；和设置于第二金属层上的第一布线材料。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属层包含具有面取向(002)的晶面的钛，所述第二金属层包含具有面取向(110)的晶面的钽。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属层的晶面间距与所述第二金属层的晶面间距大致相等。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属层的晶面间距与具有面取向(002)的晶面的钽的晶面间距相比，接近具有面取向(110)的晶面的钽的晶面间距。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线材料为包含钨(w)、铝(al)、铜(cu)中的任一者的导电性材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件具备：第三金属层，其设置于所述第一导电层上，包含六方晶系晶体的钛(ti)；第四金属层，其设置于所述第三金属层上，包含体心立方晶格结构的钽(ta)；和设置于所述第四金属层上的第二布线材料。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一金属层与所述第三金属层为连续的单一层，所述第二金属层与所述第四金属层为连续的单一层，所述第一布线材料与所述第二布线材料为连续的单一材料。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一及第二金属层被设置于所述第一布线材料与所述第二布线材料之间，所述第三及第四金属层被设置于所述第一导电层与所述第二布线材料之间。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一及第二金属层被设置于所述第一布线材料与所述接触件之间，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步具备将所述接触件埋入的绝缘膜，所述布线从所述绝缘膜露出。

11.一种半导体装置的制造方法，其包括：

12.根据权利要求11所述的制造方法，其进一步包括在所述绝缘膜中形成接触孔，

13.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在所述第一槽的形成前，进一步具备：

14.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在所述第一槽的形成前，进一步包括：

15.一种半导体装置的制造方法，其包括：

技术总结
本发明实施方式提供能够降低布线电阻或接触电阻、并且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备第一导电层。布线被设置于第一导电层的上方。接触件被设置于第一导电层与布线之间。布线具备：第一金属层，其设置于第一导电层的上方，包含六方晶系晶体的钛(Ti)；第二金属层，其设置于第一金属层上，包含体心立方晶格结构的钽(Ta)；和设置于第二金属层上的第一布线材料。

技术研发人员：中岛章
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13